本发明一种铌电容器介质膜强化方法,属电子元件制作技术领域,是将现有工艺
电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理,其处理方法是将阳极块在250℃~400℃的烘箱中干烘10~30min,再在0.1%~1%v/v、60℃~90℃的硝酸水溶液的电解槽中,以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后,明显降低了阳极块的漏电流值,介质膜的晶粒更小,膜层更致密。
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