本发明公开了镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法,其具体步骤为:1)利用速凝甩片真空感应熔炼炉,将钕铁硼材料熔炼,制备出0.3~0.5mm厚度的钕铁硼合金薄片;2)利用氢破炉,将钕铁硼合金薄片破碎成110~150μm左右的钕铁硼合金粉末;3)将得到的粉末经过气流磨破碎成3.5~4.5μm的钕铁硼合金粉末;4)将镧铈合金粉末加入到粉末中,使两种粉末均匀混合。5)利用磁场压机,将粉末在磁场下取向成型,再经过冷等静压,得到密度为4.6~4.8g/cm3的压坯;6)将压坯置于真空烧结炉中烧结,烧结磁体为(PrNdGd)2936~29.65(LaCe)0.99~1.96(FeCoAlCu)67.63~68.3B1.05~10.6。本发明通过添加特殊工艺处理的镧铈粉末替代钕铁硼中的富钕相,避免镧铈过多进入钕铁硼主相,影响磁性能,达到既提高产品性能又降低产品成本的作用。
本发明公开一种抗氧化性的石墨电极表面涂层及其制备工艺,所述抗氧化涂层的原料配方按质量计如下:45‑55份的SiC、32‑38份的AL2O3、25‑36份的ZrO2、25‑30份溶剂甲醇、30‑35份溶剂乙醇、2‑5份分散剂硬脂酸、12‑18份粘结剂丙烯酸树脂;所述抗氧化涂层的制备步骤包括原料粉碎、筛分、过渡层涂料制备、密封层涂料制备、石墨电极表面预处理、石墨电极表面涂覆、真空烧结和扫描电镜表征。本发明制备的碳化硅‑氧化铝‑氧化锆(SiC‑AL2O3‑ZrO2)的抗氧化涂层是一种复合涂层,其中SiC属于过渡层,其作用是解决石墨复合材料与涂层之间热膨胀系数不匹配的矛盾,AL2O3和ZrO2作为阻挡层为氧气的扩散提供屏障,防止石墨电极的氧化。
本发明公开了一种多主元高熵合金及制备方法,属于合金材料技术领域,主要是利用高熵合金优良的综合性能,解决现有金属在强度、硬度、致密性、耐蚀性等性能不足的问题,设计以V、Zr、Hf、Ti、Cr、Zr、Mn等元素按照等摩尔比或近似等摩尔比进行配置,通过真空烧结制得VZrHfTiCrZrMn合金,合金具有高强、高硬度等特性,同时综合性能优,可用于特种合金、模具制造、专用工具等,本发明思路清晰,操作简单,实用性强,制得合金产品具有一定的市场前景。
本发明公开了一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法,涉及磁性材料技术领域领域,为提高产品性能和生产效率,降低生产成本;本发明采用上端面开设有多条气槽的治具,利用网印工艺在烧结磁体表面沉积膜层,其中网印膜层的浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少一种,还可包括金属元素或其氢化物、氧化物、氮化物中的至少一种;将沉积膜层后的烧结磁体在真空烧结炉中热处理,使稀土元素扩散进入烧结磁体内部;本发明可以实现自动化加工时产品侧边紧密排放,大大简化了自动化实施难度,热处理后粘连现象大大减少,产品性能一致性也得到改善,有利于提高自动化程度,减少人工成本,复合粉体利用有利于提高产品性能,降低稀土用量。
本发明公开了一种剪板机刀片的加工工艺,备料:按重量份数选取:碳化硅、铜粉、镉粉、石棉粉、黑铋金矿粉、石蜡、氧化钾、三氧化二锡;将备料好的各个组分按重量份数放入高速混合机中搅拌均匀;然后将搅拌均匀的组分倒入模具中进行压制,得到成型的胚体;将胚体放在真空下进行预烧结,得到半成品;然后将半成品再次放入模具中进行加压;将加压后的半成品再次进行真空烧结,然后冷却降温即可,本发明具有增加刀片致密性、耐磨度、硬度等优点。
