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侵入式神经电极失效分析方法

661   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:31
本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法,包括以下步骤:分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号,直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常;获取失效的所述神经电极,并截取所述神经电极的尖端有效部位,用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位,并进行EDS元素分析;建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
声明:
“侵入式神经电极失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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