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降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺

1149   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:02
本发明公开了一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺,该工艺步骤主要包括阳极芯块和介质膜的加工、阴极半导体的加工、阴极过渡层的加工及阴极引出层的加工;该工艺将形成介电层的阳极芯块浸渍、脱水、热分解低浓度和高浓度硝酸锰溶液,通过在阴极半导体层与阴极引出层间增加一层过渡层,消除了层间接触电阻,使电容器的等效串联电阻减小20%以上;该工艺由于在热分解硝酸锰溶液之前采用了脱水工艺,提高了二氧化锰对阳极芯块内部的填充率,而且取消了低浓度与高浓度硝酸锰的交替浸渍、热分解,使工艺操作更简单、效率更高,适合于工业化大批量生产。
声明:
“降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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