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本发明提供了一种高品质铜铬合金致密化工艺，该工艺以铬粉、铜粉与石墨粉为原料，将原料依次经过配料、真空混料和真空压实，得到圆柱形坯料，圆柱形坯料的相对密度为80％～90％，然后将圆柱形坯料进行真空烧结得到CuCr烧结样品，最后将CuCr烧结样品进行旋锻致密化，得到高品质铜铬合金。本发明的工艺以铬粉、铜粉与石墨粉为原料，采用真空相对压实、真空烧结结合旋锻致密化的联合工艺，使合金组织全致密，且含氧量低，同时材料的利用率较高，解决了合金组织致密度和含氧量之间存在的矛盾；通过调整配料，可生产出不同Cr含量、不同Cr铬晶粒尺寸、不同直径规格的系列CuCr合金材料。
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本发明公开了一种超细晶铜铬触头的制备方法，包括以下步骤：S1：混粉：将铜粉：铬粉按重量比配比得到混合粉，再进行球磨混粉；S2：制备电极：将混合好的混合粉采用冷等静压的方式压制，随后进行真空烧结；S3：电极感应气雾化制粉：对制备好的铜铬合金电极进行区域熔炼，通过紧耦合喷嘴将金属液体雾化破碎成液滴，凝固，筛分得到铜铬合金粉；S4：压制烧结：对铜铬合金粉采用模压方式进行压制，随后进行真空烧结；S5：机械加工：按照图纸要求进行机械加工。本发明的制备方法可使得铬相的尺寸远小于现有常规所制备的，同时保证了原材料的纯净度，所获得的超细晶的铜铬触头性能更为优良。
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本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法,按重量百分数,包括下述组分:碳化硼粉末45%～50%、酚醛树脂5%～8%、金属硅42%～50%;上述组分称量后,先用酒精溶解酚醛树脂,并加入碳化硼粉料,机械球磨混合均匀:用造粒机造粒,模压成型所需制品形状的生坯;将压制好的生坯,放入烘箱干燥固化:石墨坩埚内加入称好量的金属硅,将固化后的生坯,放置在金属硅上,连同坩埚一起放入高温真空烧结炉内烧结,烧结温度1550～1700℃,保温1～3小时后随炉冷却,即制得碳化硼基复合陶瓷。本发明酚醛树脂在复合陶瓷制备过程中起粘结剂和碳源的作用,在烧结过程中也可以起到为生坯提供多余气孔的作用,因而提高了硅的渗入性。
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本发明公开了一种Mo2FeB2基金属陶瓷的制备工艺，首先选择高纯Fe2B粉和Mo粉为原料，重量比控制在(0.25-0.5)：(0.75-0.5)，并加入少量无水乙醇作为过程控制剂，称重后真空球磨5-25小时，然后将混合粉体充填到金属模具中模压成型，最后，将模压成型坯体放入石墨模具于真空烧结炉中进行无压烧结，烧结温度为1250℃～1350℃，无需进行保温处理，烧结完毕后随烧结炉一同冷却。本发明工艺过程简单，所制备的Mo2FeB2金属陶瓷相对密度较高，主要力学性能指标良好，不仅适用耐磨领域场合，且还可以用于耐蚀领域。
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本发明提供了一种镍合金/钨复合棒材的制备方法，包括以下步骤：一、对钨棒材进行表面净化处理；二、将表面净化处理后的钨棒材与镍合金粉体放入压制模具中，置于冷等静压机中压制得到镍合金孔隙率为35%～45%的镍合金/钨复合棒坯；三、置于真空烧结炉中进行真空烧结使镍合金孔隙率的≤5%；四、经拉丝后得到成品镍合金/钨复合棒材。本发明工艺简单，设备投资小，生产周期短，对环境无污染，成品率高，可批量化生产；采用本发明制备的镍合金/钨复合棒材中镍合金的厚度均匀，孔隙率低，成品尺寸精度高，镍合金与钨棒材的金属贴合率≥98%，经工艺的优化后贴合率可高达100%。
