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本发明公开了一种集成电路的背面光学失效定位样品制备方法，包括：步骤1、对样品进行开、短路测试，使用测试仪ATE机台施加一个电流，来判断电压是否在正常的范围，确定开短路测试电压是在正常的范围后进行下一步分析；步骤2、使用手动研磨机台对失效样品的背面塑封材料进行研磨；步骤3、开封后使用超声波清洗器对器件进行清洗，将残留在芯片背面的残渣去掉，并选用常温恒温，进行8～15分钟超声清洗，得到干净的样品并自然干燥；步骤4、再次使用ATE(自动测试仪)测量样品的电学特性参数，确认样品的特性与制样前完全一致。本发明能大大提高无损开封的成功率及失效分析的速度。本发明还涉及该样品的失效分析方法。
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本发明公开了一种材料失效分析方法，其中，包括以下步骤：获取失效零件的失效背景；对失效零件进行外观检查，得到失效零件的失效信息；在材料失效分析数据库中查找与所述失效背景和/或所述失效信息匹配的材料失效数据，得到所述失效零件的预估失效原因；根据预估失效原因，对所述失效零件进行断口观察，得到所述失效零件的失效形式；采用材料分析法对所述失效零件与未失效零件进行对比分析，得到对比结果；根据所述失效形式和所述对比结果，确定所述失效零件的失效原因。利用本发明可提高材料失效分析人员的效率和水平。
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本发明提供一种单向阀失效检测装置，包括：密封的储液罐，在储液罐内容纳有部分液体，液体从储液罐的外部是可见的；检测管路，检测管路的一端与待检测的单向阀的测试端口相连通，检测管路的与所述一端相对的另一端被在放置于储液罐内的液体中；负压源，其设置成与位于储液罐中的气体相连通，以向储液罐提供负压；单向阀失效检测装置能通过待检测的单向阀的经由检测管路在储液罐的液体中给出的视觉指示来确定待检测的单向阀的失效。借助检测装置，只需观察储液罐的液体中给出的视觉指示来判断单向阀是否失效即可，其结构简单、对压力计和管路真空度的要求更低、观察更方便直观，整个检测时间短。本发明还提供一种用于检测单向阀失效的方法。
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一种在集成电路芯片失效分析过程中去除层次的方法，用于暴露具有多层结构的集成电路芯片的至少一预设目标层，其中，目标层中包含需检测的目标样品，其包括如下步骤：采用截面研磨的方式，选取集成电路芯片的一个截面作为被研磨截面，将被研磨截面研磨至最终停止截面；将被研磨出截面的芯片样品，放入聚焦离子束装置的工艺腔中，并将研磨出的截面与聚焦离子束发射方向相对设置，以使预设的目标层与聚焦离子束发射方向相平行；使用聚焦离子束，从集成电路芯片的表面层开始去除预设目标层之上的各层次；通过对聚焦离子束中的电子束的检测，选择停留在预设目标层表面。因此，本发明获得很好的层次去除效果。
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本发明为一种铜基针型散热器化镀件异常失效的综合分析方法。具体为：了解化镀件基材的性质、表面处理工艺以及化镀工艺；了解化镀件的运行工况；对失效的铜基针型散热器化镀件进行外观检查；采用显微镜等对失效的铜基针型散热器化镀件进行更细致的观察；对失效的铜基针型散热器化镀件的基材及化镀层的成分与性能进行表征分析；对同种工艺制作的铜基板表面质量进行分析；对冷却液等介质进行成分分析；综合以上的分析步骤，确定铜基针型散热器化镀件异常失效的根本原因。本发明可准确且迅速地判断出铜基针型散热器化镀件失效的原因，进而采取有效的改进措施。本方法对电子元件、机械加工、医疗器械等其他领域化镀件的失效预防也具有重要的参考价值。
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本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供一良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片分别放置在一导电底座上并用锡焊固定；分别在良品硅片和待测样品硅片上选定一测试图形；进行测试条件设置；采用单针分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行认证测试；对良品硅片和待测样品硅片的测试数据进行比较并判断待测样品硅片的掺杂是否失效。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，能大大减少测试图形尺寸、实现小尺寸图形的掺杂失效分析，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。
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一种在半导体器件中进行失效分析的方法,包括:提供待测的半导体器件,所述半导体器件包括晶片和封装覆层;在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口;在暴露的晶片正面进行失效分析;填充所述开口;在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比,本发明采用先在晶片正面开口,后在晶片背面研磨的方法,实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析,提高了失效分析的准确性,增强了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。
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本发明提供了一种人工耳蜗植入体的失效分析方法。该人工耳蜗植入体失效分析方法包括：ID遥测、阻抗遥测、顺应性测试及刺激输出的测试。本发明提供的人工耳蜗植入体的失效分析方法，旨在解决现有人工耳蜗耳蜗植入体失效分析方法的失效原因定位难、定位不准的问题，有效提升人工耳蜗植入体产品量产的合格率。
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本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。
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一种半导体失效分析结构及其形成方法、检测失效时间的方法，其中所述半导体失效分析结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有待测区、第一串联区和第二串联区；位于所述半导体衬底的待测金属层、第一金属层和第二金属层；位于层间介质层内的第一导电插塞使第一金属层、第二金属层和待测金属层串联；位于所述第一串联区的若干第一电阻金属层；位于所述第二串联区的若干第二电阻金属层；位于第一串联区层间介质层内的若干第二导电插塞；位于第二串联区层间介质层内的若干第三导电插塞；所述第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞将所述待测金属层、第一金属层、第二金属层、若干第一电阻金属层和若干第二电阻金属层依次串联。
