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本发明公开了一种基于故障树的沉船打捞系统失效风险分析方法，采用FreeFTA故障树绘制与分析软件对双船抬吊打捞系统进行风险分析，绘制打捞系统的逻辑树，并对二级子系统进行失效模式分析，在此基础上绘制打捞系统故障树。根据打捞工程危险源识别报告、关键设备风险分析研究与数据库信息确定打捞系统基本事件的概率，通过故障树定量分析得出打捞系统发生故障的概率数值，划分风险级别，得到平均无障碍工作时间。通过基本事件的关键重要度分析发现在打捞过程中最有可能发生的事件，判断可能产生的后果，从而提醒负责人着重关注最有可能发生的事件，预防此类事故的发生。
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本发明实施方式涉及电梯故障检测领域，公开了一种封星接触器电气控制电路和封星接触器失效检测方法。本发明中，封星接触器电气控制电路包括变频器16、永磁同步曳引机11、封星接触器10以及封星失效检测线路4。封星失效检测线路4可以用于检测封星接触器10中的各封星线路、限流元器件3、电源2分别与下桥臂13、14、15是否形成正常回路，并在检测到不能形成正常回路的情况下，确定非正常回路中封星接触器10和所述永磁同步曳引机11之间的封星线路存在断路，继而判定封星接触器10失效。在本发明提供的封星接触器电气控制电路的基础上，可以实现安全、高效的“封星线路失效”静态检测。
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一种样品失效分析方法,包括:获取样品的二次电子图像;从所述二次电子图像中选出作为参照的基准子图形,以及待分析子图形;沿同一方向扫描基准子图形和待分析子图形的灰度,获取基准子图形和待分析子图形的二次电子强度曲线;比较基准子图形的二次电子强度曲线和待分析子图形的二次电子强度曲线,确定待分析子图形是否存在缺陷。用二次电子强度曲线表征二次电子图像,即使有微小的缺陷,也可以通过二次电子强度表示出来;而且由于二次电子强度曲线对灰度变化比较敏感,即使金属互连线以及栓塞由于使用低介电常数金属而导致二次电子图像的分辨率降低,也可以用二次电子强度曲线将二次电子图像表示出来,二次电子强度曲线不会受分辨率变化的影响。
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本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法及系统，依次通过获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，生成色彩增强转化图像；若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示。本发明实现极大提升了检测效率和检测的准确性，极大满足用户的使用需求。
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本发明提供了一种焊点失效分析的方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该方法包括：生成初始基板模型和初始补丁板模型；生成目标焊点的焊点模型，焊点模型的网格为第一网格，第一网格为设有多条均匀分布的放射线的同心圆环网格；以第一网格划分的元素为单位，建立焊点模型与初始基板模型和初始补丁板模型之间的连接关系，并确定加载载荷时焊点模型的集中应力；在集中应力不大于预设安全裕度时，确定目标焊点为有效焊点。通过本发明实施例提供的焊点失效分析的方法、装置、存储介质及电子设备，将焊点模型网格化为设有放射线和同心圆环的网格，实现焊点模型网格的均匀细化加密，可以保证应力的精准性，避免传统网格加密过程中带来的不稳定性。
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本发明公开了一种只读存储器的位错失效分析方法，包括：步骤一、将只读存储器的后道金属线层都剥离并使接触孔表面露出。步骤二、在失效模块外选定第一切割区域并进行切割形成列方向延伸的第一凹槽，各行多晶硅条的侧面在第一凹槽的侧面暴露，第一凹槽还将半导体衬底表面暴露。步骤三、在第一凹槽的内侧表面形成第一金属层，第一金属层使各行多晶硅条和半导体衬底都接触并接地。步骤四、进行电压衬度成像并形成第一电压衬度像，第一电压衬度像中，接地的多晶硅条形成亮图像，结构正常的存储单元的漏极接触孔形成暗图像，在失效模块中将漏极接触孔的图像为亮图像的存储单元定位为位错失效位置。本发明能通过电压衬度像快速定位位错失效位置。
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本发明公开了一种基于舰面服役环境的舰载机结构腐蚀失效可靠性分析方法，步骤一、构建舰载机舰面服役环境腐蚀模型，得到腐蚀变量概率分布；步骤二、根据腐蚀模型构建舰载机舰面服役环境初始损伤模型，得到初始损伤的值；步骤三、根据修正的Chaboche疲劳损伤模型建立考虑腐蚀初始损伤的舰载机结构累积疲劳损伤模型；步骤四、建立考虑腐蚀的舰载机结构有限元模型，进而计算获得结构表面的应力分布；步骤五、由有限元计算结果，建立初始损伤、加载载荷和疲劳寿命之间的关系模型，进而获得疲劳寿命和腐蚀影响因素之间的关系模型；步骤六、进行不确定性分析和定寿延寿分析。本发明为舰载机结构安全评估和定寿延寿提供一种新的方法。
