本发明涉及高温合金技术领域,尤其涉及一种含W的高强度铸造Ni3Al基高温合金及其制备方法。背景技术目前广泛使用于煤、天然气和石油转化利用系统和先进热力发动机中的结构材料,如奥氏体不锈钢和高温合金,通常无法同时满足服役条件所需求的强度、韧性和耐蚀性。涂层材料如FeCrAl虽然拥有优良的耐蚀性,但其高温强度较差。因此迫切需要发展新型合金以满足高温结构部件的苛刻服役条件,即具有良好高温机械性能和优良耐蚀性的合金,而Ni3Al基合金恰好符合上述要求。金属间化合物Ni3Al具有其独特的高温性能,十分适合应
.本申请属于钢铁冶炼技术领域,具体涉及一种无取向硅钢的生产方法和无取向硅钢。背景技术.无取向电工钢,是一种低碳且si含量通常在.%至.%之间的硅铁软磁合金,用于家用电器、电力系统、通信系统和军事工业等领域。对于硅钢材料来说,其抗腐蚀能力远高于一般低碳钢。硅钢生产过程中,通常使用涂布绝缘涂层达到防腐的目的,但还是会出现横截面腐蚀的情况。.钢铁材料内部成分、组织等不均匀,加上外界湿气与材料表面形成电解液薄膜,造成了材料内部及表面不同组织之间形成了电位差,引发电化学腐蚀,其中,点腐蚀造成
.本发明涉及金属材料技术领域,尤其涉及一种新型高性能钼合金及其制备方法。背景技术.钼合金是一类具有战略意义且不可再生的稀有的难熔合金,其具有高熔点、良好的导热性、低的膨胀系数、极好的抗热震性能以及耐热疲劳性能。因而钼合金及其合金在航空航天,核工业、机械、冶金等领域有着广阔的应用前景。同时由于我国的钼储量,产量以及消费量均居全球第一,因而如何高效的利用钼及其合金制备高性能产品具有重要的战略意义,受到国内外的广泛关注。.目前,由于钼及钼合金通常具有高密度、较低的再结晶温度、高的韧脆转变温度、显
本发明涉及复合材料制造技术领域,尤其涉及一种铝铜复合材料药型罩的成形方法。背景技术药型罩是聚能破甲战斗部的核心元件、是支撑高性能战斗部研制的重要基础,药型罩材料是决定破甲性能的关键因素之一。药型罩作为聚能装药战斗部的关键构件已有50多年的发展历史,现役98%的破甲弹战斗部采用纯铜药型罩,大量弹道试验研究表明,采用轧制板材、挤制的铜棒材制造的药型罩,平均晶粒尺寸在20μm~45μm,可以侵彻穿透9倍装药口径厚度的钢靶(45钢),但是射流出口孔径不到φ15mm,最后的剩余射流质量不到5%(与药型罩总
本实用新型涉及离子束抛光机技术领域,尤其涉及一种高精度大口径平面离子束抛光机。背景技术离子束抛光技术是利用离子溅射原理,通过在真空状态下离子源引束产生等离子体能量束流,束流轰击工件表面产生原子级别的材料去除从而实现光学元件的高精度加工。传统的离子束抛光机在对工件的不同面进行抛光采用人工手动翻转,这种方式打断了抛光作业节奏,而且费时费力,降低抛光效率,且增大了作业风险。实用新型内容本实用新型的目的是为了解决现有技术中离子束抛光机不便同时对工件的多个不同的表面进行抛光的问题,而提出的一种高精度大口径
本发明涉及一种泡沫铝材料及其制备方法,尤其涉及一种负泊松比开孔泡沫铝材料及其制备方法。背景技术负泊松比材料又称为拉胀材料(Auxetic),是一类泊松比为负数的特殊材料,当材料发生拉伸变形时,垂直于载荷的方向会发生侧向膨胀;而当材料发生压缩变形时,垂直于载荷的方向会发生侧向收缩。由于负泊松比材料具有独特的负泊松比特性和材料集中效应,使其在剪切模量、抗断裂韧性、压痕阻力以及能量吸收和抗冲击性能方面都比相同组成、相同密度的正泊松比材料更加优异。目前用于防护结构的负泊松比材料主要为负泊松比微结构材料,
