本发明提供一种
芯片失效分析样品的制备方法,包括步骤:1)提供一芯片,所述芯片具有一正面及一背面,且所述芯片包裹有封装膜塑;2)于所述芯片中定义目标层,对所述芯片的正面一侧进行研磨,去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片,直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距;3)于所述研磨面表面形成保护层;4)去除剩余的封装膜塑;5)采用抛光工艺去除所述保护层,并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数,研磨过程中芯片不会弯曲,而且,封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸,增加研磨时的方位可控性;后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜,然后进行抛光便可获得平坦的目标层。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)