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本发明提供一种用于晶圆上坏点的失效分析的方法，所述方法包括：对晶圆坏点所对应的问题光罩图案进行直接模拟；以及基于模拟结果与生成所述问题光罩图案所基于的原始光学邻近修正版图的模拟的比较确定所述晶圆坏点是否起因于光罩错误。本发明所提供的用于晶圆上坏点的失效分析的方法可以将光学邻近修正过程可能的错误与光罩错误各自产生的影响分离开来，准确确定晶圆坏点产生的根本原因是否在于光罩错误。
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本发明提供了一种失效分析无缓冲图像采集的方法，预设目标拍摄区域，将该目标拍摄区域划分成多个连续但不重叠的长方形子区域，所述子区域的长和宽与每张照片能拍摄到的长和宽一致；移动样品至第一个拍照子区域，打开电子束对该区域进行扫描，收集二次电子或背散射电子等物理信号并形成图像；关停电子束，将样品移动至下一个拍照子区域；重复此过程，直至扫描收集完全部子区域的图像。本发明还提供了一种可以执行上述方法的失效分析无缓冲图像采集系统。
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本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法，包括以下步骤：分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号，直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常；获取失效的所述神经电极，并截取所述神经电极的尖端有效部位，用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位，并进行EDS元素分析；建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
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本发明公开了一种适用于硅胶封装的电子元件的失效分析的硅橡胶溶剂，主要包含如下质量分数的成分：40％至90％的C3～C6的乙二醇醚或C4～C7的丙二醇醚或乙二醇苯醚或丙二醇苯醚或上述醇醚化合物的一种至多种的混合物，按重量计5％至45％的N-甲基吡咯烷酮或N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺或上述酰胺化合物的一种至多种的混合物，1％～15％的氢氧化钾或氢氧化钠或上述其二者的混合物。本发明制备的溶剂具有腐蚀性低、选择性高、毒性低的优点，能够完全溶解固化的发光二极管封装硅橡胶，十分适用于硅胶封装的发光二极管的失效分析。
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本实用新型的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。
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本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。
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本实用新型的用于失效分析的封装基板包括：基板、设置在所述基板上的凹口、以及设置在所述基板上的至少两个导线圈，所述导线圈由内向外依次环绕在所述凹口外。本实用新型的用于失效分析的封装基板，电路结构简单，使用方便。
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本发明提供了一种系统失效分析方法，基于系统的多个安全目标，获取与第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子，其中I为自然数。获取第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于第一阈值的元件的元件失效模式集合。重复上述步骤直至获取系统的每一个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于与其对应的阈值的元件的元件失效模式集合。对所有安全目标对应的元件失效模式集合求并集以获得系统的元件失效模式集合。本发明技术方案可以较准确的确定系统中对安全目标影响最为显著的元件及其高危的元件失效模式。