本发明公开了一种计算机硬件制作专用合金及其加工工艺,按质量百分比计,包括:Cr:32.0‑40.0%、Fe:5.0‑12.0%、Al:0.5‑1.0%、Mo:2.0‑5.0%、Ti:6.0‑12.0%、Mn:0.1‑0.4%和W:4.0‑5.0%。本发明所述的一种计算机硬件制作专用合金及其加工工艺,本发明生产的高温合金母合金的合金强度高,耐磨性、抗高温氧化性好,造过程表面裂纹少,塑性好,可消除偏析,使得生产后的母合金组织均匀,合金内部有害杂质低,内部缺陷少,成品率较高,且节省材料,母合金的生产成本较低;能够除掉原料表面的氧化膜,加快真空烧结速度,加快合金生产效率,而且减少原料中的氧含量带来更好的使用前景。
本发明提供了一种提高磁体取向度的成型方法,其包括将原料磁体制成磁体粉末的步骤一、将磁体粉末装入模腔通过极头取向并且压头压制得到取向压坯的步骤二以及将压坯置入真空烧结炉内烧结获得烧结磁体的步骤三,在进行步骤二的过程中,向模腔内的磁体粉末施加超声波使磁体粉末在压型时有震动。本发明还提供了一种用于实现上述提高磁体取向度的成型方法的装置。本发明在钕铁硼微粉成型磁场取向时,加入了超声波使微粉震动且处于悬浮状态,这样就使得微粉取向时,颗粒之间的弱磁吸力团聚和转动阻力大大减小,从而提高磁体的取向度,生产高性能磁体。
本发明涉及纳米级锆基非蒸散型吸气材料制备工艺,属于吸气材料制备技术领域,包括以下步骤:将配方比例的金属原料在氩气气氛下混合8h得到金属粉末,将金属粉末和粘接剂放入捏合机中,氩气保护下165℃混炼4h,得到混料;将混料加入注射机中,60MPa压力下注射成样品,得到胚体;将胚体置于脱脂溶剂中,在30‑60℃下脱脂6h后,转移至真空热脱脂炉内,进行热脱脂,得到脱脂胚体;将脱脂胚体置于真空烧结炉中1000‑1050℃下烧结15‑20min,得到纳米级锆基非蒸散型吸气材料;本发明制备的吸气材料具有较高的空隙率、比表面积和机械强度,在真空器件保持真空度的应用中具有较高的使用价值。
本发明属于泡沫金属技术领域,特别涉及一种具有多级孔结构的泡沫金属及其制备方法,以及包含有该泡沫金属的吸声降噪材料,所述的方法包括:利用筛网对球形造孔剂进行筛分,得到造孔剂颗粒;将造孔剂颗粒置入圆盘造粒机中,加入金属粉末,将聚乙烯醇水溶液向造孔剂颗粒与金属粉末的混合物表面喷雾处理;将表面黏附有金属粉末的造孔剂颗粒置入金属模具中,采用压坯工艺制成预制品,接着真空预烧结,经脱溶处理,最后进行真空烧结处理,得到具有多级孔结构的泡沫金属材料;本发明在继承了传统粉末冶金法相关工艺思路的基础上,创造性的引入了球形造孔剂团粒技术,获得金属粉末均匀包覆的核壳结构预制颗粒,为后续多级孔结构的构建奠定了基础。
本发明公开一种铅锡基焊料合金的制备方法,包括以下步骤:(1)制粉:将以下重量百分比的原料混合:45‑60%Sn粉、25‑35%Pb粉、10‑25%In粉、1.5‑5%Bi粉、0.02‑0.08%Tb粉、0.1‑0.7%Zr粉、0.7%Fe粉、余量为Se粉;(2)烧结:将混合的粉末置入石墨模具中,预压,将预压后的模具放入放电等离子烧结炉中,抽真空,烧结压强为50Mpa,升温速率为45℃/min,温度升至520℃后保温5min,随炉冷却后即制得铅锡基焊料合金。本发明还提供由上述制备方法制得的焊料合金。本发明的有益效果在于:铅锡基焊料合金显微组织均匀致密,提高了焊料合金的润湿性能,且具有较低的熔点。
