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本发明公开了一种用于多晶硅层的失效点定位的方法，包括：提供样品；将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层；对所述样品的表面进行清洁处理；利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位。本发明由于保留了一定厚度的多晶硅层上的层间介质层，所以避免了对多晶硅层的损伤；由于采用了超声波震荡方法在离子水中对样品表面进行清洁，所以避免了清洁过程中对样品表面的损伤；由于采用了较大的一次电子束的加速电压进行电势对比观测，所以能够快速的定位多晶硅层的失效点。本发明的方法适用于大尺寸多晶硅阵列的失效点定位，可快速地在扫描结果中准确地找到失效点的位置，节省了芯片失效分析的时间，提高了分析效率。
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本发明公开了应用于FPGA的失效定位方法。该方法通过根据被测芯片的底层物理网表和原始代码，确定用于失效分析的代码块范围；对所述代码块范围对应的底层电路进行二次布线操作，将所述底层电路的多个fabric电路的中间节点数据引出到芯片外；根据所述中间节点数据分析所述底层物理网表，生成以代码块为单位的多套测试集，每套测试集包括多个测试pattern；根据所述多个测试集对被测芯片进行实测，并收集失效信息；根据所述失效信息，定位至芯片失效的物理位置。本发明技术方案通过保留原始物理网表和复现失效，实现了缩小失效范围和精确定位失效位置。
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本发明提供了一种SRAM失效在线测试方法，包括：获取晶圆图像，图像包括多个SRAM的图形；对图像进行处理，获取SRAM图形的特征值；通过特征值提取相邻图形之间的最小距离；若最小距离小于阈值，则判断SRAM已失效。在本发明提供的SRAM失效在线测试方法中，通过获取SRAM的图形，对SRAM图形的处理提取SRAM图形的特征值，根据特征值判断相邻的SRAM图形的间距，从而判断相邻的SRAM图形是否有短路连接。本发明实施例提供的SRAM失效在线测试方法可以在线判断SRAM是否短路，实时识别晶圆是否出现不良，减少晶圆不良品的判断的时间，提高工作效率，提升晶圆的良率。
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本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，包括：提供管芯，所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成字线层，所述字线层的厚度H0＝H1+ΔH，其中，H1为制程设定的需要形成的字线层厚度，ΔH为制程监控测试中量测出的字线层厚度H2与实际的字线层厚度H3的差值。本发明所提供的分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，通过数据分析分析出制程监控测试中量测的字线层厚度与实际字线层厚度之间的差值，让字线层在形成时，补偿这一差值，使字线层的厚度达到所需要的要求，从而避免分栅快闪存储器由于字线层厚度过薄而出现编程串扰失效。
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本发明提供一种链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法，包括：提供一链式通孔结构初始样品，所述链式通孔结构初始样品包括第二铜金属层，钽层，形成于通孔中且位于所述钽层上的铜插塞；对所述链式通孔结构初始样品进行研磨，直至暴露所述第二铜金属层；采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞，形成链式通孔结构测试样品。本发明采用湿法刻蚀工艺去除第二铜金属层中的铜和铜插塞，留下钽层，避免了金属铜的短路现象，又因为钽层中含有金属钽满足聚焦离子束显微镜的使用要求，从而对链式通孔结构失效位置定位。
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本发明提供了一种半导体器件高阻失效的测试方法，包括：提供测试样品及其设计版图，将所述测试样品中可能存在高阻的路径设置为待测路径；根据所述设计版图找到所述待测路径的两个端点，并将所述待测路径接入一测试电路；以及，对所述待测路径进行电性测试，根据所述电性测试的测试结果判断所述待测路径是否存在高阻。本发明通过设置半导体器件的待测路径并对其进行电性测试，从而准确判断所述待测路径是否存在高阻失效，提高了测试效率。
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本发明提供一种对Flash器件失效定位的方法，提供多个存储单元；对多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；按多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；根据趋势图找出失效的存储单元。本发明的方法根据bit cell电流分布趋势来对Flash进行失效定位，制成图表，找到趋势上电流表现最差的bit，有利于对后续的失效分析预测做出判断。
