辽宁大连有色金属冶金技术理论与应用

高温储能相变材料及其制备和应用 1072     

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本发明涉及一种高温储能相变材料及其制备和应用,采用A1-Mg-Sn三元合金体系通过高能球磨及粉末冶金的方法制备。Al-Mg-Sn三元合金中,Mg的质量百分含量为25%-35%,Sn的质量百分含量为5%-10%。本发明特点在于相变潜热高,相变稳定性及可逆循环性好。本发明可为解决工业余热回收、热电厂特别是太阳能发电厂热能储存与运输萧峰填谷、能源的高效利用提供可能。

通过造渣促进电子束精炼镍基高温合金脱硫的方法 885     

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本发明提供一种通过造渣促进电子束精炼镍基高温合金脱硫的方法，包括如下步骤：S1、高温合金原材料的预处理；S2、电子束精炼提纯镍基高温合金，得到高纯的FGH4096高温合金铸锭。本发明将造渣冶金深脱硫工艺和电子束精炼技术相结合，利用脱S反应发生在3CaO·A1₂O₃熔渣与合金液的界面上的原理，通过在原料底部添加CaO‑A1₂O₃‑CaF₂系渣剂，依靠熔渣上浮脱硫的过程，对镍基高温合金熔体进行深脱硫。除此之外还利用电子束诱导凝固技术对夹杂物及渣剂进行诱导去除，进一步减少了造渣所引起的冶金污染问题，提供了一种促进电子束精炼镍基高温合金深度除硫的方法。

去除多晶硅中硼的方法 1177     

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本发明提供一种去除多晶硅中硼的方法，包括以下步骤：向待提纯硅料中添加金属，制成混合料；将混合料加热至熔融态成为改性的硅液，向改性的硅液中加入SiO2-CaO-X渣剂进行造渣熔炼提纯；熔炼提纯后，倾倒分离渣和硅液，将所述硅液冷却后得到硼含量较低的多晶硅；其中，所述金属为Ti、Sn、Al、Fe、Cu和Mn中一种或多种；所述SiO2-CaO-X渣剂中X为Na2SiO3、Na2CO3、Al2O3、Li2O、BaO、TiO2和CaF2中的一种。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多缺点，采用该方法制备的多晶硅中硼含量符合太阳能级多晶硅的要求。

生产铝合金复合管材、棒材及线材的方法 677     

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本发明涉及有色金属加工技术领域，一种生产铝合金复合管材、棒材及线材的方法，包括以下步骤：1、熔炼，按芯材和皮材化学成分分别配制铝合金原料，并分别在两个熔炼炉中进行熔炼2、复合铸造，先将芯材熔体浇注到芯材结晶器中，再将皮材熔体浇注到芯材凝固壳与皮材结晶器形成的空腔中，启车铸造，获得复合铸棒或管坯；3、均匀化退火，将复合铸棒或管坯加热到均匀化温度；4、热加工，将复合铸棒或管坯经过锯切、车皮、加热，再进行反向挤压得到复合棒材或进行穿孔加反向挤压得到复合管材；5、冷加工，将复合管材或棒材进行加热、拉伸，得到H状态的复合管材或棒材，6、控制产品状态，将步骤4得到的复合管材或棒材退火加热，得到O状态复合管材或棒材。本发明降低了生产成本、确保了产品品质的稳定性。

超高功率石墨电极及其制造方法 842     

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本发明公开了一种超高功率石墨电极及其制造方法，制备所述超高功率石墨电极的原料包括石墨烯、针状焦、粘结剂、焙烧碎和石墨碎，原料经过煅烧及配料、混捏、压型、一次焙烧、浸渍、二次焙烧、石墨化、机械加工至成品。本发明的超高功率石墨电极生产时加入了石墨烯粉体改性，石墨烯粉体分散在石墨电极生坯中，进行石墨化工序时，石墨烯粉体既可以作为晶核使周边的碳原子在其上继续进行晶体生长，形成尺寸更大的石墨层状晶体，或生成多晶，又可以诱导周边碳原子从非晶质向晶质进行转化，生成新的石墨层状晶体，从而大幅度提高产品的石墨化程度，降低产品的电阻率，同时提高了产品的抗折强度。

电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备 741     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备,设备采用真空盖、真空炉壁及装粉盖构成真空设备,真空设备内腔为真空室;真空室内上部装有装粉桶,装粉桶底部带有出料口,出料口装配有外驱式挡粉板,装粉桶出料口底部装有坩埚,坩埚底部装有拉锭机构,拉锭机构上装有硅锭,电子枪安装在真空室上部,电子束流对准硅锭。本实用新型设备结构简单,同时进行电子束熔炼粉体硅料和定向凝固,用电子束快速去除杂质磷,用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求。本实用新型成本低,适合批量生产。

