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高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法

942   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:01:01
本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法,采用钼或钨作为电极引线,管芯采用铝作为焊料,芯片采用深结扩散工艺,台面造型为正斜角造型,该芯片结构降低表面电场,同时在进行玻璃钝化封装前,采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护,然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型;本发明芯片成正斜角,降低了器件的表面电场,提高了芯片表面的稳定性;在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面,减少了界面电荷的影响,使器件具有良好的雪崩击穿性能,提升产品的可靠性;由于钝化层较厚,同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
声明:
“高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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