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本发明公开了一种仿真分析低压开关端盖振动冲击失效的方法，所述方法包括如下步骤：a)建立低压开关端盖的有限元模型；b)对步骤a)所建立的有限元模型施加连续瞬态载荷；c)分析求解低压开关端盖的内部应力大小及分布；d)根据分析结果，对低压开关端盖的结构进行优化。通过本发明方法能够得到低压开关端盖在受到连续瞬态冲击载荷下，其内部的应力及分布情况，从而为避免低压开关端盖在振动冲击情况下发生失效进行结构优化和设计提供依据；本发明应用性强，对低压开关的性能监测具有重要价值。
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本发明提供了一种失效分析样品的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一待分析样品，所述待分析样品的一截面设置有集成电路，所述集成电路中设有一凹槽，且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层；步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖；步骤S3、对所述待分析样品进行研磨，并对所述集成电路进行观测和分析。本发明以去除保护层时保证了良好的均匀性，样品的制备过程简单快速，且成本极低，该样品可以顺利地进行后续失效分析，同时提高了观测效率及准确率，为提高产品良率提供依据。
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一种互连结构失效分析样品的制作方法,包括:对样品横截面进行物理溅射工艺;通过电子显微镜对所述样品进行测试。本发明有利于失效分析对工艺参数的准确表征。
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本发明公开了一种用于低压断路器振动激励失效的力学分析方法，其包括如下步骤：a)建立低压断路器的力学特性模型，包括如下操作步骤：①对振动激励下的低压断路器进行力学分析；②对经过步骤①力学分析后的低压断路器进行数学建模；③对建立的低压断路器的数学模型确定边界条件；b)分析低压断路器在振动激励下的响应特性。本发明首次提供了一种用于低压断路器振动激励失效的力学分析方法，通过建立低压断路器的数学模型、研究振动激励与低压断路器之间的力学关系，从而可掌握振动激励对低压断路器力学性能的影响，进而统计在外部环境和自身内部振动激励的影响下低压断路器的失效特性，为变载荷下载运工具的可靠性测试提供理论依据。
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本申请提供了一种制备失效分析样品的方法。该方法包括：步骤S1.提供样品，该样品的待测表面分为第一表面区域和第二表面区域；步骤S2.利用油性物质将第一表面区域覆盖；步骤S3.在第二表面区域设置多个通孔，通孔延伸至样品的基底表面；步骤S4.在待测表面和通孔中设置金属；以及步骤S5.去除油性物质。本申请提供的方法通过在去除覆盖在第一表面区域的油性物质时同时去除附着在其上的金属，从而使第一表面区域的样品表面裸露；而第一表面区域在受到轰击时产生二次电子，与二次电子对应的正电荷被位于其周围的金属导出，由此产生的二次电子成像能够反映该处的原始表面形貌。
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本实用新型公开了一种用于SEM/FIB失效分析的样品座，包括定位圆柱、样品存放台和固定螺丝，所示定位圆柱设置在样品存放台底部，所述样品存放台上表面开设有至少四个样品槽，每个样品槽分别对应有固定螺丝，所述固定螺丝从样品存放台侧部分别伸入到各个样品槽内。本实用新型通能同时观测多个样品，提高物性失效分析的效率；可以把多个铜工艺样品尽快放入真空室内避免被氧化污染；避免多次置换样品，保持真空值提高分辨率；改进样品固定螺丝美观且容易控制力度，避免样品被夹碎。
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本申请公开了一种功率器件的失效分析方法，包括：去除集成有功率器件的晶圆的正面的第一金属层；通过失效点定位机台对正面失效区域进行定位后，对正面失效区域进行标记，得到正面失效标记；通过失效点定位机台在背面查找到正面失效标记，对背面失效区域进行定位，背面失效区域是正面失效区域在背面的对应区域；通过失效点定位机台对背面失效区域进行标记，得到背面失效标记；根据背面失效标记对背面失效区域进行失效分析。本申请实现了对晶圆的背面进行失效分析，提高了失效分析的准确度。
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本发明提供一种芯片失效的数据分类分析方法及其装置,其方法为:确定芯片尺寸和类型;确定芯片失效模式;对芯片进行扫描,将芯片中失效位的信息作为原始数据,存储在数据库中;将原始数据格式转换成统一的标准数据格式;对所述标准数据进行分析并分类;显示分类结果。与现有的技术相比,本发明提供的芯片失效的数据分类分析方法及其装置通过确定芯片尺寸和类型;确定芯片失效模式,然后采用一维聚类算法分别将横向和纵向的失效位统计出来,再将其合并,从而大大减少统计的运算量,提高系统的性能,从而能应用于分析具有大容量的存储产品。