本发明提供一种再生钕铁硼磁钢绿色重造方法,涉及稀土磁性材料加工技术领域。所述再生钕铁硼磁钢绿色重造方法包括废料处理、废料熔炼、废料氢破碎、稀土材料氢破碎、气流磨、混粉冷化处理、磁场成型、真空烧结、时效热处理等步骤。本发明克服了现有技术的不足,通过稀土混合物的添加能够弥补磁体再生产过程中磁体稀土的损失,降低原料成本,从源头上降低了钕铁硼磁体生命周期资源消耗和环境影响,提升行业绿色发展意识,有利于行业的绿色发展,具有保护环境、节约资源、发展循环经济等方面的优势。
本发明公开了一种石墨烯增强氧化锆陶瓷制备工艺的研究,以氧化锆粉为基,加入5‑20%的石墨烯,把原料放入砂磨机中球磨、混料机中混料,过筛陈腐一定时间后等静压成型,然后把经过修坯的毛坯在高温条件下真空烧结成陶瓷瓷坯,根据产品的尺寸及技术要求对陶瓷瓷坯进行精加工。本发明制备工艺简单,成品合格率高,制造成本低,产品硬度大、抗弯强度和断裂韧性大大提高,耐磨、耐腐蚀、耐冲刷,同时大大降低氧化锆陶瓷的粉化率,使用寿命大大延长,广泛的应用在石油、化工、矿山、火电、机械等工矿复杂行业中。
本发明提供一种基体与涂层高结合力的稀土‑铁‑硼系烧结磁体的制备方法,包括以下步骤:采用真空熔炼方法制备出稀土‑铝锌合金铸片;将半成品的稀土‑铁‑硼系烧结磁体进行切片后与稀土‑铝锌合金按照一层合金铸片、一层磁体切片方式摆放入烧结盒中,然后放入真空烧结炉内,抽真空,加热升温至500℃‑600℃后保温至少6小时,使稀土‑铝锌合金在热处理下进行扩散;然后充入惰性气体缓冷至100℃以下;进行两级回火处理,出炉得混合磁体;在混合磁体的表面涂覆涂层,制备得成品磁体。在磁体晶界相和主相晶粒表面得到修复和改善,消除了机械加工对磁体基体的损伤,提高了磁体基体与涂层的结合力,使成品磁体能满足更多使用领域的需求。
本发明公开了一种石墨烯基复合镍钴镁钛四元正极材料的制备方法,通过化学共沉淀法制备出镍钴镁钛四元正极材料,将其与固体碳源进行混合、球磨,将混合物通过有机蒸发镀膜仪将其蒸发到硅基体表面,通过金属电子束蒸发镀膜仪中,将金属催化剂均匀地蒸镀在其表面;置于石英管中后再置于管式炉中进行真空烧结,即得到石墨烯基复合镍钴镁钛四元正极材料。可大大改善正极材料的导电性与安全性能,显著提高锂离子电池的比能量与比功率;另外,由于石墨烯的二维纳米层状结构以及较大的比表面积,故增加复合改性材料的导电性与稳定性。
本发明公开了一种硬质合金圆盘刀的成型工艺,其成型工艺步骤如下:首先进行配料操作,将WC、Co和TN按照一定的比例投入到球磨机中进行材料的混合,混合时间为24h‑48h;然后将混合充分的材料放入真空干燥器中进行干燥处理;对干燥过后的材料用40‑80目的筛网进行擦筛制成粉末状材料;根据圆盘刀的尺寸秤取适量的粉末,将粉末装入模具中,先用压料器预压,再用压力机压制;将压制成型的圆盘刀用石墨制的舟皿装好后放入真空烧结炉中烧结;将烧结好的圆盘刀进行内外圆和平面加工,加工后开刃口,将加工好的成品检验、包装、入库。本发明的有益效果是:提高圆盘刀的质量、节省成本,提高圆盘刀的使用寿命。
本发明公开了一种高致密度的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1、将碳化硅粉体、炭黑、氮化硼纳米片以及燃烧助剂置于研磨机中进行湿法球磨混合,干燥,过筛,得到混合粉体;S2、采用冷等静压成型工艺将混合粉体压制成型,得到素坯;S3、将素坯进行无压真空烧结,得到预烧体;S4、将预烧体进行放电等离子烧结,得到碳化硅陶瓷复合材料。本发明将合理配比的各个原料采用湿法球磨混合得到混合粉体,然后采用冷等静压工艺将混合粉体压制成型得到较高致密度的素坯,再通过无压烧结和放电等离子烧结结合的方式对素坯烧结,实现了高致密度、高硬度、高强度碳化硅陶瓷复合材料的制备;本发明方法工艺简单,便于工业化生产。