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本发明属于一种光电薄膜制备技术领域，具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是：通过Ga2O3高纯（99.995%）粉体制胚并真空烧结，再粉碎成粒后作为起镀材料，采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发，使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上，并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数，最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好，所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构，在可见‑近红外范围透过较高，吸收较小，不仅适宜于光学应用，并且通过后退火处理，使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。
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本发明公开的一种WO3-TiH2粉末制备W-10Ti合金的方法，将WO3粉末和TiH2粉末放入球磨机中，加入过程控制剂，进行球磨；再将混合粉末置于H2气氛炉内，700℃～850℃保温进行还原处理，然后将W-Ti粉末进行压制，压坯置于高温真空烧结炉中烧结后，随炉自然冷却到室温，即制成W-10Ti合金。本发明的制备方法降低了W-Ti合金的烧结温度，且合金组织中富钛β2相的含量减少，使W-Ti合金靶材的使用性能得到提高。
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本发明公开了一种纯净Fe3C块体的制备方法，首先，将还原Fe粉和无定形C粉按分子式Fe3C中原子比和各元素的原子量换算成重量比，称重后装入球磨罐中，同时加入一定量的酚醛树脂，进行抽真空；然后将球磨罐放入球磨机中球磨60-120小时，取出还原Fe粉和无定形C粉的混合粉体充填到石墨坩埚中；最后将石墨坩埚放入等离子活化烧结炉中进行两个阶段的真空烧结，第一阶段为慢速无压烧结，烧结温度为150℃-300℃；第二阶段为快速压力烧结，烧结温度为500℃～700℃，随炉冷却，即得到纯净Fe3C块体。
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本发明提供一种WC‑Co‑B4C硬质合金的制备方法：先将WC粉、B4C粉和Co粉进行混合；再利用行星式球磨机进行球磨；再进行喷雾干制粒；而后在压力机的作用下压制成块体；最后进行烧结，先将坯体放进真空烧结炉中，将炉内温度升至400℃保温1小时，继续加热至900℃‑1200℃保温2小时，最后加热至1380‑1490℃保温3小时，随炉冷却得到WC‑Co‑B4C硬质合金。本发明在传统的WC‑Co硬质合金中加入强化相B4C，使传统的WC‑Co硬质合金在韧性不降低的情况下进一步提高硬质合金的硬度，从而能够切削越来越硬的材料，降低生产硬质合金刀具的成本力求达到新型切削刀具的性能。
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本发明公开了一种颗粒增强钛基复合材料的制备方法,将TI粉末与反应剂粉末混合充分后冷等静压成坯料,将所述坯料在真空烧结炉中进行烧结,冷却后制得TIC和TIB二元增强体;按照所选择的钛基复合材料及所述TIC和TIB二元增强体的添加量进行配料,将TIC和TIB二元增强体、海绵钛、A1豆+A1箔和A1-85V中间合金依次经包合金包、油压机压电极和真空自耗电弧炉三次熔炼,制得颗粒增强钛基复合材料。本发明克服了热等静压方法致密度较差,同时材料可以获得较好增强效果和韧性;本发明制备的TIC和TIB二元增强增强钛基复合材料,适用于航空航天、汽车发动机以及体育等产品对其高比强、高比刚性以及耐磨耐蚀性能的要求。