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本发明涉及一种喷水发动机喷水器失效监测与应急装置，与喷水发动机上的喷水器和喷水共轨配合使用，包括：防漏电磁阀，设于喷水器底座中；压力传感器，设于共轨主体内部，并实时获得共轨主体内部的压力值；喷水共轨控制模块，其与防漏电磁阀和压力传感器电连接，根据压力传感器的压力浮动程度控制防漏电磁阀的通断。与现有技术相比，本发明在喷水共轨的入口处加装了一个压力传感器，根据监测喷水共轨内的压力波动情况，判断喷水器是否失效，可及时获得喷水器漏水的信息，方便于使用者及时维修，并在喷水器底座中安装了一个防漏电磁阀，在判断喷水器已经失效时，用于阻断喷水共轨与喷水器之间的通道。
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本发明提供了一种基于神经网络算法的材料变形及失效预测方法及系统，包括：步骤1：获取材料力学性能的实验数据，并将实验数据分为训练集与测试集；步骤2：建立多层前馈神经网络；步骤3：根据误差逆传播算法，利用训练集对多层前馈神经网络进行训练；步骤4：利用测试集对训练结束的多层前馈神经网络进行测试；步骤5：对材料变形及失效行为进行预测，并指导制造工艺。本发明建立了全新的实验—神经网络—仿真—制造研究路线，大大降低了计算成本，提高了研发效率。
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本发明提供一种热障涂层失效的测试系统及方法，该系统包括：用于涂层热冲击寿命检测的高温强热流密度循环热考核装置，其具备：用于固定涂层试样的固定单元，和对所述涂层试样进行循环加热的加热单元；用于涂层失效的声发射信号检测装置，其具备对涂层失效过程中的声发射信号进行检测的声发射传感器，接收来自所述声发射传感器的声发射信号并进行处理以提前预测涂层破坏临界时间点的声发射信号处理单元。本发明用于高温强热流密度循环热冲击条件下热障涂层失效的原位动态无损实时在线监测。
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本发明公开了一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其中，所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。本发明还公开了一种半导体失效定位方法。本发明的半导体失效定位测试单元及其失效定位方法使用现有失效定位分析仪器能快速、准确抓取故障点(热点/Hot Spot)位置的半导体失效定位测试单元。
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本发明公开了一种体液分析物检测器件，包括：发射器，发射器上设置有至少一个第一卡合部；底壳上设置有与第一卡合部相对应的第二卡合部，通过第一卡合部与第二卡合部互相卡合，发射器装配于底壳上，底壳包括固定部与施力部，固定固定部，并在一个方向上对施力部施加力的作用，底壳失效，第一卡合部与第二卡合部互相分离，进而分离底壳与发射器；传感器；和用于向发射器供电的电池，电池设置于底壳内，设置电池的部分为电池部位。只在一个方向上对底壳的施力部施加作用力，即可使底壳失效，减少了用户在分离发射器与底壳时的操作步骤。
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本发明公开了一种基于流量分析的P2P僵尸网络检测系统，属于计算机网络安全领域，包括网络流量接收模块从不同监测点获取网络流量，通信结构图构建模块，检测算法模块从通信结构图中利用社区发现算法发现P2P结构，采用决策树和贝叶斯网络两种机器学习方法结合检测P2P僵尸网络，跟踪与其它节点的通信对僵尸网络进行扩展，数据库模块存储相关数据。本发明还公开了基于流量分析的P2P僵尸网络检测方法。本发明未将端口作为特征以防止端口随机化造成的检测失效，基于流量分析进行P2P僵尸网络检测，通过过滤良性网络流量提高检测效率，使用包长度为特征减少数据处理量，能高效识别P2P僵尸网络通信，为入侵检测系统提供支撑。
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本发明公开了一种基于卷积分类网络的晶圆图失效模式相似检索的方法，涉及半导体制造业技术领域。本发明针对晶圆失效模式的图像特征，构建了一种兼顾语义特征及局部细节特征的卷积分类网络，通过分类伪任务来提取图像特征，由于图像特征是高维的向量，采用传统的相似度量方法并不能在大规模的数据集相似检索中实用，为此，本发明对图像的卷积特征做了进一步的二值量化编码，采用局部敏感哈希算法，将高维向量压缩为低维向量，相似样本以较大概率分到同一分区桶中，减少检索池数据规模，因而大幅度的降低了相似检索的计算复杂度，相较于人工视检的方式搜索晶圆相似的失效模式，本发明是一种高效准确的自动化相似检索分析方法。
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本发明公开一种有效蚀刻NPN掺杂区域形貌以找出失效原因的组合物，用于在PN结剖面轮廓失效检验中进行结染色，该组合物包含：硝酸、氢氟酸、乙酸、水、五水硫酸铜；该组合物的摩尔比为：硝酸：氢氟酸：乙酸：水：五水硫酸铜=2.9712：0.1734：7：5.18：0.08。本发明组合物所采用的组份都是非常便宜的化学溶剂，降低成本；组合物制备方便，任何检验人员都可以简单的自行制备本发明组合物的化学配比，其样本准备远简单于采用电子检验方式中例如SSRM或SCM的电子设备，实现不需要物色和授权外包的供应商提供检验材料，便于进行PN结剖面轮廓失效检验，具有高成功率。
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本发明公开了一种标定工具失效检校方法，包括以下步骤，标定工具信号获取步骤、控制器CAN通讯中断判断步骤、XCP传输中断判断步骤、XCP传输错误检测步骤、CAN通讯检验步骤。本发明的标定工具失效检校方法，能够有效的检测出导致标定工具通讯失效的原因，实施性强，成本低，具有一定的应用范围，有效的提高了检测标定工具通讯失效原因的效率，一定程度上加快了系统运行的效率。
