贵州贵阳有色金属冶金技术理论与应用

铝电解槽排烟支管的自控蝶阀 533     

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本技术在于提供一种铝电解槽排烟支管的自控蝶阀，一方面可实现排烟管网排烟的自动平衡，提高电解槽集气效率，另一方面减少现场调试的难度，还可以降低阀门的投资和维护成本，且采购成本与原阀门差距不大。一种铝电解槽排烟支管的自控蝶阀除具备简单可靠的外形还开发出一套用于精确计算阀板的计算软件。

铝电解短路母线拆装机构 714     

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本发明公开了一种铝电解短路母线拆装机构，包括长方框结构的升降小车(1)，该升降小车(1)上设有一个升降架(15)，该升降架(15)顶部支撑起一个长方框结构的支撑平台(14)，在该支撑平台(14)中部并排固定有两根铰轴(8)，在每根铰轴(8)上各铰接连接一根方管(9)，该方管(9)能够绕该铰轴(8)转动；每根方管(9)的顶端设有伸缩杆(3)，伸缩杆(3)上连接夹具(2)；在支撑平台(14)上还设有一个移动平台(6)，移动平台(6)底部设有导向装置(4)。本发明的系列短路母线拆装机构，能够快速高效、安全可靠的进行短路母线的安装与拆除，且操作十分方便，值得推广。

片式钽电解电容器测试夹具 837     

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本发明涉及钽电解电容器技术领域，且公开了一种片式钽电解电容器测试夹具，包括上模板、中模板、下模板、负极压针、绝缘底座、正极压针、电路板、液压油缸、压针定位板和正极压针面板，中模板的下表面开设有多个缓冲槽，负极压针与缓冲槽的槽壁滑动连接，负极压针的上端固定连接有伸缩杆，伸缩杆的上端固定连接有第一活塞，第一活塞与负极压针之间固定连接有同一根压缩弹簧，压缩弹簧活动套设于伸缩杆的杆壁，缓冲槽的槽壁对称开设有两个滑动槽，滑动槽内滑动连接有第二活塞。该片式钽电解电容器测试夹具，能够对负极压针进行多级缓冲，避免负极压针对电路板造成损伤，有效的降低了导柱与导向套的磨损，提高了夹具的使用寿命。

铝电解废内衬及铝灰处置装置和方法与流程 1438     

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本发明属于铝电解技术领域，涉及一种铝电解废内衬及铝灰处置装置和方法。背景技术1.电解槽大修渣与废内衬现在运行的电解槽寿命平均为2000~2600天,其后，电解槽需进行大修后才能重新开始电解生产。由于在铝电解生产过程中需加入氟化盐，吨铝电解生产约需加入氟化盐20~35kg，一部分氟化物以气态形式进入大气，另一部分残留于电解槽内衬中，含氟物占废内衬的36%左右，其中，每吨大修渣中的可溶性氟达到16.4~56kg。因此，电解槽大修渣经水浸出后氟化物的浓度非常高，且呈高碱性，这种废渣对环境有很大的危害，

两步碱溶法生产化学品氧化铝的方法与流程 1356     

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.本发明属于矿产资源高效利用技术领域，具体公开了一种两步碱溶法生产化学品氧化铝的方法。背景技术.目前，生产氧化铝的工艺方法主要包括拜耳法、烧结法、联合法以及串联法等。拜耳法主要是将铝土矿与氢氧化钠湿法磨粉，低温溶出氧化铝，其缺陷是氧化铝的收率低(％左右)；烧结法是将铝土矿加碳酸钠、石灰石及煤等进行球磨，制浆，经回转窑喷浆、烧结，制得氧化铝熟料，其氧化铝的收率可达到％～％；而联合法、串联法是将上述两种方法的结合或者选择性的使用，其氧化铝的收率可达到％～％。上述各种方法，只追

铝电解残极电解质清理系统的制作方法 534     

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.本实用新型涉及一种铝电解残极电解质清理系统，属于铝电解技术领域。背景技术.铝电解组装车间残极清理流程中需要先对残极上附带的电解质进行清理，再将残极从阳极钢爪上压脱掉。清理的电解质经过一定工艺处理后可以回收再利用，残极可以直接销售。.现阶段，铝电解组装车间残极电解质清理流程主要有大块电解质清理、甩链清理和抛丸清理三个清理站。残极上大块的电解质在大块电解质清理站被振松后脱落，附着在表面的电解质在甩链清理站进行清理，还有渗透在残极底面和上表面颗粒孔隙中的电解质必须经过抛丸清理站才能清理干净。实

氢氧化镍及其制备方法与流程 1321     

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.本申请涉及湿法冶金技术领域，尤其涉及一种氢氧化镍及其制备方法。背景技术.随着硫化镍矿资源日趋枯竭，高效开发占全球镍资源％的红土镍矿日益迫切。红土镍矿的湿法冶炼普遍采用硫酸浸出，将ni、co、mn、al、mg等金属提取至溶液中，再经过一系列除杂工艺得到初步净化的硫酸镍溶液；目前针对硫酸镍溶液中镍回收普遍采用氢氧化钠进行沉淀，但氢氧化钠碱度过高，在实际生产中容易造成沉淀槽中过碱现象，大部分杂质一并沉淀带入产品中，降低氢氧化镍中镍的主含量，同时存在沉淀物粒径小、过滤困难的缺点。.现有技术中