含多种原位增强颗粒的稀土镁基复合材料的制备方法 781     

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本发明属于冶金技术领域,涉及一种可同时制备含多种原位增强颗粒的镁基复合材料的方法。其特征是将Al粉、Ti粉、B粉或Al粉、Ti粉、C粉配制混合,粉末球磨后,在室温下压制成预制块;在熔炼稀土镁基熔体中添加稀土元素,将压制后的预制块加入到稀土镁合金熔体中,采用自蔓延高温合成法原位合成含增强颗粒的镁基复合材料熔体;预制块被打碎、分散,残余Al与稀土元素反应析出金属间化合物。本发明可用于多种原位颗粒增强稀土镁基复合材料的制备,降低了对基体合金的影响,与基体有良好的润湿性;颗粒增强相在基体中均匀分布,增强效果明显提高,并且制备工艺简单,生产成本低,适于大批量工业化生产。

太阳能级高纯多晶硅的制备方法 924     

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本发明提供一种制备太阳能级高纯多晶硅的制备方法,它是一种采用物理化学法制备太阳能级多晶硅的生产方法。本方法以冶金级工业硅为原料,通过粉碎获得含水量低于3%、粒度为50～100nm的硅粉物料,经两次酸浸、清洗、干燥,真空熔炼和定向凝固获得纯度可达99.999%以上的多晶硅产品。本发明的制备方法易操作,耗电量小、生产成本低,易实现大规模、工业化生产。

利用生产炭化硅而副产石墨块的方法 1092     

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本发明所述的利用生产炭化硅而副产石墨块的方法是属于冶金领域中一种采用炭化硅生产工艺生产炭化硅的同时又生产出质量好、经济性好的附属产品石墨块的新方法。本发明的方法是废物利用,将生产炭化硅工艺中的炉芯料,用焙烧废料炭块替代,在装窑时计算好炉芯体积和电流密度,分层填装,既保持炭化硅的产量和质量,又保证副产品电解石墨的产量。略改变送电曲线减少用电量,生产不墨块。本发明具有操作简单、产品质量好、经济效益大等特点。

铬提取和有害废物治理回收并制备铬化合物的方法 832     

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本发明提供了一种铬提取和有害废物治理回收并制备铬化合物的方法，属于湿法冶金和资源回收领域。本发明以含铬固体为原料，先用酸浸，使铬、铁、铝三种元素充分溶解，过滤得到滤液；在弱酸性条件下，加入还原剂选择还原，使六价铬全部转化为三价铬；然后调节溶液pH，加入氧化剂选择氧化，使二价铁全部转化为三价铁；一并置于反应釜中，低温恒温水热一段时间；对反应后的产物进行过滤、洗涤、干燥，得到滤饼与滤液。滤饼为含Fe沉渣，洗涤液返回重复使用。调节滤液pH，加入水化剂，高温恒温水热一段时间，得到含Cr化合物，洗涤、干燥、焙烧得到氧化铬。调节滤液和洗涤液pH，得到含Al固体，洗液洗涤液重复使用。

电子束层覆诱导凝固技术高纯化制备镍基高温合金的方法 888     

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本发明公开了一种电子束层覆诱导凝固技术高纯化制备镍基高温合金的方法，具有如下步骤：S1、原料准备；S2、熔炼前准备；S3、电子束层覆熔炼。利用本发明制备的镍基高温合金铸锭，降低了铸锭宏观偏析；在电子束诱导凝固技术下，大幅度提高了铸锭的纯净度及冶金质量；可实现大型铸锭的工程化制备，并且将出成率从传统技术的小于70％提高到85％以上。

四电极直流电熔镁炉及使用方法 714     

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本发明提供一种四电极直流电熔镁炉及使用方法，属于冶金与矿业技术领域。包括直流供电电源、柔性短网、电极垂直升降机构、电极水平移动机构、电极倾斜控制机构、石墨电极、把持器和炉壳。所述直流供电电源通过柔性短网与石墨电极连接，电极倾斜控制机构通过把持器与石墨电极上端连接，石墨电极下端设置在炉壳内；电极倾斜控制机构能够调整石墨电极的倾斜角度。本发明四电极直流电熔镁炉与现有直流电熔镁冶炼相比，在相同熔炼电压情况下熔炼功率扩大一倍，注入功率高，能够解决直流电熔镁炉熔池小、偏弧等问题，提高大结晶电熔镁产率，促进直流供电技术在电熔镁行业的工业应用。

