1.本申请涉及半导体制造领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。
背景技术：
2.目前，在半导体工艺后段的钝化层(passivation layer)工艺中，铝垫(al pad)作为集成电路中的重要的一道工序，形成在金属互连层上端；其作为测试电性连接和封装的引线端，对后续的封装工艺起到承上启下的作用。在集成电路制造过程中，几乎所有的半导体器件在其制造过程都要使用铝垫(al pad)用于其后道金属互联，作为导线传递各器件的电信号，通过后续封装引线实现各器件的连接控制。
3.现有技术中采用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺制备铝薄膜。由于现有技术中仅靠沉积后的冷却工艺进行冷却，若机台端出现报警调度无法继续进行，导致晶圆停留在工艺腔室中，从而无法及时传输至冷却腔室进行冷却导致晶圆报废。现有技术中的处理方式为，当机台端出现报警时，一般采用人为方式对其进行处理，即手动将诸如晶圆等待加工工件传输至冷却腔室冷却，但是由于人为处理效率较低，无法保证时效(20分钟内)性，从而产生缺陷甚至会直接报废晶圆。
技术实现要素：
4.本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其工艺腔室，用以解决现有技术存在的由于晶圆冷却不及时造成报废的技术问题。
5.第一个方面，本申请实施例提供了一种工艺腔室，用于半导体工艺设备，包括：腔室本体、承载装置以及控温装置，其中，所述承载装置设置于所述腔室本体内，且所述承载装置包括基座及升降机构，所述基座用于承载待加工工件；所述升降机构用于带动所述待加工工件升降，以使所述待加工工件与所述基座分离或接触；所述控温装置包括有承载台，所述承载台设置于所述腔室本体内，用以在所述升降机构带动所述待加工工件与所述基座分离时，选择性移动至所述基座及所述待加工工件之间，并在所述升降机构带动所述待加工工件下降以承载待加工工件并对所述待加工工件的温度进行控制。
6.于本申请的一实施例中，所述控温装置还包括旋转轴及驱动结构，其中，所述旋转轴的第一部分位于所述腔室本体内，并且所述旋转轴的第一部分的顶端与所述承载台的边缘连接，所述旋转轴的第二部分位于所述腔室本体外；所述驱动结构设置于所述腔室本体外，并且与所述旋转轴的第二部分的底端传动连接，用于驱动所述旋转轴旋转以带动所述承载台移动。
7.于本申请的一实施例
声明：
“半导体工艺设备及其工艺腔室的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：北京北方华创微电子装备有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