本发明公开了一种稀土氧化物改性硬质合金车刀片及其制备方法,制备方法包括如下步骤:S1、将偏钨酸铵、硝酸钇、硝酸锆配制出混合溶液并加热,蒸发出水分生成前驱体沉淀物,干燥前驱体沉淀物获得前驱体块体并粉碎过筛,以筛集前驱体粉体。对前驱体粉体进行氢热还原成W‑Y2O3/ZrO2粉末。S2、将W‑Y2O3/ZrO2粉末与碳粉混合球磨形成钨碳复合粉体,再对钨碳复合粉体升温保温,接着冷却后进行磨碎过筛,筛集WC‑Y2O3/ZrO2粉体。S3、将配制的钴粉与WC‑Y2O3/ZrO2粉体进行混合球磨,获得WC‑8Co‑Y2O3/ZrO2复合粉体。S4、将WC‑8Co‑Y2O3/ZrO2复合粉体放入模具中压制生坯真空烧结成型获得硬质合金车刀片。通过湿化学法微量掺杂Y2O3、ZrO2实现了WC与第二相粒子分子级别的混合,相比普通球磨和未掺杂的硬质合金性能得到显著提升。
本发明公开了一种焊接式硅芯片高绝缘台面钝化保护工艺,包括以下步骤:硅单晶片切割、单晶片磨角、真空烧结、酸腐蚀、涂敷聚酰亚胺、真空排泡、阶梯烘烤、清洗形成钝化保护芯片、涂覆GD‑406蓝色硅橡胶、真空排泡、室温硫化化、高温固化、检测、真空包装出厂。本发明通过对传统芯片制造工艺的改进,通过PI胶的应用对芯片台面进行钝化和双层致密保护,并可有效地俘获PN结台面可移动电荷,降低了芯片的IRRM,提高了芯片抗击穿能力和综合电性能,解决了粘附性、热膨胀、机械应力及气孔等技术问题,从而得到一种保护致密、耐高压、耐温范围广、高性价比、高可靠性的高压功率半导体模块芯片,有效提高产品的可靠性和良品率,值得推广和使用。
本发明公开了一种电子陶瓷元件表面处理工艺,包括以下步骤:1)先配制表面处理液;2)再将电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡4‑6h,使电子陶瓷元件表面生成保护膜;3)将经步骤(2)处理后的电子陶瓷元件取出,用温度为4‑8℃的去离子水冲洗表面,再置于烘干箱中进行表面烘干处理;4)最后将电子陶瓷元件置于真空烧结炉中进行烧结处理即可。该种电子陶瓷元件表面处理工艺简单方便,加工成本低,经本发明处理过的电子陶瓷元件能增强电子陶瓷元件的阻燃性、防水性及耐刮擦性,有效地提高了产品的性能,并能完全抑制电子陶瓷元件产品电镀时发生爬镀的不良现象。
本发明涉及一种高结合强度铜钢双金属减摩耐磨复合材料的焊接方法,属于双金属复合材料异种连接技术领域。操作步骤如下:(1)取面积大小相同的一块钢片和一块铜合金片,分别进行表面喷砂与粗打磨处理;(2)将铜锡合金粉末压制成的片状生坯;(3)将片状生坯放置在钢片上,在网带炉中烧结熔覆,获得具有熔覆层的钢片熔覆件;(4)将钢片熔覆件的熔覆层表面和铜合金片对合,在真空烧结炉中进行扩散焊接,得到焊接件;(5)将焊接件低温退火处理,水淬,得到铜钢双金属复合材料,焊接界面处的剪切强度为240~280MPa。本发明的方法大大提高了熔覆层与钢层的结合强度,并且由于熔覆层很薄,避免了普通熔焊中缩松缩孔、开裂等缺陷。
