本发明属于一种光电薄膜制备技术领域,具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是:通过Ga2O3高纯(99.995%)粉体制胚并真空烧结,再粉碎成粒后作为起镀材料,采用e型枪对起镀材料进行直接真空蒸发,使起镀材料气化成分子或原子沉积在衬底材料上,并通过控制沉积速率和沉积氛等关键工艺参数,最终获得大面积高纯度的Ga2O3薄膜。本发明方法制备成本低、重复性好、工艺要求简单、可控性好,所获得的薄膜呈现各向同性的非晶结构,在可见‑近红外范围透过较高,吸收较小,不仅适宜于光学应用,并且通过后退火处理,使其晶化后具有紫外光电探测和气敏等特性。
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