合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 芯片失效分析方法及芯片失效分析标记

芯片失效分析方法及芯片失效分析标记

1104   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:29
本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记,包括:提供待测芯片,在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记;将所述待测芯片放置于FIB中,利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜,从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况,节省了操作时间,可靠性高,并且在SEM中能够达到30nm的精度,能够满足实际需求。
声明:
“芯片失效分析方法及芯片失效分析标记” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记