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低功耗超快恢复整流二极管的制造方法

721   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:21
本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法,采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合,再将形成PN结的硅片进行减薄,可间接减薄二极管芯片厚度,有效地降低二极管器件的正向压降,达到器件低功耗高频率的目的。
声明:
“低功耗超快恢复整流二极管的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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