电子束诱导精炼浇铸技术制备高纯镍基高温合金的方法 795     

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本发明公开了一种电子束诱导精炼浇铸技术制备高纯镍基高温合金的方法，步骤为电子枪预热完毕后，对第一水冷铜坩埚内的小圆柱进行电子束熔炼，并收束至铸锭一侧边缘；待铸锭全部凝固后再次开启电子枪，电子束斑从铸锭最后收束区相对的一侧向铸锭最后收束区均匀缓慢的扫描铸锭表面，保证电子束斑扫描过的位置处的合金全部熔化，扫描至靠近铸锭最后收束区处停止扫描；将第一水冷铜坩埚中的熔融合金浇铸至第二水冷铜坩埚；电子束熔炼炉冷却后，取出精炼后的镍基高温合金。本发明在电子束精炼镍基高温合金的基础上实现了高纯合金熔体与杂质的有效分离，电子束诱导精炼与浇铸相结合，缩短了镍基高温合金铸锭的生产周期，提高了铸锭的纯净度及冶金质量。

合金化分凝提纯工业硅的方法 678     

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本发明属于冶金法提纯工业硅的技术领域。一种合金化分凝提纯工业硅的方法,具体步骤如下:(1)酸洗除杂:采用无机酸溶液对工业硅粉进行酸洗除杂,清洗、过滤、干燥;(2)合金化熔炼:以酸洗后的硅粉和金属铝为原料,在一定温度下进行合金化熔炼,缓慢冷却到550℃,自然冷却到室温,破碎,得到铝硅合金粉;(3)分离硅:采用锌液溶解铝硅合金中的铝,分离得到铝锌熔体和固体硅粉;(4)锌铝分离:进行铝锌熔体的真空蒸馏分离,气相冷凝得到金属锌,铝液冷却得到铝锭;(5)硅提纯:固体硅粉采用无机酸溶液进行酸洗提纯后得到高纯硅。本发明方法工艺简单,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高,环保效益好。

高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法 843     

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本发明属于硅和铝提纯的技术领域。一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法，具体步骤如下:(1)合金精炼提纯：采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼，去除冶金硅中的杂质硼，从而得到铝硅合金；(2)电解分离：铝硅合金作为阳极，不锈钢作为阴极，低温熔盐作为电解液，进行恒电流电解，阳极富集的阳极泥为多晶硅，阴极富集铝；（3）后处理：将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥，获得低硼的多晶硅，将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。本发明有效去除冶金硅中的杂质硼，其提纯效果好，环保效益高。铝的回收利用率达到93%以上，纯度达到99.999%以上。

电子束诱导定向凝固除杂的方法 718     

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本发明属于多晶硅提纯的技术领域，特别涉及一种利用电子束诱导技术进行定向凝固除杂的方法。该方法首先取铝、钙含量高的冶金级多晶硅，将其清洗烘干后置于坩埚内，抽取真空后启动电子枪，以400-700mA的束流轰击多晶硅，至全部熔化，形成熔池，持续熔炼30-60min；然后采用对数降束的方式降低电子束的束流，待电子束束流降低到100-150mA时，停止降束，熔体缓慢凝固形成铸锭，关闭束流，可得到低铝、低钙的多晶硅铸锭。本发明充分利用了杂质在硅中的蒸发效应和分凝效应，实现了电子束熔炼蒸发与定向凝固两种除杂方式的优势互补，保证了一次熔炼后杂质铝和钙可以被去除到满足太阳能电池性能要求的程度，减少了工艺环节，降低了能耗，有利于大规模推广应用。

电子束高效提纯多晶硅粉体的设备 1132     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的设备,设备中由真空盖、炉壁和装粉盖组成真空设备,真空设备内腔是真空室;真空室内上部装有装粉桶,装粉桶顶部带有装粉盖,装粉盖位于真空炉壁上,装粉桶底部带有出料口,出料口装配有外驱式挡粉板,装粉桶出料口底部装有熔炼坩埚,熔炼坩埚底部通过支撑杆固定在真空室底部,熔炼坩埚出料口下方放置拉锭机构,电子枪安装在真空室上部,电子束流对准硅块。本实用新型设备简便、技术稳定、能源消耗少、成本低、整个设备同时应用电子束熔炼硅粉和定向凝固技术,从而实现除磷和除金属的双重效果,适合批量生产硅材料。

