本发明涉及的是一种硫化亚锡诱导生长金纳米颗粒的自组装方法，属于纳米材料制备领域。
背景技术：
硫化亚锡是性能优良的p型半导体，在很多领域具有广泛的应用，可用作晶体管、传感器、太阳能电池、开关、电池电极等。不同于诸如石墨烯等零隙半导体的是，硫化亚锡有带隙，且为间接带隙，并且其带隙和原子层数有重要的联系，层数越薄带隙越大。也不同于过度金属二维材料如二硫化钼，硫化亚锡从块体到单层都是间接带隙。但目前硫化亚锡和金纳米颗粒的复合物制备方法还鲜有报道。
金纳米颗粒的合成一般采用溶液化学还原的方法，如用乙二醇或是硼氢化钠等作为还原剂，但是该方法不能使得金纳米颗粒在衬底材料上有序组装。因此开发一种简单有效的方法原位生长金纳米颗粒/硫化亚锡复合物就显得尤为必要。
技术实现要素：
本发明的目的是提供硫化亚锡/金纳米颗粒复合物及其制备方法和应用，工艺简单，获得的金纳米颗粒的粒径范围是几纳米到几十纳米，结晶性好。
为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
硫化亚锡/金纳米颗粒复合物，金纳米颗粒颗粒在硫化亚锡表面具有取向性排列，金纳米颗粒尺寸在15-25纳米。
硫化亚锡/金纳米颗粒复合物的制备方法，步骤如下：
（1）机械剥离硫化亚锡材料，产物厚度50-100nm,大小几微米到十几微米，氩气气氛中退火后备用。
（2）滴加氯金酸水溶液到机械剥离的硫化亚锡表面，沉积2-5min,氮气吹走多余的液体，置于烘箱中加热反应。
氯金酸水溶液的浓度为10%-26%，滴加量为1-3μl；反应温度为120-150℃、反应时间2-5min。
（3）反应结束后，快速取出样品，得到金纳米颗粒在硫化亚锡自取向组装。得到金纳米颗粒在硫化亚锡自取向组装，金纳米颗粒大约几十纳米，结晶性好，该复合物在光电探测领域应用广泛。
本发明的原理说明如下：au3+/au0的还原电势大约为5.5ev(相对于真空而言)，而硫化亚锡的导带小于5.5ev，因此电子会从硫化亚锡转移到au3+上，使得au3+原位还原成au0。
本发明具有以下优点：（1）得到的产物金纳米颗粒粒径为几纳米到几十纳米，结晶性好，稳定性高；（2）工艺简单，而且成本低廉，时间较短，环境友好；（3）该方法制备的硫化亚锡/金纳米颗粒复合物性能优越，在光电探测器件、生物传感等领域具有广泛重要的应用前景。
附图说明
图1为实施例1机械剥离的硫化
声明：
“硫化亚锡/金纳米颗粒复合物及其制备方法和应用与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
546
编辑：中冶有色网
来源：南京邮电大学
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月23日 ~ 25日 