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本发明提供了一种静态存储器的在线失效分析方法和在线电子束检测设备，包括：将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中；将晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中；利用在线电子束检测设备对接触孔进行扫描并获得静态存储器中接触孔的图像信息；根据接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔；根据产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的探针；在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的产生缺陷的接触孔相接触，并进行电性能检测；根据产生缺陷的接触孔在静态存储器单元中的功能，在线电子束检测设备将探针进行组合来检测功能并进行失效分析；检测到功能失效，则产生缺陷的接触孔是导致静态存储器失效的原因。
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本发明公开了一种覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法，所述制备方法包括：提供待测的覆晶芯片，包括封装基底与制备于封装基底上的裸片，裸片的外部覆盖有塑封体，裸片与封装基底之间连接有金凸块，封装基底的底部焊接有锡球；研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背；将裸片的背面结合到一玻璃基板上，玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效分析检测样品的制备方法，通过研磨掉裸片的背面的塑封体，再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析，不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片，从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。
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本发明属于电子产品失效分析领域。本发明提供了一种汽车车窗开关失效的检测分析方法，包括以下步骤：A、对失效的汽车车窗开关样品进行失效定位，通过外观检查和电学测试，寻找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析与排查失效原因：对步骤B中的可能原因依次进行验证，以确定出具体的车窗开关失效原因；D、模拟重现失效现象，验证失效机理。本发明方法步骤简单清晰，能有效找出电子产品失效的多种原因；本发明方法中使用了“穷举法”使得引起电子产品失效的原因尽可能多地被查找出来；本发明方法中通过模拟重现失效现象以提高失效原因的真实性和可靠性，极大地减少了分析出错。
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一种用于半导体器件失效分析的检测方法,包括:利用聚焦离子束,对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削,以改变源/漏区的表面性状;利用腐蚀处理溶液,对所述半导体器件的剖面进行腐蚀,以显露出源/漏区的结剖面形貌;利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料,观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合,获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌,提供判断器件是否失效的依据。
本发明提供一种针对待测芯片设计专用载板、测试设备、芯片电性失效分析的方法，所述方法包括：针对待测芯片设计专用载板，所述载板包括位于待测芯片容纳区域的焊盘阵列、用于与测试机台进行信号传输的针脚阵列，以及连接所述针脚阵列和焊盘阵列的金属连线；将待测芯片采用SMT技术贴装于所述载板上。本发明提供的芯片电性失效分析的方法和用于芯片电性失效分析的专用载板以及测试设备能够方便快捷的完成硬件准备，且能够容易的实现大管脚数目芯片测试的芯片失效分析。
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本发明提供了一种测试结构，包括蛇形金属线和两个相对交错设置的测试梳状结构，每个测试梳状结构分成至少两个子梳状结构，且每个所述测试梳状结构中的相邻两个所述子梳状结构之间具有间隔，且每个所述测试梳状结构中的至少一个所述间隔处的所述蛇形金属线的至少一个拐弯部位上引出有焊盘。即通过上述方法将所述测试结构分成了若干个小面积的测试结构，能够解决EBIRCH不能定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点的问题；同时结合电阻比例法，以使得EBIRCH能轻易定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点，从而找到失效的根本原因，对解决工艺问题以及促进研发进度能有很大的帮助。
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本发明公开了一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法。本发明通过拆分特性测试的失效结构生成多个虚拟缺陷,并合成检测缺陷结果的方法,实现了自动自动扫描电子显微镜对失效位置的寻找确认和分析。本发明可以避免对硅片的破坏性分析,提高分析效率和成功率,同时实现对检测程序的实时反馈,提高程序优化的效率和准确率。本发明适用于半导体工艺中BEOL测试芯片在线失效分析方法。
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本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。
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本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法,所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件,以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件,避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图偏差,达到准确定位栅氧化层的失效位置的目的。
