本发明涉及一种MIM电容器件失效分析方法,MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于上极板与下极板之间的绝缘层,硅衬底上还至少包括一位于MIM电容器件上方的金属层,上、下极板分别与金属层的第一、第二电路区电连接,该方法包括如下步骤:a)确定下极板有无接地,若没有,则执行步骤b);否则,执行步骤d);b)寻找与MIM电容器件层间距离最近的电源总线;其中,电源总线包括一接地引线;c)形成一连接下极板与电源总线的电路通路;d)通过电压衬度检测确定MIM电容器件的漏电区域。其在通过电压衬度检测MIM电容漏电区域时,不会漏过漏电程度较小的情况,便于观测、也更加可靠。
声明:
“MIM电容器件失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)