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本发明提供了一种集成电路芯片的失效分析方法，在芯片中定位需要做电阻的两端布线，找到需要做电阻的目标位置中的一端，采用聚焦离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；找到需要做电阻的目标位置中的另一端，采用离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；通过聚焦离子束对两个目标位置之间的区域进行刻蚀，使得两个目标位置的露出金属之间区域形成一个沟道；用金属的气相前驱体以气相沉积的方式在所述沟道上沉积一条连接两端金属且与目标电阻阻值相同的金属线。本发明还提供了一套便于执行该方法的集成电路芯片的失效分析的系统。
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本发明公开了一种用于芯片失效分析的图像采集方法及系统。该方法包括：根据金相显微镜（OM）或扫描电镜(SEM)机台提供的通信接口和相关的编程接口，编写上位机应用程序实现：控制金相显微镜机台/扫描电镜机台载物台上的芯片按照用户设置的参数移动，并在其移动过程控制金相显微镜机台的相机对该芯片的不同部位进行持续拍摄、自动保存拍摄所得的图像。通过本发明提供的技术方案能够实现采用金相显微镜机台/扫描电镜机台对其载物台上的芯片的不同位置进行自动、持续拍摄并保存相关图像，实现对失效芯片的大范围、高效率地图像采集。
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本发明涉及自动识别芯片物理缺陷的失效分析方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，通过扫描电镜图像抓取，对抓取的图形进行版图提取形成提取版图，版图查找并将提取版图在完整的芯片原始版图中找到对应的部分并做叠层处理形成叠层版图，然后叠层版图粗略识别，叠层版图精确识别完成物理缺陷的自动识别，不需要人工肉眼观察，因此效率高且准确率高。
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本申请涉及一种电梯轿厢有无困人图像监控失效辅助分析方法及其系统，该辅助分析方法包括以下步骤：获取电梯启动信号，基于电梯启动信号采集电梯变频器的输出电流；将输出电流与电梯空载时变频器的启动电流比较，若输出电流与启动电流的差值超过轿厢非空载重量的电流量化值，则输出第一反馈信号；基于电梯启动信号采集轿厢按钮指令的登记情况，若轿厢有按钮登记时，则输出第二反馈信号；基于接收的第一反馈信号或者第二反馈信号，输出轿厢内有乘客信息。第一反馈信号和第二反馈信号，只要有一个存在，即判定本次启动运行的轿厢内有乘客，可及时发现轿厢内是否困人，降低安全事故的发生率。且可直接内嵌在电梯控制系统内，减少额外的设备成本。
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本发明提供了一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，以氢氟酸与乙酸的混合溶液替代现有技术中单纯使用氢氟酸去除氧化层，相对于单纯使用氢氟酸的强腐蚀性，由于在混合溶液中的乙酸同时也电离出氢离子，可抑制氢氟酸的电离，避免腐蚀过程中过多的氟离子参与反应，因此，可使得腐蚀过程中减小损伤或不损伤半导体器件的主动区；使用超声波振荡半导体器件可使低于主动区表面的多晶硅层突出，便于后续使用多晶硅胶去除多晶硅层，避免了在去除多晶硅层的过程中对半导体器件主动区的损伤。
本发明涉及一种用于Nanoprobe‑FIB‑TEM失效分析的多用途样品座，包括：半月形样品台为具有窗口的半圆形硅片，TEM薄片样品固定在该窗口上；基座包括本体、用于安装Nanoprobe样品的第一支柱和用于安装半月形样品台的第二支柱，第一支柱和第二支柱固定连接在本体上，本体具有第一基座贯通孔和第二基座贯通孔；卡座具有第一卡座贯通孔和第二卡座贯通孔；第一卡座贯通孔与第一基座贯通孔或第二基座贯通孔适配，第二卡座贯通孔与FIB样品卡座台适配。本发明还提供上述的多用途样品座的应用。根据本发明的多用途样品座，适用于Nanoprobe、FIB、TEM多仪器，免去了在不同仪器里频繁更换样品台的步骤。
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本发明提供一种芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤：1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3）于所述研磨面表面形成保护层；4）去除剩余的封装膜塑；5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数，研磨过程中芯片不会弯曲，而且，封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸，增加研磨时的方位可控性；后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜，然后进行抛光便可获得平坦的目标层。
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本发明提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。