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本发明公开了一种耐锌液腐蚀Cr2B块体的制备工艺，首先，将Cr粉、B粉按摩尔比2：1迅速称重后装入球磨罐中，并加入一定量的过程控制剂，进行抽真空并充入氩气保护。然后，将球磨罐放入球磨机中球磨5-20小时，将Cr、B混合粉快速充填到石墨坩埚中。最后，将盛放混合粉的石墨坩埚放入等离子活化真空烧结炉中进行真空压力烧结，烧结温度为1100℃-1600℃；保温时间为5-20分钟，随烧结炉一同冷却。本发明中制备过程简单，制备的Cr2B块体材料可用于钢板、钢锭等的镀锌的行业。
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本发明公开了一种自耗电极电弧熔炼炉制备CuWCr复合材料的方法,先按质量百分比将Cu粉、W粉、Cr粉放入混料机中混合,再将混好的粉料进行模压或冷等静压;然后将压制好的坯料置于真空烧结炉内,在真空度大于10-2Pa的真空环境下升温至950℃～1050℃进行烧结,得到CuWCr烧结坯。最后将CuWCr烧结坯放在真空自耗电极电弧熔炼炉内,在真空环境下进行熔炼,使CuWCr坯料在电弧高温作用下熔化滴落到水冷铜坩埚内,冷却后取出,即得到CuWCr复合材料。本发明将熔炼和定向凝固结合在一起,能够制备出组织均匀细小、耐电压强度高、致密度高、气体含量低、杂质少等综合性能优良的CuWCr复合材料。
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本发明公开了一种溅射靶材用钼铌合金板的制备方法,该方法为:一、将铌粉和费氏平均粒度为3μm～8μm的钼粉按照1∶9的质量比置于混料机中混合得到混合料;二、对混合料进行振动压制,得到钼铌合金粉末压坯;三、将钼铌合金粉末压坯置于真空烧结炉内烧结,制得钼铌合金板坯;四、对钼铌合金板坯进行机械切割,得到所需尺寸的溅射靶材用钼铌合金板。本发明的方法工艺流程简单,易于实现工业化生产,成品率高,制备过程不会产生任何废料、废酸等污染物。采用本发明的方法制备的钼铌合金板的密度不低于9.85g/cm3,满足溅射靶材的要求。
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一种不锈钢网和金属纤维毡复合滤网的制备方法,涉及一种用于化工、冶金等过程的过滤用的不锈钢金属网与不锈钢纤维毡复合材料的制备方法。其特征在于是将不锈钢方孔网和不锈钢纤维毡叠放在一起后用二辊轧机中压制后,进行真空烧结而成。采用本发明的方法,制得了具有高过滤性能、高强度、结合力强的不锈钢纤维复网毡。
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本发明公开了一种金属纤维梯度孔吸声材料及其制备方法,其金属纤维梯度孔吸声材料由叠放在一起的多层金属纤维多孔材料层组成,多层金属纤维多孔材料层烧结为一体且其孔径大小或孔隙度大小由上至下呈梯度排列;其制备方法包括步骤:一、铺制单层金属纤维毡,二、制备多个金属纤维多孔材料层,三、采用真空烧结炉分别对多个金属纤维多孔材料层进行低温烧结;四、平整处理;五、叠放;六、采用真空烧结炉对叠放在一起的多个金属纤维多孔材料层进行高温烧结。本发明制备工艺步骤简单、实现方便、所用设备均为常用设备、投入成本低且可操性强,所生产的金属纤维梯度孔吸声材料性能优越,具有优良的全频吸声性能,可广泛用于噪声控制领域做吸声内衬。