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本发明公开了一种液膜下金属失效电化学测试装置及其测试方法，所述装置包括喷雾箱、控制喷雾装置、样品台、控制液膜厚度装置、电化学工作站、工作电极探头和计算机。本发明能够模拟大气环境中金属材料在不同液膜厚度条件下的腐蚀失效过程，还具有高通量高效率地同时对多个样品或样品在多个液膜厚度环境中进行大气腐蚀评估分析的优点。本发明测试方法，将样品台组装好，设定喷雾程序和环境；模拟测试；控制液膜厚度；电化学测试，记录实验数据。本发明可模拟实现不同厚度及梯度变化的液膜；可大幅提高试验效率；可实现高通量的电化学表征，具有设备简单易控制、精确度高的特点。本发明在金属材料大气腐蚀研究领域有广阔的应用前景。
本发明公开了一种原子尺度下动态观测III‑V族场效应晶体管栅介质失效的方法，所述III‑V族是指具有高迁移率材料铟砷化镓。所述方法包括：制备适用于透射电子显微镜的样品和纳米钨探针；将所制得的样品搭载在专用铜网上，将原位样品杆放入透射电子显微镜中；将纳米钨探针与样品栅极接触；然后在纳米钨探针和铜网之间加恒定电场；操作透射电镜实时动态地观测样品形貌和电流变化过程；通过能谱进行局域化学元素分析，与未损坏之前的样品的能谱信息做比较，分析失效原因。本发明能够对器件失效的过程定点定量进行分析，找到失效的位置、状态和其变化过程，分析器件的失效机理，得到解决措施。原位透射电镜的方法无损，实时，有高分辨率，比其他光谱检测先进。
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本发明提供了一种多旋翼无人机动力失效的监测方法，其用于检测无人机的旋翼是否处于动力失效的状态，包括如下步骤：a.采集每个电机向每个旋翼所输出的实时电压值和实时电流值；b.判断实时电压值以及实时电流值是否出现突变，若实时电压值以及实时电流值出现突变，则判定对应的所述旋翼处于失效状态。本发明实现了对无人机旋翼的实时监测，并根据监测结果采取相应的措施，争抢了无人机作业的安全性，具有广泛的应用前景。
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本发明提供的一种监测SRAM存储区通孔对准失效的测试结构，包括第一测试单元和/第二测试单元；所述第一测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生横向漂移；以及所述第二测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生纵向漂移。本发明通过第一测试单元判断出通孔是否发生横向漂移，可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层，和/或，通过第二测试单元可以判断出通孔是否发生纵向漂移，可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层，从而监测SRAM存储区通孔是否对准失效。
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本发明公开一种测定深沟槽失效深度的方法,包括步骤:准备试样且获得失效的深沟槽在样品中的位置;在聚焦离子束样品台转动到预定角度时,在深沟槽的一侧预定距离处采用垂直于样品表面的离子束切割出凹坑;转动聚焦离子束样品台,采用与样品表面倾斜成预定角度的离子束切割包括失效深沟槽在内的样品,并且采用垂直于样品表面的电子束观看失效深沟槽的顶部图像。本发明可以节省对于深沟槽失效深度的分析时间且提高分析的准确度和成功率。
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本发明公开了一种基于SOC ATE定位存储器失效位的方法及测试系统，包括：生成测试向量；将测试向量转化成物理波形信号；将物理波形信号输入至待测芯片中进行测试；将测试得到的结果(引脚pass‑fail信息)以字符形式按行存储至RAM中；ATE从RAM中读取各失效向量所指的失效位的数据引脚状态和相对应的地址引脚状态；构造以字符表示的引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系；将各失效位的地址引脚状态和数据引脚状态由字符形式转换为数值形式输出。本发明在不增加硬件资源的基础上将基于SOC ATE的向量模式测试得到的字符数据快速转换为数值数据，方便地对存储器进行失效定位和失效分析，提高利用SOC ATE开发存储器测试程序的效率。
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本发明涉及定位测试结构失效位置的方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，首先获得测试结构的失效模型，然后将测试结构中的器件结构中的PN结开启，利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组，而可快速定位到目标区域，最后根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号，获得对应端子的测试信号的异常发光点，并将倍率逐渐放大，进而锁定到失效位置，如此通过PN结开启可快速定位到目标区域，然后通过切换测试条件而快速锁定到失效位置，且可避免现有技术中的因背景噪声信号较大，会淹没失效点信号，而无法定位的问题。
