基础金属	铜电解铜铜精矿铜管铜棒废铜铜排铜合金精铜杆再生铜杆铜板带铝铝土矿氧化铝电解铝铝辅料铝棒铝合金锭废铝铝杆铝型材铝板卷铅铅精矿铅锭铅蓄电池再生精铅还原铅废铅蓄电池铅合金锌锌精矿电解锌锌合金氧化锌锌粉锡锡精矿锡锭锡材
稀有金属	稀土稀土矿稀土氧化物稀土金属钕铁硼稀散金属锑铋铟锗镓硒钽锆贵金属白银钨钨精矿钨粉碳化钨钨酸钠钨条钨铁钼钼精矿工业氧化钼钼铁钼化工高纯三氧化钼钼金属钛钛精矿钛渣四氯化钛海绵钛钛金属钛白粉
新能源	锂锂矿锂化合物金属锂镍镍矿镍铁精炼镍镍盐高冰镍 MHP 钴电解钴钴粉氯化钴四氧化三钴硫酸钴钴中间品氧化钴碳酸钴钴酸锂锰锰矿电解锰电池级硫酸锰锂电正负极三元前驱体磷酸铁正极材料石油焦针状焦包覆沥青人造石墨硅碳负极硅氧负极电解液隔膜隔膜电解液电芯

基础金属

铜电解铜铜精矿铜管铜棒废铜铜排铜合金精铜杆再生铜杆铜板带铝铝土矿氧化铝电解铝铝辅料铝棒铝合金锭废铝铝杆铝型材铝板卷铅铅精矿铅锭铅蓄电池再生精铅还原铅废铅蓄电池铅合金锌锌精矿电解锌锌合金氧化锌锌粉锡锡精矿锡锭锡材

稀有金属

稀土稀土矿稀土氧化物稀土金属钕铁硼 稀散金属锑铋铟锗镓硒钽锆 贵金属白银钨钨精矿钨粉碳化钨钨酸钠钨条钨铁钼钼精矿工业氧化钼钼铁钼化工高纯三氧化钼钼金属钛钛精矿钛渣四氯化钛海绵钛钛金属钛白粉

新能源

锂锂矿锂化合物金属锂镍镍矿镍铁精炼镍镍盐高冰镍 MHP 钴电解钴钴粉氯化钴四氧化三钴硫酸钴钴中间品氧化钴碳酸钴钴酸锂锰锰矿电解锰电池级硫酸锰 锂电正负极三元前驱体磷酸铁正极材料石油焦针状焦包覆沥青人造石墨硅碳负极硅氧负极 电解液隔膜隔膜电解液电芯

金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法

159 编辑：中冶有色网来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

2025-11-03 15:12:15

权利要求 1.一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤： S1.使用化学气相沉积法在铜薄膜表面沉积石墨烯，制得石墨烯/铜材料; S2.在步骤S1所述石墨烯/铜材料上沉积金属薄膜; S3.对步骤S2所得材料进行热处理，使金属薄膜与石墨烯/铜界面相结合，制得高导电石墨烯/铜金属材料。 2.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S1所述铜薄膜的厚度为500nm～5μm。 3.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S2所述沉积方法包括电子束蒸发镀膜、磁控溅射镀膜或热蒸发中的一种。 4.根据权利要求3所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，所述电子束蒸发镀膜工艺中铜的沉积速率为0.2～50nm/s;所述磁控溅射镀膜工艺中铜的沉积速率是2～100nm/s;所述热蒸发工艺中铜的沉积速率为1～10nm/s。 5.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S2所述金属薄膜包括Ti、Ni、Co、Cr中的一种或几种。 6.根据权利要求5所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，所述金属薄膜为Ti。 7.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S2所述金属薄膜的厚度为1～5nm。 8.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S3所述热处理温度为600～800℃，所述热处理时间为30～60min。说明书技术领域 [0001]本发明属于高导电材料领域，特别涉及一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法。背景技术 [0002]随着科技的进步，对高导电材料的需求不断增长。发展高导电铜材料有助于满足市场需求，推动相关产业的发展，从而创造更多的经济价值和社会效益。现阶段，超高导电铜材料的研究取得了一定的进展，但由于制备工艺和性能的不稳定等

登录解锁全文

声明：

“金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。

我是此专利(论文)的发明人(作者)