本发明涉及的浇注技术领域,具体的说,是一种高温合金定向凝固的浇注结构和浇注方法。背景技术目前世界上广泛应用的高温合金定向凝固铸件制备方法是bridgman法和lmc法。将制备好的陶瓷型壳放置在真空精密铸造炉的水冷铜盘上,待陶瓷型壳加热至预定温度后,实施浇注,然后按照一定速度将注入合金液的陶瓷型壳从真空精密铸造炉的热区(陶瓷型壳加热器)抽拉至冷区或金属冷却液中,使得合金液形成定向凝固,从而获得定向凝固铸件。由于通常陶瓷型壳的预热温度及合金液的浇注温度远高于合金的液相线,浇注后合金液的流动性能很好。
本发明涉及一种齿轮内花键渗碳淬火方法及其淬火设备,特别是一种半轴齿轮内花键渗碳淬火方法及其淬火设备。背景技术目前,市场上常见的齿轮淬火,都是将齿轮放入内部高温的淬火炉中,并向淬火炉中通入甲烷、丙烷等气体,使得齿轮表面进行渗碳,接着将渗碳完成的齿轮直接浸入淬火油中进行降温淬火,从而使得齿轮表面具有较好的耐磨性和硬度,而齿轮内部依旧保持有韧性;但对于有内花键的半轴齿轮采用此类装置进行淬火,直接向淬火炉内充入甲烷等气体,气体不易到达内花键位置处,使得内花键位置处的渗碳效果较差;且淬火炉中加热位置处的一
.本申请涉及半导体制造领域,具体而言,本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。背景技术.目前,在半导体工艺后段的钝化层(passivationlayer)工艺中,铝垫(alpad)作为集成电路中的重要的一道工序,形成在金属互连层上端;其作为测试电性连接和封装的引线端,对后续的封装工艺起到承上启下的作用。在集成电路制造过程中,几乎所有的半导体器件在其制造过程都要使用铝垫(alpad)用于其后道金属互联,作为导线传递各器件的电信号,通过后续封装引线实现各器件的连接控制。.现有技术中采用
本实用新型涉及离子束抛光机领域,具体涉及具有稳定工作状态的离子束抛光机。背景技术所谓离子束抛光,就是把惰性气体,如氩、氮等放在密闭空间中,用高频电磁振荡或放电等方法对阴极电流加热,使之电离成为正离子,再用5千至10万伏高电压对这些正离子加速,使它们具有一定的能量。利用电子透镜聚焦,将它们聚焦成一细束,形成高能量密度离子流,在计算机的控制下轰击放在真空室经过精磨的工件表面,从其表面把工件物质一个原子一个原子地溅射掉。用这种方法实现对工件表面进行深度从100埃到10微米左右的精密加工。现有的小型离子
一种在~℃范围内热膨胀系数近零的镁基复合材料及其制备方法和应用技术领域.本发明属于金属复合材料技术领域,具体涉及一种在~℃范围内热膨胀系数近零的镁基复合材料及其制备方法和应用。背景技术.镁合金作为一种新型的绿色结构材料,具有金属结构材料中最低的密度,仅为.g/cm,其比刚度高、电磁屏蔽性能好、导热导电性能优良且环境友好,不仅在汽车工业、航空航天等轻量化进程中扮演着重要角色,且在电子器件领域引起了极大的关注,如led散热器、笔记本外壳等。.在电子元器件制造领域,
本发明涉及可适用于压铸的铝合金组合物及对其进行热处理的方法。具体而言,铝合金组合物可包括通过热处理形成的Mg-Zn基强化相沉淀,因此其可具有大大改善的强度。背景技术由于易于铸造、与其他金属高效地形成合金、在空气中显示出高耐腐蚀性并具有高导电导热性,铝在工业中已得到广泛应用。具体而言,铝主要被用于减轻车辆重量并提高燃料效率,且通过将铝与其他金属混合而以铝合金的形式提供,因为与其他金属例如铁相比,铝本身的强度可能不足。通过压铸制造铝合金,其是一种精密的铸造工艺,其中将熔融金属注入具有空腔的模具中,由