稀土钨电极材料的制备方法 1042     

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本发明属于冶金熔炼技术领域，特别涉及一种熔炼制备钨电极材料的方法。该方法首先将钨粉和稀土氧化物粉充分混合得到混合粉，再通过热压成型对混合粉进行处理得到钨基块状混合物；然后采用电子束真空高温熔炼钨基块状混合物，凝固冷却后得到稀土钨合金锭；最后将稀土钨合金锭在真空下进行热处理，得到稀土钨电极材料。本发明利用电子束提供极高密度的能量熔炼稀土钨材料，熔炼后得到的稀土钨电极材料致密度较高，与热压烧结相比，电子束熔炼技术在制备难熔金属方面，具有明显的优势，取得的组织更优良，通过掺入一定量的稀土氧化物提高电极材料的性能，通过分析显微硬度的变化，可判定稀土氧化物的添加对电极的硬度会有一定程度的提高。

电子束高效提纯多晶硅粉体的方法及设备 840     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法,第一步备料:将低磷、低金属的高纯硅料放入底部带冷却的熔炼坩埚中,向装粉桶中加入需提纯的高磷、高金属硅粉;第二步预处理:对真空室进行抽真空;对熔炼坩埚及拉锭机构冷却至25-45℃;预热电子枪;第三步提纯:打开电子枪进行熔炼,去除挥发性杂质磷;熔炼后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金属杂质聚集于硅锭上部;关闭电子枪,继续抽真空15-30分钟,打开放气阀放气,打开真空盖,取出硅锭切去硅锭上部含金属杂质较多的部分即可。本发明同时实现电子束熔炼硅粉除磷和定向凝固除金属的双重效果,达到高效熔炼硅粉,快速除去杂质的目的。

粉体均匀下落的装置 750     

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本实用新型涉及冶金熔炼领域一种粉体均匀下落的装置,驱动机构安装于炉壁外壁之上,炉壁内腔即为炉室,装粉桶安装于炉室内壁上,转动主轴上端通过轴承安装于炉壁上,其下端通过轴承安装于装粉桶中心,装粉桶桶底开设有若干个落粉通孔,连接杆固定安装于转动主轴底端,连接杆自上到下固定套装旋转片和蒸汽档板,旋转片和蒸汽档板上分别开设若干个落粉通孔。本实用新型结构紧凑,通过驱动机构在炉外驱动旋转片转动,实现粉体周期下落,搅动器和装粉桶的倾斜侧壁可实现粉体的顺利下落,分散分布的落粉通孔实现粉体均匀下落,实现粉体的周期性、均匀性、可控性的下落,达到冶金熔炼快速除杂的目的,具有结构简单,精确控制,操作方便的优点。

采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法 1130     

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本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束进行电子注入,从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉,然后将其置于电子束熔炼炉中,低束流电子束轰击硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应,结合硅材料本身的特点,增强了硅料自身的微电场,在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,从而达到去除杂质硼的目的,以满足太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,稳定性好,能耗小,成本低,工艺简单,周期短,生产效率较高。

多晶硅定向凝固设备 684     

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本发明一种多晶硅定向凝固设备属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种用定向凝固方法熔炼多晶硅的设备。该设备外壳的内腔为真空室,真空室内由上耐热纤维保温套、方形侧耐热纤维保温套、下耐热纤维保温套构成封闭的保温区间;在下耐热纤维保温套中部开有一个锥形孔,与拉杆固定相连的耐热纤维散热屏插入其中;多晶硅定向凝固设备有一个支撑台,它由框架形支架和安装在框架形支架上的左、右滑动拉杆构成;设备外壳固定在框架形支架上。该设备有效控制液态多晶硅的散热方式,保证温度梯度始终保持一个方向,使液态多晶硅沿底部单一方向散热,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、侧境污染小的特点。

原位颗粒增强镁基复合材料的电磁/超声制备方法 942     

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一种原位颗粒增强镁基复合材料的电磁/超声制备方法,属于冶金技术领域,公开一种用电磁连铸技术制备镁基复合材料的方法。其特征是熔炼添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的镁基熔体;选择AL-TI-C或AL-TI-B增强体系,采用自蔓延高温合成法原位合成含增强颗粒的镁基复合材料熔体,对镁基复合材料熔体施加电磁/超声复合搅拌;最后采用连铸工艺将镁基复合材料熔体连铸成型,并且在结晶器范围内施加电磁场和超声场,获得多相增强镁基复合材料连铸坯。本发明的效果和益处是将复合材料自蔓延反应法与电磁连续铸造技术、超声波技术有机地结合,得到表面光洁、颗粒增强相在基体中均匀分布、增强体与基体结合良好的镁基复合材料连铸坯,制备工艺简单。