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本发明公开了一种用于背面EMMI失效分析的装置，包括一PVC电路板、一信号输入输出底座；所述PVC电路板的中心设置有一透明的有机玻璃片，有机玻璃片的四周设置有多个金属引脚；PVC电路板的四个角分别设置有电路板金属衬垫；每个金属引脚分别通过金属线连接一跳线接口，每个跳线接口通过金属线分别与四个电路板金属衬垫连接；所述信号输入输出底座包括座体，座体的四个角分别设置有底座金属衬垫，底座金属衬垫的位置与所述电路板金属衬垫的位置相对应。本发明能够使背面EMMI失效分析更加简单、快速和可靠地定位到失效点，只需要花费几个小时的时间就可以完成原先需要几个工作日才能完成的失效缺陷的定位。本发明还公开了一种背面EMMI失效分析方法。
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本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，将所要测试的样品通过导电双面胶带黏贴在支撑盘上；步骤二，在支撑盘上黏贴单面隔离胶带，并使单面隔离胶带的两端接近被测样品；步骤三，在单面隔离胶带上设有多个电池，并在每两个电池之间设有垫片连接，之后在首端电池的顶面设有一单面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上，在末端电池的底面设有一双面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上；步骤四，利用引线将单面隔离胶带上的单面导电胶带与双面导电胶带远离电池的一端与被测样品的压点连接；步骤五，对被测样品进行测试。通过本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，能够有效地使操作检测方式变得简易，不需要操作者对其有很丰富的操作经验，使用操作成本低廉，同时能够灵活性的对测试样品进行测试。
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本发明公开一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其特征在于，包括有晶圆，在所述晶圆的前面寻找目标点，在接近所述晶圆的目标点以及所述晶圆的背面粘贴胶带，然后在所述胶带上粘贴传导带，并在所述目标点以及所述传导带上连接电线，最后在所述晶圆背面的传导带上使用探针进行探测。使用本发明一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，通过本发明能够得到一种好的背面失效定位的结果，而无需将晶圆切碎，有效地节约失效分析费用成本，同时，提高了质量。本发明有效地保证了晶圆的完整性，并且实现背面失效定位。
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本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。
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本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。
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本发明提供了一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，包括以下步骤：利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，以及使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；利用电子封装组装失效分析工具对之前步骤的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。本发明有以下优点：有效地对金属铝层进行剥离，同时保持了阻挡层的完整性；极大地加快了半导体功率器件失效点定位工作的速度和效率，同时保持了很高的精度。
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一种半导体器件失效分析样品的制作方法，本发明所提供的半导体器件失效分析样品的制作方法包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；去除晶片焊垫；去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。相应地，本发明还提供一种半导体器件失效分析方法。采用本发明所提供的半导体器件失效分析样品制作方法和分析方法可以有效提高实效分析的效率，并且在暴露晶片背面的时候能够避免对晶片造成损伤。