本发明提供了一种蜂窝型分子筛‑活性炭复合吸附剂、制备方法及其应用,由20~70份Y型分子筛、28~69份活性炭粉、5~10份膨胀石墨、3~6份硅溶胶、3~8份有机黏结剂和60~150份去离子混料后,经练泥、真空练泥、陈化、蜂窝挤出成型、低温微波定型、微波真空烧结工艺制取。与现有技术相比,本发明提供的蜂窝型复合吸附剂不易开裂,强度高,具有开孔率高、含水率低(<3%)、耐水阻燃等优点;作为VOCs吸附剂,可兼顾极性不同的大小分子的吸附,表现出优异的吸附性能,如二甲苯吸附容量可>400mg/g,极性甲醛吸附容量可>20mg/g,并且热再生性能良好,脱附率可达98%以上。
本发明提供一种极低温负压换热器,包括外壳以及安装在外壳内部的换热器组件,所述换热器组件包括第一单体层、第二单体层以及穿过第一单体层和第二单体层的中心孔的中间管道;所述第一单体层和第二单体层的外表面与外壳的内表面通过真空钎焊连接,所述中间管道的外表面与第一单体层和第二单体层的中心孔内表面通过真空钎焊连接;所述第一单体层和第二单体层均为通过3D打印形成的多孔结构或者通过真空烧结形成的多孔介质,所述第一单体层与第二单体层的中心孔截面尺寸不同,所述第一单体层和第二单体层分别设有若干个且沿着中间管道交错排列。本发明具有换热充分、结构简单易实现、便于更换等优势。
本发明公开了一种制备钛铁合金的烧结工艺,包括步骤:(1)备料:按重量百分比称取原料:钛粉30-50%、碳粉8-12%、镨粉0.3-0.5%、余量为铁粉;(2)选粉:用200目筛子对原料进行筛选;(3)压制成型:将原料混合得合金粉,将合金粉通过冷冻静压压制成型;(4)烧结:将成型的合金体放入真空烧结炉进行熔炼,分三个阶段:第一阶段为炉料加温阶段,温度900-950℃,加温时间30-50min;第二阶段为化料阶段,温度1000-1300℃,化料时间100-120min;第三阶段为还原反应阶段,温度900-1200℃,还原时间60-80min。(5)时效处理得到钛铁合金。本发明的制备钛铁合金的烧结工艺,通过控制烧结工艺参数,采用三步烧结法,保证钛铁合金的密度、纯度、内部显微组织等各种性能要求,制备的钛铁合金熔点和密度高,纯度高,耐磨能力好。
本发明公开了一种空间行波管用多孔钛材料的制造方法,其包括以下步骤:(1)压制工序,选用颗粒度5μm的钛粉,放入冲床的冲压模具中,在冲床上设置压力范围5~8吨,进行毛坯压制形成毛坯;(2)真空烧结工序,将压制好的毛坯放入真空炉中高温烧结,温度范围850~900℃,保温1.5~2小时,随后自然冷却形成该空间行波管用多孔钛材料。本发明的优点在于:通过压制烧结制成多孔结构的钛材料,其孔隙度在50%~70%,因增大了表面积,吸气性能大大提高,并且吸附的气体可有效迁移到内部,因此吸气容量也得以提升,这样就对长期维护空间行波管内的真空度、保证器件的长寿命起到更好的作用。
一种用于钛合金粉末注射成型的粘结剂以及注射成型钛合金零件的方法,属于钛合金零件加工技术领域。所述的粘结剂由聚丙烯、低密度聚乙烯、石蜡、硬脂酸和萘组成。所述方法如下:将钛合金球形粉末放入混炼机中进行保温预热,放入聚丙烯和低密度聚乙烯;将温度降低50℃后保温,加入组分B,调整转速后进行混炼,再降低温度至呈现出牙膏状时进行挤出制粒,再依次进行注射成型、脱脂、真空烧结、随炉冷却,即得到钛合金零件。本发明的优点是:现有装载量基本在55%~65%之间,本发明采用的装载量为68%,降低了粘结剂的比重,可以说在喂料过程中,采用较高的装载量同样可以保证混合料具有很好的流变性能,易于充型,获得生坯为模具形状,且无缺陷。
