本申请提供了一种失效点的定位方法及
芯片的失效分析方法。其中,芯片包括衬底和位于衬底的器件,该定位方法包括:对芯片的背面进行减薄处理至接近器件;对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击,以使得离子束穿过器件;以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描,以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击,以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域,从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时,待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉,减少了表面电荷对器件表面电势的影响,进而能够精确地获得器件中失效点的位置。
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