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本发明提供一种失效分析结构的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一导电插塞及第二金属层，所述第二金属层通过第一导电插塞与第一金属层依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层通过第二导电插塞与第二金属层相连。本发明还提供一种失效分析结构及其失效分析方法。本发明失效分析结构和失效分析方法仅需要暴露出测试金属层，不会损害第二金属层，提高失效分析结果的准确性。
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本申请公开了一种芯片的地址测试方法及芯片的失效分析方法。该芯片包括沿字线和位线的方向排列的多个比特位，该方法包括：对芯片中的部分比特位进行标记以形成标记点，并获得标记点的电性地址和物理地址；对芯片进行失效测试以获得芯片中双比特位失效点的电性地址，双比特位失效点由在字线或位线的方向上相连的两个失效的比特位组成，并将双比特位失效点中两个比特位的电性地址的差值的绝对值作为双比特位失效点的电性地址差值；根据双比特位失效点的电性地址差值获取芯片中各比特位的电性地址的排列范围；将芯片中各比特位的电性地址的排列范围与标记点的电性地址进行对照。该方法能够准确分析出芯片中物理地址和电性地址的对应关系。
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本发明提供了一种带失效分析标尺的电迁移测试结构，包括测试金属线、测试金属通孔、金属引线、金属线标尺及测试金属垫，所述测试金属线的端部通过所述测试金属通孔与所述金属引线的一端连接，所述金属引线的另一端与所述测试金属垫连接，所述金属线标尺形成于一至少一层金属层上，并用于定位所述测试金属通孔的至少一个目标截面。通过设计定位所述测试金属通孔不同目标截面位置的金属线标尺，实现电迁移结构失效分析切片位置的精准定位。特别是在多样品分析比较时，能够锁定每个样品的切片截面位置，通过比较各金属通孔相同横截面位置的形貌差异，为不同样品工艺差异分析提供证据，从而保证电迁移结构失效分析数据的准确性和可比性。
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本发明提供了一种电性失效分析的测试方法，包括：提供电性失效分析中各测试项的测试项函数；根据电性失效分析的测试需求，确定电性失效分析的测试项，基于测试项形成测试项关联数据，测试项关联数据与对应的测试项函数关联；提供对应测试需求的测试文件，测试文件包括关联于测试项的测试项关联数据及对应的测试参数；运行测试文件，获取测试结果；根据测试结果和测试需求，在需修改测试文件时，调整所述测试参数。本发明还提供了一种电性失效分析的测试装置。本发明提供的技术方案无需了解测试程序即可修改测试参数并且无需反复加载和编译测试程序即可灵活改变测试流。
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本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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本发明公开了一种测试结构失效分析方法，第一次是通过测试垫进行电性测量缩小分析范围，第二次是通过衬垫及VC分析进一步缩小分析范围，再将缩小范围后的样品去层处理到需要观察的层次，就可以用VC观测到测试结构断点位置。采用本发明能够提高失效分析的成功率。
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本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+(m‑1)个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结构连接到外围电路的引线端引到样品表面，提高研磨效率和研磨成功率，从而满足最初始的电性分析，提高失效分析成功率和分析效率。
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本发明提出一种存储单元失效分析的测试方法,包括:定义内存区域,所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应;对存储单元进行可调数值范围内的加压,测量得到各存储单元的阈值电压,并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置,直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到;读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息,生成数据文件;对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息,同时能计算出整个存储芯片阈值电压分布的信息。本发明能很精确地进行阈值电压失效点的定位,提高了测试效率。
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本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记，包括：提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记；将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况，节省了操作时间，可靠性高，并且在SEM中能够达到30nm的精度，能够满足实际需求。
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本发明公开了一种应力环失效测试结构，包括：多个金属层以及连接在各金属层之间的过孔组成的链状结构，所述链状结构环绕应力环相邻布置，所述链状结构两端形成有焊盘，所述链状结构两端焊盘其中一端焊盘接地，另一端焊盘空接。本发明还公开了一种利用所述应力环失效测试结构的应力环失效定位分析方法。本发明能通过电压衬度对比的方法定位应力环周围测试结构的断点位置，通过测试结构的断点位置判断应力环切片过程中所受应力损伤的方向，进一步指出应力环发生应力失效的位置，提高了FA失效分析的效率；并且，本发明提供的应力环失效测试结构相邻应力环对内部芯片也可起到二次保护作用。
本发明提供了一种基于失效模式分析的卫星星载制导与导航软件的设计和测试方法，该测试方法包括如下步骤：S1：自n个所述第二终端获得其失效情况的反馈；若所述第一终端的数据库中未记录该失效情况对应的失效类别条目，则进入步骤S2；S2：将得到的失效类别条目归类到数据库中的失效模式类别中，并得到每个失效情况对应的失效类别条目；S3：重复步骤S1至S2，且在重复的过程中，同时进入步骤S4；S4：根据所需测试的软件的需求，索引当前数据库中相应的失效模式类别，参考该失效模式类别下失效类别条目中记载的信息设计测试用例，对卫星星载制导与导航软件在终端的运行进行测试。
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