本实用新型涉及一种LED蒸镀设备镀金工艺技术领域,更具体地说,它涉及一种应用于蒸镀镀金工艺的坩埚。背景技术蒸镀是LED加工过程中的一个重要环节,即在真空腔体内加热有机小分子材料,使其升华或者熔融气化成材料蒸汽,透过金属光罩的开孔沉积在基板上。在传统的LED蒸镀镀金工艺中,镀金的坩埚直接放在水冷底座的上方,这样的方式,具有以下缺点:1、坩埚直接与底座接触,底座内有冷却水装置,受水冷影响,电子枪加热过程需要更高的能量;2、蒸镀过程,坩埚外壁温度低,坩埚内的黄金在溶化过程,电子枪打坩埚中心位置,黄金在
.本发明涉及金属基复合材料技术领域,尤其是涉及一种高导热表面金属化金刚石/铜复合基板制备方法。背景技术.随着功能强大、小巧便携移动电子产品的迅速发展,电子元器件的尺寸越来越小,电路集成度也越来越高、使用频率越来越高,相应地对电子封装材料的稳定性和可靠性及散热性能等提出了更高的要求,因此,电子封装材料要适应半导体技术的发展需求,则必须充分兼顾多项参数如热导率(tc)、热膨胀系数(cte)、密度、强度及合理的封装工艺等。.传统的电子封装材料多釆用易于加工的合金材料,然而多数情况下合金难以兼具综
本发明属于纳米材料领域,更具体地,涉及一种纳米多孔金材料及制备方法。背景技术纳米多孔金属是指孔径尺寸在纳米范围内的多孔金属材料,由连续韧带和孔组成,形成三维双连续的多孔结构。纳米多孔金属具有高孔隙率、具有大的内表面积的纳米孔,是一种兼具功能和结构双重属性的新型功能材料,既有高导电性、可焊性、高导热性、抗腐蚀、抗疲劳、延展性以及结构强度高、耐高温等金属材料的优异性能,又具有纳米材料的表面效应和尺寸效应。纳米多孔金属材料可广泛应用于生物、医药、电子、光学、催化、传感器及生物分子的隔离和
.本发明属于功能性生物纳米材料技术领域,具体涉及一种正电性金纳米簇及其制备方法与应用。背景技术.荧光金纳米簇因其超微小尺寸、明确的结构组成、化学惰性、良好的生物安全性和特殊的荧光发射能力,在化学、生物和医学领域有潜在的应用价值。目前用于制备荧光金纳米簇的方法主要有两类:()刻蚀法,即通过合适的刻蚀分子把不发光、尺寸较大的金纳米颗粒刻蚀成可发射荧光且粒径较小的金纳米簇;()模板法,即以蛋白质、多肽、核酸、小分子等作为稳定剂和金离子反应,限制金纳米颗粒的生长,使金离子主要还原成荧光金纳米簇。
.本发明涉及合金加工技术领域,尤其涉及一种高致密度、成分可控的高硅铝合金材料及制备方法。背景技术.高硅铝合金材料具有热膨胀系数低、导热性好、硬度高、比强度高、耐磨性好、比重小等诸多突出优点,在汽车、电子、航空、航天等领域具有广泛应用,尤其是在电子封装材料和汽车发动机活塞材料等领域,具有广泛的应用潜力。目前常用的几种制备高硅铝合金材料的工艺存在以下问题:()采用熔炼铸造的方法制备高硅铝合金材料会使组织中产生粗大的板片状初晶硅和针状的共晶硅,严重割裂了基体,尖端处还会产生应力集中,降低了强度、
铝合金pvd结构、铝合金装饰件及电子设备【技术领域】.本实用新型涉及表面处理技术领域,具体的涉及一种铝合金pvd结构、铝合金装饰件及电子设备。【背景技术】.电池盖是一种安装在手机背面的手机外观配件,主要起保护、装饰等功能,因此一般电池盖上装有铝合金装饰件,以提升美观度。目前,随着柔性屏和折叠技术的发展,折叠手机成为未来趋势,折叠手机设有用于折叠的转轴,转轴的表面通常为不锈钢或者液态金属并进行pvd镀膜(pvd,即物理气相沉积技术,表示在真空条件下,采用物理方法,将材料蒸发成气态原子、分子或部
本发明涉及铸造技术领域,具体而言,涉及一种叶轮铸造工艺及叶轮。背景技术离心式压缩机或离心泵用来为各种流体流动提供加压。这种压缩机或离心泵包含叶轮,当叶轮旋转时,流体轴向方向进入,然后加速进入周向和径向方向,高流速流体进入扩压器,经转换速度后输出高压流体,对此类压缩机或离心泵,所使用的叶轮一般为合金精密铸造大型薄壁叶轮。普通重力铸造方式铸造叶轮时容易出现充注不足等缺陷,受到型壳结构限制,型壳自身承受压力有限,叶轮铸件容易产生气孔、疏松等问题。发明内容本发明的目的在于提供一种叶轮铸造工艺及叶轮,其能
