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半导体失效检测结构及其检测方法

659   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:31
本申请提供一种半导体失效检测结构及其检测方法,应用于半导体器件失效检测过程,半导体失效检测方法包括:在待检测晶圆预设范围内设置参考层;获取设置参考层对应待检测晶圆的晶圆图像;将晶圆图像与检测标准图像进行对比,根据参考层得到待检测晶圆中失效的位置信息及分析结果。本说明书实施例设置类似金属材料的参考层,该参考层为多个最小单元规则排布的参考块,尤其使参考块构成的参考层呈米型状或T型状排布,优化测试结构周边和上下层dummy结构的设计,在不影响各种不同功能的测试结构的基础上,不仅有助于形成更加清晰高对比度的测试结构图形影像,而且大大提升失效分析定位的准确性和物性失效分析的成功率和效率。
声明:
“半导体失效检测结构及其检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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