本发明公开了一种用于
多晶硅层的失效点定位的方法,包括:提供样品;将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层;对所述样品的表面进行清洁处理;利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位。本发明由于保留了一定厚度的多晶硅层上的层间介质层,所以避免了对多晶硅层的损伤;由于采用了超声波震荡方法在离子水中对样品表面进行清洁,所以避免了清洁过程中对样品表面的损伤;由于采用了较大的一次电子束的加速电压进行电势对比观测,所以能够快速的定位多晶硅层的失效点。本发明的方法适用于大尺寸多晶硅阵列的失效点定位,可快速地在扫描结果中准确地找到失效点的位置,节省了
芯片失效分析的时间,提高了分析效率。
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