权利要求
1.一种高纯铜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、装配温场:配置用于容纳铜熔体的坩埚,所述坩埚的外侧依次设置有保温材料和加热系统,所述坩埚的上方设置有籽晶杆;
S2、原料加入:向所述坩埚中加入铜原料;
S3、升温化料:启动加热系统,使铜原料熔融形成铜熔体,并保持铜熔体温度高于其熔点;
S4、通过籽晶杆将籽晶浸入所述铜熔体,依次进行引晶、放肩、等径生长和收尾操作,在操作过程中,籽晶杆转速为5-15转/分,坩埚转速为5-15转/分,籽晶杆旋转方向与坩埚旋转方向相反,提拉速度为1-5mm/min。
2.根据权利要求1所述的一种高纯铜的制备方法,其特征在于:在步骤S1中,所述加热系统包括环绕坩埚设置的加热线圈,所述坩埚为钼坩埚或钨坩埚,所述保温材料为氧化锆,氧化锆的外侧设有氧化铝锅。
3.根据权利要求1所述的一种高纯铜的制备方法,其特征在于:在步骤S2中,所述铜原料的纯度不低于99%。
4.根据权利要求1所述的一种高纯铜的制备方法,其特征在于:在步骤S4中,等径生长的过程中对所述坩埚和铜原料通入惰性气体,所述惰性气体为氩气。
5.根据权利要求1所述的一种高纯铜的制备方法,其特征在于:在步骤S4中,所述籽晶选用高纯铜籽晶。
6.根据权利要求1所述的一种高纯铜的制备方法,其特征在于:在步骤S4中,所述坩埚的底部设有用于其转动的旋转电机,所述旋转电机的底部设有升降组件,所述升降组件包括升降杆。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及高纯铜加工技术领域,特别是涉及一种高纯铜的制备方法。
背景技术
[0002]高纯铜是电子信息、能源、航空航天等领域的关键材料。在电子信息产业,其用于半导体引线框架、高频传输线等,助力芯片先进封装及信号传输;在能源与尖端科技领域,可作为核聚变装置超导磁体稳定化材料、量子芯片散热材料等。现有制备高纯铜的技术主要有电解铜,区域熔炼法及电子束法。
[0003]电解铜主要原理是在直流电作用下,阳极上的铜以离子状态进入电解液,在电场力的作用下,铜离子迁移到阴极,发生还原反应,析出阴极铜,由于各种元素存在电位差,故可分离
声明:
“高纯铜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)