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本发明涉及一种软件可靠性加速测试的失效数据还原方法及测试方法，所述还原方法包括以下步骤：1)构造多组高应力水平，在各高应力水平下进行若干次被测软件的加速寿命试验；2)采集各高应力水平下的失效时间序列，计算对应的平均失效时间；3)对各高应力水平及对应的平均失效时间进行拟合，获得应力水平与平均失效时间的关系函数；4)基于关系函数获得正常应力水平下的平均失效时间；5)计算各高应力水平与正常应力水平对应的平均失效时间的比例关系；6)基于比例关系将步骤2)采集的各高应力水平下的失效时间序列还原到正常应力水平下，获得正常应力水平下的失效时间序列。与现有技术相比，本发明具有缩减可靠性测试时间、成本低等优点。
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本发明公开了一种基于多目标预测模型的供水管网失效更新策略方法，涉及供水管网技术领域，包括以下步骤：预先进行数据采集，采集过滤建立模型和方案预测所需的基础数据；进行建立预测模型，建立管网老化和失效预测模型，开展爆管严重程度分析，进行管网更新策略方案的生成和量化评价。本发明建立供水管网失效预测模型是优化管网更新改造策略和降低爆管风险的有效途径，将科学的统计模型结合经济因子应用于多目标管网更新方案的制定不但可以有效预防管网失效，还可以提高改造资金的使用效率，提升管网资产效率。
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本发明涉及机器人小概率失效预测技术领域，尤其涉及一种基于Bi‑GRU自编码器的机器人小概率失效预测方法，具体步骤如下：步骤1、采集机器人在不同运行工况下全生命周期数据，通过失效标志前移和归一化处理方式；步骤2、搭建Bi‑GRU自编码器模型，将步骤1得到的数据带入Bi‑GRU自编码器模型中处理；步骤3、结果分析。本发明通过失效标志前移和归一化处理的方式，提高模型对于失效数据的灵敏度。同时，采用堆叠式双向GRU搭建编码器和解码器，提高预测精度和泛化能力。结果表明，相比标准自编码器方法，本发明可提高F‑值约27.02％。相比标准GRU自编码方法法，可提高F‑值约5.8％。实验验证了本发明方法预测精度高、泛化能力强，预测机器人小概率失效具有良好的效果。
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本发明公开了一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，涉及半导体领域。该方法为：建立多个测试结构，所有的所述测试结构的结构均相同；在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板；对所有的所述测试结构进行离子掺杂，被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂，能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间；同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压，根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在是失效，从而获取器件的低工作电压是否失效。该方法能够快速确认低工作电压是否存在失效现象；批量快速找出制程在该类问题的工作区间，缩短了制程开发周期，有效节约了开发成本。
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本发明提供的一种测试失效的测试向量的定位方法，包括以下步骤：将测试向量集分成多个逻辑分段，并在部分逻辑分段前加入虚拟标记位向量，虚拟标记位向量后的第一个测试向量为起始测试向量；将具有虚拟标记位向量的逻辑分段的测试向量加载到待测器件上完成测试，并将测试结果在位图中示出；以及通过起始测试向量的位置计算出逻辑分段中测试结果失效的测试向量在测试向量集中的地址。本发明通过虚拟标记位后的起始测试向量的位置计算出逻辑分段中测试结果失效的测试向量在测试向量集中的地址，实现了定位了失效的测试向量在测试向量集中的位置，使得调试的工作可以很容易的进行。
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本发明运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法，包括步骤：提供芯片和隔热片，将隔热片放置于芯片上，且隔热片全部遮蔽芯片的正面，芯片正常发热的热量小于芯片上失效点发热的热量，隔热片的隔热范围介于芯片正常发热的热量与芯片上失效点发热的热量之间；给芯片通电；提供红外热成像显微镜，使用红外热成像显微镜观察并拍摄已放置隔热片的芯片，得到图像。本发明运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法，通过热点定位过程中增加的隔热片，从而避免了芯片产生的过多热杂讯干扰的可能性，利于提高芯片失效分析的准确性。
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本发明涉及一种判定电力电子模块失效的检测装置和方法。通过采集待测电力电子模块的电流、电压、壳温及散热器表面温度等运行数据；根据获得数据计算电力电子模块的损耗功率和温度变化率，生成电力电子模块外壳表面温度上升曲线，提取相应的温度变化时间常数，用于判定电力电子模块的失效。对电力电子模块的失效诊断能够指导其后续合理运行措施，便于延长面临失效风险的电力电子模块使用寿命，提高变流器系统整体可靠性。
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