本发明提供一种覆晶
芯片取裸片的制备方法及失效分析方法,其中,本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括:提供覆晶芯片,覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构,裸片的正面具有锡球;研磨封装结构,直至裸露出裸片正面的锡球;采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面,去除裸片正面的锡球、残留的封装结构,达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构,而是研磨掉封装结构的一部分,再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构,从而获得裸片,不会造成崩边或裂痕,使用此裸片进行其他实验时,可排除人为因素对裸片的影响,提高了实验准确性,具有优异的技术效果。
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“覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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