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本发明公开了一种电弧熔炼与熔渗法制备CuWCr复合材料的方法,先将Cu粉和Cr粉放入混料机中混合,将混好的料进行模压或冷等静压,将压制好的坯料置于真空烧结炉内,在真空环境下进行烧结,得到CuCr熔渗坯。然后,将W粉进行模压或冷等静压,控制W坯的孔隙率;将W坯置于真空烧结炉内,在真空环境下烧结使其成为W骨架。最后,将W骨架置于自耗电极电弧熔炼炉水冷铜坩埚底部,在W骨架上放置制备好的CuCr熔渗坯,在真空环境下,熔炼CuCr熔渗坯,使CuCr熔渗坯在电弧高温下熔化后熔渗到W骨架中,冷却后得到CuWCr复合材料。本发明方法获得的CuWCr复合材料耐电压强度高、电导率高、杂质含量少。
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本发明公开了一种高温气体净化用多孔材料，由以下质量百分比的成分组成：Cr？10％～20％，Al？5％～12％，Fe？1％～3％，Y？0～0.1％，余量为Ni和不可避免的杂质。本发明还提供了该多孔材料的制备方法。本发明的多孔材料由于主元素为高温合金主要元素Ni和Cr，不仅继承了高温合金强度高、韧性好，可焊性良好的优点，最高使用温度可高达800℃，而且由于添加了较高含量的Al，使用过程中在多孔材料孔壁表面生成了致密稳定的氧化铝薄膜，保证了其具有优异的高温复杂气氛腐蚀抗力。采用粉末分级和压制工艺保证了多孔材料的均匀性，并且采用真空烧结工艺，使多孔材料在强度、韧性和过滤性能方面具有良好的综合性能。
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本发明公开了一种节流及微流量精确控制用金属多孔材料芯体的制备方法,该方法为:将粒度为-80～-500目范围内的金属粉末直接放入致密管中模压成型,成型压力为2.5～5.0MPA,然后采用加压烧结方法,压力为2～15KPA,于600～1300℃温度下真空烧结,获得孔隙度为10-40%的金属多孔材料微流量控制芯体,其内芯为多孔材料,外壳为致密材料。本发明工艺简单,制备的多孔材料的孔隙度随着原始粉末的粒度、压制压力和烧结温度的变化而不同,从而可以调节微流量控制器流量的变化,达到不同的节流效果;当测试压力为0.18～0.2MPA时,气体流量在1.0～800SCCM范围内可调,提高了节流器的使用寿命和可靠性。
本发明公开了一种利用CuCr金属粉末制备铜铬合金电触头自耗电极的工艺，包括：S1、按比例称取金属铜粉和铬粉，并混合均匀；S2、将上述混合粉末在冷等静压设备中进行冷等静压压制成棒料；将棒料在真空烧结炉中进行真空烧结，形成烧结坯；将烧结坯在电弧熔炼炉中进行电弧熔炼，形成铸锭；将铸锭进行热变形成棒料；S3、将步骤S2所得棒料进行退火处理，然后将棒料采用电子束焊连接成一定长度的电极棒；最后将电极棒置入电弧熔炼炉中进行自耗重熔；本发明工艺结构设计合理，能够显著降低熔炼后铜铬合金材料中的气体含量，提高铜铬合金触头材料的使用稳定性。
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本发明公开了一种多孔镍金属复合材料及其制备方法，涉及粉末冶金模压生产工艺技术领域。本发明以下工艺步骤：S1.配料，将镍金属粉末与粘合剂均匀混合；S2.压制成型，将混合好的镍金属粉末充填入粉末成型机的压制模具中进行常温下的压制成型，得到特定形状的镍金属件生坯；S3.烧结成型，将特定形状的镍金属件生坯放入真空烧结炉中的金属钼载体中进行真空烧结成型，烧结温度为1200℃～1350℃，烧结时间为2h～4h，得到高强度的镍金属件；S4.烧结成型之后，取出镍金属件，将镍金属件进行研磨表面处理。本发明生产工艺无切削加工工序，加工效率高、精度高、镍金属材料无变性、强度高、可直接制成多孔半致密或全致密材料和制品。
