本发明揭示了一种
芯片失效分析方法及芯片失效分析标记,包括:提供待测芯片,在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记;将所述待测芯片放置于FIB中,利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜,从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况,节省了操作时间,可靠性高,并且在SEM中能够达到30nm的精度,能够满足实际需求。
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