本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法,采用钼或钨作为电极引线,管芯采用铝作为焊料,
芯片采用深结扩散工艺,台面造型为正斜角造型,该芯片结构降低表面电场,同时在进行玻璃钝化封装前,采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护,然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型;本发明芯片成正斜角,降低了器件的表面电场,提高了芯片表面的稳定性;在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面,减少了界面电荷的影响,使器件具有良好的雪崩击穿性能,提升产品的可靠性;由于钝化层较厚,同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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