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栅氧化层失效分析方法及所用测试结构

651   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:29
本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法,所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件,以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件,避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图偏差,达到准确定位栅氧化层的失效位置的目的。
声明:
“栅氧化层失效分析方法及所用测试结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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