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本发明公开了一种微小芯片的失效分析中的样品制备方法，在微小芯片的样品的外围利用模具外壳填充有机介质，然后对有机介质进行加热固化使其与所述微小芯片样品形成一块整体的结构，然后再对所述的包含有微小芯片样品的整体进行研磨。通过固化的有机介质，增大了微小芯片的延展面积，在研磨时能形成更大的研磨面积，从而进一步控制微小芯片外围磨耗，使制样更加均匀。
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本申请提供一种半导体失效检测结构及其检测方法，应用于半导体器件失效检测过程，半导体失效检测方法包括：在待检测晶圆预设范围内设置参考层；获取设置参考层对应待检测晶圆的晶圆图像；将晶圆图像与检测标准图像进行对比，根据参考层得到待检测晶圆中失效的位置信息及分析结果。本说明书实施例设置类似金属材料的参考层，该参考层为多个最小单元规则排布的参考块，尤其使参考块构成的参考层呈米型状或T型状排布，优化测试结构周边和上下层dummy结构的设计，在不影响各种不同功能的测试结构的基础上，不仅有助于形成更加清晰高对比度的测试结构图形影像，而且大大提升失效分析定位的准确性和物性失效分析的成功率和效率。
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本发明提供一种预充电继电器失效的检测方法及检测电路，所述预充电继电器失效的检测方法包括：获取预充电完成标志；基于所述预充电完成标志，对整流输出的母线电压进行采样，生成采样电压；分析所述采样电压随时间的变化情况，生成采样分析结果；响应于所述采样分析结果为所述采样电压发生突变，判定预充电继电器失效；所述预充电继电器用于将预充电电阻进行旁路，所述预充电电阻用于限制储能电解电容的预充电电流。本发明可以利用母线电压随时间的变化检测预充电继电器的失效状态。
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本发明属于电子封装领域,涉及一种用于检测板级组装球栅阵列封装器件中焊球失效的电子散斑干涉测试系统及其检测方法。该系统包括:检测样品的固定与加载部分,电子散斑干涉的离面位移测试光路部分,和计算机数据分析处理部分。离面位移测试光路部分用于形成检测样品在机械载荷下变形后的干涉条纹,即表面微位移信息。计算机数据处理部分,用于采集条纹、进行相位解包和位移计算、定位失效区域。通过比较对标准品与样品的离面位移条纹确定样品是否发生焊球失效。该系统组成元件简单,测量过程不会损坏器件,检测方法简便、工艺整合性好,可实现流水线上的实时测量,从而大大提高板级组装球栅阵列封装器件中焊球失效的检测效率。
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本发明公开了一种发光二极管失效检测电路及检测方法，该检测电路中若干稳压二极管分别并联在LED阵列中每个LED的两端，恒压电源给LED阵列供电，恒流控制电路控制连接LED阵列中每个LED串的两端，实时检测每个LED串中每个LED的电压降。检测方法包括如下步骤：（1）通过检测电路实时检测LED阵列中每个LED串中的每颗LED的工作状态；（2）检测电路中的三极管上的集电极和发射极两端的电压值将根据LED串中每颗LED的失效情况发生变而进行变化；（3）检测三极管上的集电极和发射极两端的电压值的变化情况来确定LED的失效状态。本发明可以实现正常工作过程中LED阵列中的LED随机处于开路或短路两种失效状态时的在线检测和故障信息提示。
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本发明公开了一种半导体器件主位线失效的检测方法和检测系统。该检测方法包括:选取至少2条字线,分别位于存储阵列不同的物理扇区;逐一测量所选字线与每一局部位线交叉位置处存储单元的工作电流;若测量工作电流大于基准工作电流,则判定该存储单元为异常存储单元;反之,则判定该存储单元为正常存储单元;对应每一局部位线,如果在所选字线上的存储单元均为异常存储单元,则判定控制该局部位线的主位线失效;如果在所选字线上的存储单元存在正常存储单元,则说明控制该局部位线的主位线没有失效。本发明提供的检测方法和检测系统通过对工作电流的测试实现对主位线失效的监控,既可应用于CP之前、之后,又可插入CP中,减少CP时间。
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本发明公开了一种高低压端绝缘失效检测装置，包括：连接在高压端的电源正极与参考地之间的第一分压电路，其包括依次串联的第一电阻、开关管和第二电阻；连接在参考地与高压端的电源负极之间的第二分压电路，其包括依次串联的第三电阻和第四电阻；加法电路，加法电路的一个输入端与第一分压电路的输出端和第二分压电路的输出端电连接，另一个输入端与一参考电位电连接；微处理器，该微处理器的信号输入端与加法电路的输出端电连接，该微处理器的控制输出端与开关管的控制端电连接。本发明还公开了一种利用上述检测装置进行绝缘失效检测的方法。本发明能够检测出正高压端和负高压端的绝缘同时失效的情况。
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