本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装
芯片失效分析方法,管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层,失效分析方法包括:从管芯的背面,即衬底所在面,对管芯中的缺陷进行热点定位;从管芯的背面,去除衬底以暴露目标线路;以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料,失效分析方法包括:对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯;若存在未进行失效分析的故障管芯,则重复执行失效分析步骤;失效分析步骤包括:去除引线框、封装料的一部分和/或管芯,直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底;采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
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