本发明供一种烧结钕铁硼永磁体的焊接加工方法,其包括以下步骤:将烧结钕铁硼毛坯加工成片状后,对其表面进行擦拭、清洗;在密封的惰性气体保护手套箱中,将片状永磁体按待焊接的形状置于搅拌摩擦焊接机机床上,并用夹具固定;用搅拌头上的搅拌针对片状永磁体的待焊接面进行至少一次搅拌摩擦焊接处理;置于真空烧结炉中进行热处理150~300min;进行倒角、去氧化层、酸洗、磷化或电镀、清洗、钝化处理,得烧结钕铁硼永磁体焊接件。本发明采用搅拌摩擦焊接方法将多个加工成片状的烧结钕铁硼进行焊接成一个大尺寸的整件,使其满足特殊领域的使用要求。且焊缝金相一致性高,焊缝无热裂纹、无夹杂、无气孔等熔焊缺陷。
本发明公开了一种5G手机复合材料加工工艺,包括以下步骤:步骤1:通过3D打印机制成钛合金中框;使用钛合金粉末进行3D激光立体打印形成钛合金中框坯体,接着将所述钛合金中框坯体放入真空烧结炉中真空退火;步骤2:通过注塑成型,在所述钛合金中框上一体成型塑胶结构件;其中,步骤1中的3D打印机包括防护箱、激光工作仓、操作口、密封舱门、安全开关、升降仓、升降固定装置、粉料循环系统、驱动仓和铺粉机构;本发明设置密封舱门和安全开关,提高了激光打印过程中气流的稳定性和安全性;升降固定装置可以提高打印过程中零件的尺寸的精度,并且减少零件的移动;通过本发明打印的钛合金框架,再注塑成型塑胶结构件,结构可靠,强度高,工序简单。
本发明公开了一种微波辅助烧结增韧多孔陶瓷的制备方法,将粉煤灰、氧化铝粉末、高岭土、陶瓷颗粒混合球磨后煅烧,和淀粉、石墨烯纳米片、分散剂、溶剂及消泡剂超声分散制成悬浮液后,常温球磨过筛,使用碾压后聚氨酯海绵浸入浆料中吸附,加压低温预烧得到素坯,置于保温装置中,在微波高温真空烧结炉中,进行烧结,既得所述微波辅助烧结增韧多孔陶瓷。本发明通过通过添加石墨烯纳米片与聚氨酯海绵,实现多孔与增韧的效果,采用微波烧结节约时间与能源,实现高效、绿色、节能的目标。
本发明公开了一种硬质合金烧结工艺,包括以下步骤:S1、升温调压:对真空炉内部进行升温处理,温度到达指定温度后保温30‑50min,并将真空炉真空度控制在70Pa‑100Pa,保温结束后往炉内充入惰性气体;S2、真空烧结:将真空炉内温度调节到烧结温度,真空度控制在100Pa‑200Pa以内;S3、分压烧结:将真空炉内温度调节到1000℃‑1500℃,烧结0.7~1.5h,本发明的有益效果是:本申请通过在额定温度内进行加压、保压、升温和保温过程,提升硬质合金的致密度,并且通过将冷却后的工件放入真空炉内,温度调节到1360℃‑1380℃,保温20‑30min后自然冷却,以此实现退火,在烧结好后,增加了退火工艺,以消除产品应力,使后续加工更加顺畅,提升了成品率,减小了客户使用裂片的几率。
本发明公开了一种高镝辅合金添加制备低成本钕铁硼磁体的方法,该方法添加特殊氢破工艺处理的富镝辅合金粉末,进入钕铁硼晶界相中,达到即提高产品性能,也降低产品成本的目的,具体包括:将高镝辅合金(PrNd)19Dy23(FeCoCuGa)balB1用氢破炉,制成半脱氢粉末;将半脱氢粉末在气流磨中,制成2~4微米的粉末B;相同方法制备2~4微米的(PrNd)30.5(FeCoAlCuGa)balB1.0粉末A;将粉末B加入到粉末A中,均匀混合;利用磁场压机,将混合均匀的粉末在磁场下取向成型,冷等静压,得到压坯;将压坯置于真空烧结炉中,烧结保温,一级回火保温,二级回火保温,获得烧结钕铁硼磁体。
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