本发明提供了一种失效分析样品的制备方法,包括以下步骤:步骤S1、提供一待分析样品,所述待分析样品的一截面设置有集成电路,所述集成电路中设有一凹槽,且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层;步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖;步骤S3、对所述待分析样品进行研磨,并对所述集成电路进行观测和分析。本发明以去除保护层时保证了良好的均匀性,样品的制备过程简单快速,且成本极低,该样品可以顺利地进行后续失效分析,同时提高了观测效率及准确率,为提高产品良率提供依据。
声明:
“失效分析样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)