本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法,所述用于失效分析的样品的处理方法包括:在晶圆上获取待分析的
芯片样品;将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面;在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率,使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低,并且缩短了分析周期,加快了找到芯片失效关键原因的速度。
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