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本发明公开了一种Ti‑3Cu抑菌材料的制备方法，涉及抑菌材料制备领域。该制备方法包括：将钛粉与铜粉按混合后，球磨3‑6h；在温度为650‑700℃下，对混合粉体真空烧结1‑1.5h；在氩气保护以及温度为750‑950℃下，继续烧结0.5‑1.2h，并在氢气与氩气保护以及温度为750‑950℃下，对烧结熔体进行超声处理3‑10min；烧结熔体降温至700‑750℃后加压并保温2‑3h，降温至400‑450℃并保温5‑10h；冷却至室温并切割，得到Ti‑3Cu抑菌材料。本发明提供的Ti‑3Cu抑菌材料的制备方法，可增加固溶后Ti‑3Cu合金晶界处产生的Ti2Cu相，并提高Ti2Cu相在Ti‑3Cu合金基体中的弥散分布率，从而实现了Ti‑3Cu合金对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌具有更强的抗菌能力。
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本发明公开了一种碳化物原位增强钛及其合金多孔支架的制备方法，在含有钛源的悬浊液中加入蔗糖和石墨烯，混合均匀后注入模具中经冷冻干燥、真空烧结，即可得到碳化物原位增强钛及其合金的多孔支架。本发明利用冷冻干燥技术，控制蔗糖和石墨烯在孔壁中的分布，在真空烧结过程中位于孔内壁的蔗糖和孔壁中的石墨烯与钛原位反应生成增强相碳化钛，通过调控蔗糖和石墨烯的加入量，控制碳化钛在孔壁中的生成量，从而获得强度高、基体与第二相界面结合良好、耐冲击的钛及其合金支架，在航空航天、汽车制造、生物医学等领域有广泛的应用前景。
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本发明公开了一种高机械强度烧结钕铁硼永磁体的制造方法，该方法为：一、以稀土元素、铁、钛、钴和硼铁合金为原料，称取各原料；二、将称取的原料混合后置于甩带炉中，采用速凝工艺制备速凝片；三、将速凝片在室温下饱和吸氢，然后脱氢制成氢爆粉，再将氢爆粉经气流磨工艺制成磁粉；四、将磁粉取向成型，压制成磁块，再置于真空烧结炉内真空烧结后进行回火热处理，得到毛坯；五、对毛坯进行机械加工，清洗除油，酸洗处理，得到抗弯强度不低于500MPa，冲击韧度不低于7.5KJ/m2的高机械强度烧结钕铁硼永磁体。本发明大大降低了烧结钕铁硼永磁体的加工难度，扩展了钕铁硼永磁体的使用范围，经济潜力巨大。
本发明公开了一种利用等离子旋转电极气雾化制备CuCrNbZr合金粉末的方法，包括：S1称取各原料并进行配料得到合金粉末；S2将合金粉末混匀后，通过冷等静压预制得到电极棒；S3真空烧结，将电极棒预热，然后放入真空烧结炉中进行烧结，随后冷却得到烧结坯料；S4将烧结坯料作为自耗电弧熔炼炉电极，在真空自耗电弧熔炼炉内进行电弧熔炼，得到熔炼后电极棒；S5将熔炼后电极棒作为雾化电极棒，利用等离子旋转电极气雾化制粉，得到CuCrNbZr合金粉末。本发明通过调整Cr与Nb之间的比例，在雾化过程中率先形成细小的Cr2Nb相分布在球形粉末的边缘，在高温条件下可以阻碍晶粒的长大，因此具有优良的耐高温性能。
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一种AlN颗粒增强Mg-Al基复合材料的制备方法，将镁粉、铝粉、AlN粉以及硬脂酸称量后装入有氩气保护的尼龙球磨罐里，放在滚轮研磨机上通过低速长时间的球磨混合制成混合均匀的粉料，然后在钢制模具中通过双向加压压制成预制块生坯，最后将生坯放入石墨坩埚中，装入真空烧结炉内，对烧结炉进行预抽真空，然后通入氩气，在氩气保护下加热烧结。本发明制备的AlN颗粒增强Mg-Al基复合材料分布均匀，致密度高，界面结合良好，具有良好的力学及物理性能，同时避免了高活性的镁粉在高能球磨时易燃烧而发生的危险，以及过量的界面反应等问题。
