本发明涉及定位测试结构失效位置的方法,涉及半导体集成电路失效分析技术,首先获得测试结构的失效模型,然后将测试结构中的器件结构中的PN结开启,利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组,而可快速定位到目标区域,最后根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号,获得对应端子的测试信号的异常发光点,并将倍率逐渐放大,进而锁定到失效位置,如此通过PN结开启可快速定位到目标区域,然后通过切换测试条件而快速锁定到失效位置,且可避免现有技术中的因背景噪声信号较大,会淹没失效点信号,而无法定位的问题。
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