本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法,包括以下步骤:分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号,直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常;获取失效的所述神经电极,并截取所述神经电极的尖端有效部位,用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位,并进行EDS元素分析;建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
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