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本发明公开了一种制备金属多孔材料的低温动态约束加载烧结方法,制备过程为:将待烧金属坯料或粉末直接装入烧结模中,在所述待烧金属坯料或粉末上放置带限位块的耐热加载重物,利用所述加载重物的重力对所述待烧金属坯料或粉末施加压力,然后将烧结模置于真空烧结炉中,在低于普通金属多孔材料烧结温度下进行低温动态约束加载烧结,即制得金属多孔材料。本发明采用的低温动态约束加载烧结方法是在普通的粉末冶金真空烧结炉中,采用结构简单的加载模具,利用模具的自重现象使热软化的金属颗粒互相粘结,在低温下完成金属多孔材料的烧结,避免了金属高温晶粒长大现象,金属多孔材料的尺寸大小可调、孔隙度可控,工艺简单,大大地降低了生产成本。
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一种多相二硼化钛/碳氮化钛金属陶瓷及其制备方法，将TiB2、Ti(C,N)、Fe、Ni、Cr、Mn、Si以及C粉末，按一定重量百分比混合均匀，然后在氩气保护下进行湿磨，干燥，得到粉体；再将粉体装入金属模具中，在100～400MPa压力下模压成型，然后真空烧结，得到多相TiB2/Ti(C,N)‑304不锈钢金属陶瓷。本发明过程工艺简单，成本低廉，适合工业应用；制备的金属陶瓷成分简单、不含W、Co战略稀缺资源，使用Ni含量少。硬度可达88HRA，能用于磨损、氧化腐蚀、磨损与氧化腐蚀交互作用，酸性腐蚀以及磨损与酸性腐蚀交互作用的严酷工况。
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本发明提供了一种采用球形钨粉和雾化铜粉制备CuW90材料的方法，具体包括：原材料的预处理：将球形钨粉和雾化铜粉按照质量比9:1的比例称量后混合得到预处理后的原材料，备用；3D胚磨的制备：将预处理后的原材料采用激光3D打印成所需要的复杂零件的3D胚磨；3D胚磨的真空烧结：对复杂零件的3D胚磨进行真空烧结制备得到CuW90材料；本发明提出的制造方法，能够有效地解决CuW90零件的复杂形状，能够对机械无法加工的CuW90材料的零件进行制造，有效地弥补了行业的空缺；采用本发明制造方法制备的零件均可达到CuW90性能指标，能够达到96.5％以上的致密度。
本发明公开了一种TiB2增强Fe‑Cr‑B合金基复合衬板的制备方法，该方法包括：一、将TiB2粉与Fe‑Cr合金粉加入至聚乙烯醇溶液中搅匀得TiB2陶瓷坯料；二、压制得TiB2陶瓷坯体；三、真空烧结得TiB2陶瓷块；四、破碎成TiB2陶瓷颗粒后与Fe‑Cr合金粉加入至乙醇中混匀，经真空烧结得预制体；五、预制体浇注Fe‑Cr‑B合金液得复合衬板。本发明通过Fe‑Cr合金增强了TiB2陶瓷颗粒与Fe‑Cr‑B合金基复合衬板内部界面的结合强度，提高了复合衬板的耐磨性能，改善其质量，简化了表面处理工艺，节省了制备成本，解决了陶瓷颗粒与基体界面结合能力差影响材料耐磨性能的难题。
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本发明涉及一种高强高导高软化温度的铜包弥散铜导电杆的制备方法，具体涉及真空开关用灭弧室导电杆类材料技术领域。具体方法步骤包括：1)弥散铜合金粉制备；2)冷等静压法制备心部弥散铜棒，压制压为150～300MPa，保压时间为3min～10min；3)真空烧结心部弥散铜棒，烧结最高温度800～1080℃，保温时间30～240min，真空度＞5pa；4)外层铜套的制备；5)心部弥散铜棒装嵌外层铜套内，并进行真空电子束封口；6)挤压，挤压温度600～1050℃；7)冷拉拔。总之，本发明具有高强度、高导电率、较高的软化温度、以及钎焊性能好等优点，完全满足灭弧室导电杆的使用要求。
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