圆形封装形式的固体继电器 842     

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本实用新型公开了一种圆形封装形式的固体继电器，包括继电器部分和罩壳，所述继电器部分包括底座，底座上设置有厚输出功率组件厚膜基板，输出功率组件厚膜基板通过焊接柱与输入功率组件PCB板连接，罩壳与继电器部分的底座连接，输出功率组件厚膜基板上设置的光伏二极管阵列中心距为3.5～5.5mm，输入功率组件PCB板反面上设置的发光二极管中心距为3.5～5.5mm，输出功率组件厚膜基板上设置的导体区域宽度为0.45～0.65mm。该圆形封装形式的固体继电器，具有体积小，接收光效率高、装配合格率高、装配效率高、负载电流大和功耗小的优点，实现了大电压输入，大电压、大电流输出的目标。

新型TiC钢结硬质合金及其制备方法 840     

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本发明公开了一种新型TiC钢结硬质合金，其中，新型TiC钢结硬质合金，其包括如下成分：TiC、Cr₃C₂、Mo₂C、Fe、C。本发明提供了一种新型TiC钢结硬质合金，制得的合金在结构上较为紧密，具备良好的硬度。

低功耗超快恢复整流二极管的制造方法 717     

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本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的。

高可靠合金型玻璃钝化二极管及其制作工艺 951     

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本发明提供的一种高可靠合金型玻璃钝化二极管及其制作工艺，包括管芯，管芯的两面均通过蒸铝层和钼电极与铜引线连接，所述管芯、蒸铝层、钼电极、保护环封装在玻璃外壳内，所述管芯的边缘制作有保护环。本发明在管芯边缘形成高压扩散PN结环内部嵌套低压合金结的结构，使得产品加上反偏电压时，首先在中间合金PN结处发生击穿，这样的结构可以避免合金PN结边缘的电场集中，降低了边缘电场强度，可以有效降低产品在常温及高温时的反向漏电流，提升产品的合格率及可靠性。

高压快恢复整流二极管的制作方法 794     

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本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。

提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 1116     

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本发明属电子元器技术领域，尤其涉及提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。本发明提供的方法，能在钽阳极表面能形成厚度均匀、致密度高的二氧化锰层，消除钽阳极加工过程中出现的应力集中和局域薄弱现象。本发明所制的钽阳极能提高片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐应力能力强、可靠性高的片式固体电解质钽电容产品，扩大了电容器的应用范围。

高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法 910     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器 788     

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本发明公开了钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器，涉及电容器的阴极电解质制备技术领域。制备方法，包括：采用浆料包覆法在第一中间体的表面进行至少一次浆料包覆，得到第二中间体，浆料包覆法为：在被包覆物表面包覆含有β‑MnO₂粉末的硝酸锰浆料，然后干燥；将得到的第二中间体通过热分解使其中所含的硝酸锰分解为二氧化锰得到第三中间体；第一中间体为表面覆盖有介质氧化层且微孔被二氧化锰填满的多孔钽烧结体；在第三中间体的表面再次包覆二氧化锰，以填满第二中间体表面β‑MnO₂微粒间的间隙。用电器，包括上述的钽电容器。该方法可减小被覆过程中对介质氧化膜的破坏，使电容器漏电稳定性好。

新型固体电解电容器及其制造方法 784     

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一种新型固体电解电容器及其制造方法,涉及一种电器元件、经六个工艺步骤制造出一种具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备高频化的要求的固体电解电容器,其中关键步骤4为阴极电解质层的制造方法,所述的阴极电解质层具有导电性高分子复合层,该导电性高分子复合层是由无机二氧化锰电解质层4B或化学聚合的导电性高分子层4B与电解聚合的导电性高分子聚合物4C层复合而成,并且采用底面电极引出的形式对电容器元件进行封装。

降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺 1157     

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本发明公开了一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺，该工艺步骤主要包括阳极芯块和介质膜的加工、阴极半导体的加工、阴极过渡层的加工及阴极引出层的加工；该工艺将形成介电层的阳极芯块浸渍、脱水、热分解低浓度和高浓度硝酸锰溶液，通过在阴极半导体层与阴极引出层间增加一层过渡层，消除了层间接触电阻，使电容器的等效串联电阻减小20％以上；该工艺由于在热分解硝酸锰溶液之前采用了脱水工艺，提高了二氧化锰对阳极芯块内部的填充率，而且取消了低浓度与高浓度硝酸锰的交替浸渍、热分解，使工艺操作更简单、效率更高，适合于工业化大批量生产。

铌电容器介质膜强化方法 818     

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本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。

骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法 768     

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本发明涉及医疗机械技术领域，且公开了骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合搅拌，得到第一混合物。该骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料由首先采用镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合制备的预制体，再对预制体进行多次处于，分别进行防腐蚀阻挡处理和构建氧化钛梯度层处理，最终制备获得耐腐蚀、使用寿命长、可有助于人体骨组织生产以及恢复的骨缺损植入器械梯度多孔材料，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法不仅工艺简单、易操作，而且还绿色环保，不会对环境产生污染和危害，可满足企业的生产要求，适合推广。

铌电容器阴极制备方法 997     

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本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。

高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法 922     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法 855     

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本发明一种降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法，涉及电解电容器辅助阴极层制备技术，是将氧化铌电容器阳极芯块按传统工艺完成阴极电解质二氧化锰层加工后得到的阴极电解质的阳极块经碳层制备和制备导电引出层后再按现工艺完成电容器的后面工序。由于本发明碳层的制备采用浸渍两次石墨水液，并在两次浸渍之间浸渍一次表面活化剂，完成碳层制备的阴极电解质阳极块又经导电浆料的处理，使碳层与阴极电解质层、导电引出层间的结合更紧密，有效的抑制了铌电容器在温度升高时的电容量增加。

改善烧结钽块内部孔隙度的方法 1064     

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本发明提供了一种改善烧结钽块内部孔隙度的方法，包括以下步骤：称量钽粉‑混粉‑自动成型‑脱樟‑烧结‑测试孔隙度。本发明了有益效果在于：通过对比不同粘合剂对烧结后钽块孔隙度的影响，根据不同粘合剂脱除后留下的孔隙大小、形貌、比例的区别，选出最合适的粘合剂及最佳添加比例来改善钽块的孔隙度，有助于更为深入的了解阳极钽块内孔隙的基本结构，此外，钽块内部合适的孔隙度可以提高后续阴极二氧化锰的被覆率，从而使电容量得到更大程度引出，其操作简单，效率高，无需复杂设备，投入成本低，对完善被膜工艺及容量引出改善效果明显。

具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法 1043     

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本发明公开了具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法，包含烧结、形成介质氧化膜、制作表面为导电高分子π-共轭聚合物层的阳极块、涂敷石墨层和银浆层、通过模压封装的步骤形成最终产品。本发明的有益效果是：通过具有交联结构聚阴离子基团的偶联剂在乙醇溶液中通过有机磺酸的作用，在100～150℃下一方面导电聚合物单体发生聚合反应形成透明及具有很高弹性的聚合物膜层，另一方面聚阴离子基团有机磺酸的作用下形成交联的骨架，从而生成具很高柔性的高分子导电复合物，在很大程度上缓解电解电容器制作过程中因模压树封时环氧树脂热收缩产生的热应力，大大降低了电容器的ESR，提高了电容器性能的稳定性。

高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法 1024     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法 1123     

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本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。

钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法 959     

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一种钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法，涉及电解电容器领域。所述成型方法是将纳米级粒径的钽粉置于设定形状和大小的容器内，采取分段等静压成型工艺，按压力从小到大、再从大到小的顺序分为若干段，在设定的条件下通过液体对置于容器内的预成型体施加各向均匀的压力，进行阳极钽块等静压成型，再进行高温烧结成型。解决了现有钽电解电容器阳极钽块烧结成型后容易变形、绝缘可靠性差、坯体密度不均匀的问题，以获得具有一定形状、密度、内部均匀的钽粉成型素坯。烧结后的压坯收缩形变量小，尺寸精度和表面光洁度均优于传统液压机干压成型工艺，为后续的装配工艺和规模化批量生产带来便捷，并有利于提升电容器的电参数、质量一致性和可靠性。

高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法 1149     

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本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺，最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的反向性能，提升产品的可靠性；采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用，产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当，提高了产品的抗温度冲击能力；产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结，实现了表贴封装结构。

微型玻璃钝化封装整流二极管 707     

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本发明公开了一种微型玻璃钝化封装整流二极管，包括管芯、电极、引线和玻璃封装外壳。所述管芯为单晶硅制成的PN结，其P面和N面分别依次与电极和引线连接。所述管芯与电极通过金属薄膜层熔焊键合在一起，所述电极和引线通过铜焊片熔融焊接在一起。将玻璃钝化封装的整流二极管的外部直径做到1个毫米以下，实现了整流二极管的微型化；同时，玻璃钝化封装与塑料封装相比，二极管的高温反向漏电流更小、工作温度范围更宽、可靠性更高。

超低等效串联电阻的固体电解电容器及其制造方法 876     

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本发明涉及一种以固体导电高分子聚合物为电解质,以钽、铌、钛、铝等阀金属为阳极的固体电解电容器及其制备方法,本发明对阳极设计、赋能、化学氧化原位聚合、浸涂石墨银浆以及制作底面引出电极等工艺进行了充分的阐释,采用本发明的技术方案,能够使高分子聚合物层、石墨层、银浆层之间紧密结合,制造的电解电容器具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备频化的要求。