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监测SRAM存储区通孔对准失效的测试结构

676   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:33
本发明提供的一种监测SRAM存储区通孔对准失效的测试结构,包括第一测试单元和/第二测试单元;所述第一测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生横向漂移;以及所述第二测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生纵向漂移。本发明通过第一测试单元判断出通孔是否发生横向漂移,可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层,和/或,通过第二测试单元可以判断出通孔是否发生纵向漂移,可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层,从而监测SRAM存储区通孔是否对准失效。
声明:
“监测SRAM存储区通孔对准失效的测试结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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