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半导体器件高阻失效的测试方法

639   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:34
本发明提供了一种半导体器件高阻失效的测试方法,包括:提供测试样品及其设计版图,将所述测试样品中可能存在高阻的路径设置为待测路径;根据所述设计版图找到所述待测路径的两个端点,并将所述待测路径接入一测试电路;以及,对所述待测路径进行电性测试,根据所述电性测试的测试结果判断所述待测路径是否存在高阻。本发明通过设置半导体器件的待测路径并对其进行电性测试,从而准确判断所述待测路径是否存在高阻失效,提高了测试效率。
声明:
“半导体器件高阻失效的测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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