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本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括：提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N-2金属层、第N-1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N-1金属层、第N-2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N-1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N-1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N-1金属层上的氧化层至关注区域内的第N-1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N-1金属层完全去除。
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一种失效检测方法以及失效分析装置,用于检测导电体上的缺陷,所述失效检测方法包括:在待测导电体上设置至少两个输出端,且所述输出端电势位相等;依次向所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点输入恒定的检测电流;检测各输出端的输出电流;基于各检测点的位置信息以及各输出端的输出电流信息,建立输出端输出电流与检测点位置之间的对应关系;根据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明所提供的失效检测方法,能够精确进行缺陷定位;并且使用带电粒子束作为检测电流源以避免照射点的尺寸限制,满足了小尺寸失效分析的需求。
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本发明提供一种基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法，属于失效分析技术领域，包括：提供一具有承载平台的加热装置、一温度监测装置、一电压激励源以及一检测组件，将测试样品放置于承载平台上，并将电压激励源连接测试样品；通过加热装置将测试样品加热到预定温度，温度监测装置提供给测试者监测测试样品的实时温度，在实时温度到达预定温度时通过电压激励源向测试样品施加预定数值的电压激励，通过检测组件进行基于光发射显微分析技术的检测操作得到失效点的定位信息。本发明的有益效果：定位处于高温状态下的测试样品的漏电失效点，以找到失效原因，提升经济效益。
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为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题,本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法,包括:用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上,所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层;将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底;用碱性溶液浸泡所述晶片表面;对所述失效晶片进行观测,所述控制栅有损坏时,所述栅氧化层有缺陷;所述控制栅没有损坏时,所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。
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本申请实施例公开一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将主板的多个真实跌落姿态输入到训练完成的芯片失效分析模型；主板包括一个或多个测试芯片；通过芯片失效分析模型输出每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值，并根据每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值生成与每个真实跌落姿态对应的预测应力值数组；从主板中检测到一个或多个失效芯片时，根据每个失效芯片在多个真实跌落姿态分别对应的预测应力值数组中的预测应力值，确定出导致失效芯片失效的目标跌落姿态。实施本申请实施例，能够准确、高效地复现芯片的失效场景，从而实现对芯片的失效分析。
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本发明提供了一种光耦失效分析方法,该方法包括以下步骤:A、对失效光耦进行外观检查,查看是否有明显磨损、开裂等现象;B、对比失效光耦和良品光耦的电性测试图,分析可能的失效原因;C、对比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射图片,寻找可能的失效原因;D、对失效光耦进行机械开封和化学开封,对开封后的失效光耦进行扫描电子显微镜观察和能谱仪分析;E、综合分析,确定失效光耦的具体失效原因。本发明有如下优点:本发明方法借助有限的分析仪器,在短时间内快速找到光耦失效的原因。
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本发明涉及一种PCB板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对PCB板进行外观光学检查,判断其是否有污染或开裂现象;2)、对步骤1)中判断有污染或开裂现象的PCB板进行电性能检测,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的PCB板进行X-RAY射线检测,判断其上的焊接是否良好;4)、对步骤3)中判断有焊接异常的PCB板进行电子扫描显微镜观察;5)、对经过步骤4)处理的PCB板进行能谱分析。本发明所述的PCB板失效分析方法,其通过对PCB板进行外观光学检查、电性能检测、X-RAY射线检测以及电子扫描显微镜观察,可以有效、快速地检测出PCB板产生的失效现象。