增强合金化分凝提纯多晶硅的方法 1019     

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本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理，然后在氩气保护下使原铝完全熔化，之后向熔融的铝液中加入工业硅，升温至1100-1200℃进行合金化熔炼，完全熔化后加入金属或金属氧化物，保温之后缓慢冷却，硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部，将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存，最后对初晶硅进行无机酸处理，去除残余金属及硼化物，之后进行烘干处理，即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si-Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO2等微量金属或金属氧化物，从而达到去除硅中硼杂质，使硼含量达到满足太阳能级硅的要求，实用性强，工业生产周期短，节能降耗环保，技术稳定，生产效率高。

基于固/气共晶定向凝固制备多孔材料的方法 832     

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一种固/气定向共晶凝固制备多孔材料的方法。利用本发明的设备和工艺,通过提高工作压力、增加和控制冷却速度、降低非金属杂质含量,使熔炼速度比现有技术提高2～10倍,并可直接监测金属熔化及浇铸的全过程。制备的多孔材料,孔隙均匀(无论铸件径向上还是轴向上),材料内部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,还可以形成变截面的锥形孔腔。可应用于冶金机械、石油化工、能源环保、国防军工、核技术和生物制药等工业过程中的流体渗透与过滤控制、高效燃烧、强化传质传热、阻燃防爆、人工骨骼、辐射吸收和消音控制等,是实现各种技术突破的关键技术。

高铬含钒原料的提纯方法 961     

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本发明提供一种高铬含钒原料的提纯方法，包括以下步骤：一次焙烧：高铬含钒原料在400～600℃焙烧得到钒氧化物；碱浸：用碱液及氧化剂将冶金级的钒氧化物溶解，通空气氧化、并加入第一沉淀剂得到含钒浸出液；保持含钒浸出液温度不低于40℃，先调节溶液的pH到中性，再添加第二沉淀剂深度除硅，经压滤得含钒浸出液；加入第三沉淀剂浸出沉钒，水洗、抽滤得到偏钒酸铵；所述第三沉淀剂为含铵溶液和/或铵盐；将偏钒酸铵烘干；500～600℃焙烧成品偏钒酸铵，制备高纯V₂O₅。本发明提纯方法能避免钒铬分离过程引入的其他还原性杂质，提高了产品质量以及V₂O₅纯度。

电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备 783     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法,先通过电子束在低磷、低金属的高纯硅锭的顶部形成稳定熔池,后将需提纯的硅粉落入熔池熔炼,实现粉体的快速熔化去除硅粉中的挥发性杂质磷,同时进行定向拉锭使低磷多晶硅进行定向凝固生长,通过分凝效应去除多晶硅中金属杂质。本发明的显著效果是同时采取电子束熔炼粉体硅料和定向凝固的方式,用电子束快速去除杂质磷,用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求。本发明提纯效果好,技术稳定,工艺简单,生产效率高,节约能源,成本低,适合批量生产。

硅合金造渣提纯多晶硅的方法 715     

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本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种多晶硅提纯的方法。该方法采用金属与冶金硅进行合金化熔炼得到硅合金；后以硅合金为原料，加入碱性渣剂，进行造渣熔炼提纯；最后将熔体保温、冷却后依据密度差分离得到高纯硅、渣剂和硅合金，渣剂和硅合金回收重复利用。本发明通过向冶金硅中添加少量的金属元素，使其与硅形成合金熔体，有效降低了造渣提纯过程的熔炼温度，降低坩埚损耗，冷却过程中，杂质在硅与合金熔体之间具有分凝作用，有效降低了初晶硅中硼杂质的含量，提高提纯效果，最后利用硅、合金、渣剂之间的密度差，实现三相的分离，获得高纯度的多晶硅，保证硅合金和渣剂的重复利用，并避免了后续酸洗提纯的试剂消耗以及合金元素的损失。?

去除工业硅中硼的方法 1130     

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本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中;再将石英环放入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除,有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。

去除多晶硅中杂质磷的方法及装置 803     

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本发明一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷去除的方法及装置。该方法中采用双电子束,用旋转水冷铜坩埚的方式使电子束可以充分对多晶硅进行熔炼,可以在熔炼过程中加料实现连续作业,去除多晶硅中杂质磷。将多晶硅料装入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖;然后抽真空,给左、右电子枪预热。所用的装置由真空装置盖与真空圆桶构成装置外壳,真空圆桶内腔即为真空室。多晶硅中有害的杂质磷用电子束熔炼去除,充分完全,有效提高了多晶硅的纯度,实现连续作业。方法效率高、装置简单、节约能源。