本发明涉及的是一种硫化亚锡诱导生长金纳米颗粒的自组装方法,属于纳米材料制备领域。背景技术硫化亚锡是性能优良的P型半导体,在很多领域具有广泛的应用,可用作晶体管、传感器、太阳能电池、开关、电池电极等。不同于诸如石墨烯等零隙半导体的是,硫化亚锡有带隙,且为间接带隙,并且其带隙和原子层数有重要的联系,层数越薄带隙越大。也不同于过度金属二维材料如二硫化钼,硫化亚锡从块体到单层都是间接带隙。但目前硫化亚锡和金纳米颗粒的复合物制备方法还鲜有报道。金纳米颗粒的合成一般采用溶液化学还原的方法,如用乙二醇或是硼氢
一种超薄碳包覆无定形/晶体异质相nife合金纳米材料及其制备方法和应用技术领域.本发明属于纳米材料技术领域,尤其涉及一种超薄碳包覆无定形/晶体异质相nife合金纳米材料及其制备方法和应用。背景技术.析氧反应(oer)在各种可再生能源技术中起着至关重要的作用,例如电化学水分解、可充电金属?空气电池以及co还原为化学品或燃料。然而,oer是一个复杂的四电子耦合反应,导致缓慢的动力学,限制了其整体能源效率。因此,高性能oer电催化剂的设计至关重要。目前,ruo/iro等贵金属材料被认为是最有
本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种高耐蚀高强韧fecrni系多主元合金及其制备方法。背景技术高强韧、高耐腐蚀性能及良好加工性能材料是工程结构材料的主要发展方向,在航空航天、海洋、汽车和石油等领域有广泛的应用前景。目前常见的有钛合金、奥氏体不锈钢等。钛合金具有高强韧、耐腐蚀性能好、密度低等特点,目前在航空航天、海洋等高端领域应用较多,然而因其活性高,熔炼、塑性加工等都非常困难,导致其价格昂贵,限制了大规模应用。奥氏体不锈钢(如304、316钢等)具有良好的耐腐蚀性能、优异的加工性能及相对较低
本发明属于锡冶炼技术领域,具体涉及一种矿热电炉、电解短流程冶炼精锡方法。背景技术目前锡行业大多采用的炼锡方法为锡精矿经电炉熔炉得到的粗锡进入电解得到焊锡,焊锡再经过铅锡分离得到精锡,由于铅锡分离过程包括结晶分离和真空分离等,工艺过于复杂,投入成本较高,工人劳动强度较大,因此,开发一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法是非常有必要的。发明内容本发明在于提供一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法。本发明的目的是这样实现的,一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法,包括配料、熔炼、制作阳极板、制作
一种高效太阳能电池用大产能炉管式icp-cvd装置技术领域.本发明涉及太阳能电池生产设备,尤其涉及一种高效太阳能电池用大产能炉管式icp-cvd装置。背景技术.目前高效太阳能电池主要膜系材料为单质硅,晶体结构为非晶或微晶状态。而且希望的是更多的微晶状态的单质硅材料。目前主要的生长方式是采用平行平板式pecvd设备(ccp-cvd),在一定真空度和温度下,使用硅烷气体分解得到,此方式由于产生的等离子体密度低,生成的单质硅薄膜主要是非晶状态且氢含量偏高。较好的方法是采用高密度等离子体放电技术比如