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本发明为一种用于高铁装置油位计聚碳酸酯玻璃板失效原因的综合分析方法。具体步骤为：实地调查和了解玻璃板的工艺参数、运行工况；对失效的玻璃板进行外观检查；采用三维体视显微镜或扫描电镜对失效的玻璃板的断面和内外侧表面进行细致的观察和分析；采用表征方法对玻璃板表面清洗剂进行成分分析；采用表征方法对失效玻璃板的成分、性能进行分析；检查和检测玻璃板的尺寸与凹槽之间的尺寸关系；综合以上从宏观到微观、从现象到本质，确定玻璃板失效的根本原因。本发明通过对高铁齿轮箱油位计玻璃板进行系统的综合分析后，可以快速、准确地判断玻璃板失效的原因，进而采取针对性的预防措施。本方法对其他运输领域聚砜、聚醚砜等高性能玻璃板的安全使用也具有实用参考价值和指导意义。
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本发明涉及一种MIM电容器件失效分析方法，MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于上极板与下极板之间的绝缘层，硅衬底上还至少包括一位于MIM电容器件上方的金属层，上、下极板分别与金属层的第一、第二电路区电连接，该方法包括如下步骤：a)确定下极板有无接地，若没有，则执行步骤b)；否则，执行步骤d)；b)寻找与MIM电容器件层间距离最近的电源总线；其中，电源总线包括一接地引线；c)形成一连接下极板与电源总线的电路通路；d)通过电压衬度检测确定MIM电容器件的漏电区域。其在通过电压衬度检测MIM电容漏电区域时，不会漏过漏电程度较小的情况，便于观测、也更加可靠。
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本发明涉及一种电脑主机板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对电脑主机板进行外观光学检查,判断其是否有污染;2)、对步骤1)中判断有污染的电脑主机板进行电性隔离测试,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的电脑主机板进行SEM/EDS分析,判断其是否有导电性元素;4)、对步骤3)中判断有导电性元素的电脑主机板进行超声波清洗。本发明所述的电脑主机板失效分析方法,其通过对电脑主机板进行外观光学检查、电性隔离测试、SEM/EDS分析以及超声波清洗,可以有效、快速地检测出电脑主机板产生的失效现象。
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本发明公开了一种膜电极的失效分析装置，涉及膜电极检测领域，解决了现有的膜电极不方便进行失效分析，没有合适的装置能够单独对膜电极进行失效性分析的问题，现提出如下方案，其包括箱体、气管、气缸筒、把手、箱盖、膜电极槽、槽体、密封垫、上极板、上安装板、电动气缸，每个所述电动气缸的输出端与上安装板的下端面均固定连接有第一铰接座，且相邻的所述第一铰接座之间转动连接有第一转杆，所述箱体的下内壁固定安装有限位台，所述上极板的下方设置有下极板，所述下极板的下饭阵列安装有下安装板，每个所述下安装板的下端面与限位台之间均设置有调节机构。本装置具有方便对膜电极进行单独的失效分析检测，同时通用性好的特点。
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本发明公开了一种微光显微镜芯片失效分析方法,利用硬件描述语言开发芯片测试激励;用软件对芯片测试激励进行仿真,仿真正常后将芯片测试激励烧入FPGA基板;FPGA基板输出多个激励pattern输出到待分析芯片的多个引脚,使待分析芯片电路进入故障激发模式;通过微光显微镜捕捉亮点,最后对亮点进行电路分析和失效分析。本发明还公开了一种微光显微镜芯片失效分析系统。本发明的微光显微镜芯片失效分析方法及系统,能实现多通道复杂测试向量施加,实现微光显微镜芯片缺陷定位,降低了芯片失效分析成本并提高分析效率。
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本发明涉及一种零部件多失效模式相对风险定量分析的方法，分别建立高周疲劳性能预测模型、低周疲劳寿命预测模型、断裂寿命预测模型、蠕变寿命预测模型、失效风险分析模型，将待分析零部件数据根据结构特点输入对应的预测模型中进行识别，识别过程中离散变量数据分类存入数据库对应类别，失效风险分析模型中各个分析模块根据设定调用数据库中数据，结合预测模型识别结果对待分析零部件失效概率进行多维度分析。将概率分析模型与传统力学模型结合，将零部件结构在材料性能和几何外形等固有参数上呈现的数据离散性纳入考虑，得到的零部件失效分析不再是单一地给出“是”或“否”的二值判断，而是返回一个失效的累积概率分布函数，更符合实际工程应用的经验。
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