.本发明涉及高纯无氧铜生产技术领域,具体涉及一种高纯无氧铜生产工艺。背景技术.铜及其合金在熔炼过程中,铜液具有吸气性,这是铜及其合金熔炼的主要特性之一,也是生产高纯无氧铜的技术难点;同时铜液中氧和氢的关系为:当铜液中氧含量增加时,氢的含量减少;反之,当铜液中氢含量增加时,氧含量将减少;因此当高纯无氧铜在还原精炼时,随着铜液中氧的含量降低到一定极限时,铜液再次从熔炼气氛中吸收氢气,造成氢的含量会急剧增加,因此如何保证高纯无氧铜中同时具有极低的氢含量,则是高纯无氧铜生产的技术难点。.现有高纯无
本发明属于靶材制造技术领域,特别涉及一种长寿命铜锰合金靶材的加工方法。背景技术溅射靶材是半导体集成电路制备过程中重要的原材料之一,靶材的材质主要包括Al、Cu、Ti、WTi、NiV、NiPt等,主要用于集成电路中接触、通孔、互连线、阻挡层、封装等物理气相沉积薄膜的制备。溅射过程中,用加速的离子轰击靶材表面,使表面的原子沉积在基底表面。为了降低集成电路制造成本,最简单有效的方法是提高靶材寿命,常规提高靶材寿命的方法为增加溅射区域厚度。专利CN204097558U、CN201793723U、CN20
.本发明属于冶金固危废处置技术领域,涉及一种铝热法熔融还原含锌物料的工艺及装置。背景技术.炼钢过程或铅、锌冶炼过程通常会产生含多种金属的高温蒸气,经常规冷却除尘后会生成含pb、zn、cd等重金属粉尘或污泥,依据发改委年月公布的《国家危险废物名录》(年版)中,该类粉尘已正式被划分为hw危险废弃物。同时,在铝电解、铝加工及再生铝生产加工过程中,会产生诸多含铝副产品,且随着国内金属铝及铝合金生产规模不断扩大,工业铝灰(含一次铝灰和二次铝灰)、电解浮渣、镀锌渣的产生量也成比例增
本发明属于有色金属高温冶炼领域,特别涉及一种可以量产化的电解铬片脱气的生产工艺。解决了国内没有量产化高纯铬片的问题。背景技术高纯金属铬是指主成分铬大于99.95%,杂质含量低,特别是氧、碳、氮、硫含量低的铬。其中,氧小于0.04%,碳小于0.025%,氮小于0.003%,S小于0.002%。高纯金属铬主要用作超级合金添加剂-生产飞机涡轮机的叶片,电气的触头、半导体、芯片溅射靶材等领域。其中高端半导体、芯片、精密电子产品、汽车活塞环以及光学材料镀膜的铬靶,是由高纯脱气铬片/粒破碎后,热等静压成型。
本发明涉及软磁材料领域,尤其涉及一种铁基的纳米晶合金带材,主要包括其成分设计、制备方法、带材质量评价等。背景技术非晶软磁合金具有优良的软磁性能,广泛应用于电力电子、电子信息等领域。随着信息处理和电力电子技术的快速发展,各种电器设备趋向高频化、小型化、节能化。目前使用较多的软磁合金主要有硅钢、铁基非晶合金、铁基纳米晶合金、铁氧体等。相对于硅钢而言,铁基非晶及纳米晶合金具有较低的损耗,但其bs(饱和磁感应强度)较低,不利于设备的小型化及轻量化,所以高bs的软磁合金具有很好的应用前景。根据文献报道对于
.本发明属于碳基材料技术领域,特别涉及一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法。背景技术.二次电子发射也称为电子倍增效应,二次电子的发射过程主要包括三部分:①初始电子进入材料内部并激发内二次电子,②被激发的内二次电子向表面运动,③运动到表面的内二次电子克服表面势垒并出射成为真二次电子。.近年来,虽然我国在通信、航天领域和卫星大功率部件的设计方面取得明显地进步,但是电子倍增效应仍然是制约微波部件功率容量提升的一项瓶颈,也是影响高功率微波部件稳定性的重要原因。微放电效应的发生会容易造成严重后
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