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本发明公开了一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置和方法，属于冶金领域，装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷熔炼坩埚内壁底部设有10～50mm石墨衬底，所述石墨衬底上表面有SiC膜层；在熔炼坩埚与硅熔体之间增加石墨衬底，由于石墨材质的热导率远远小于铜材质的热导率，所以在熔炼过程中会减少热量被水冷熔炼坩埚大量带走而带来的热量损失，从而达到节能的目的；加入石墨衬底后，若保持电子枪功率不变，可使熔炼时间缩短1/5～1/2；加入石墨衬底后，若保持熔炼时间不变，可使熔炼功率降低1/4～1/2；形成的SiC膜层可多次使用。
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本实用新型涉及冶金熔炼技术，具体涉及硅粉废料的回收熔炼设备。提出提出了一种金刚线切割硅粉的连续熔炼设备，包括熔炼炉、电极及供电控制系统，熔炼设备采用直流电弧熔炼方式，通过中空电极通氩气的方法来提高熔炼效率和减少硅粉氧化，采用底部感应连续出料系统，出料料道部分设计有感应加热线圈，可以随时对料道进行加热，实现连续放料功能。本实用新型具有结构合理、提纯效果好、熔炼效率高等优点。
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本发明公开了一种电子束熔炼高纯化制备Fe‑W中间合金的方法，具有如下步骤：对水冷铜熔炼坩埚中的原料进行电子束熔炼，得到熔融合金；将此时水冷铜熔炼坩埚中部分熔融合金倒入水冷铜凝固坩埚中，待此时倒入水冷铜凝固坩埚中的熔融合金的量能够满足其凝固后的厚度要求时，减小束流功率使水冷铜熔炼坩埚中的熔融合金凝固，并保持红热状态，以不流动为准，同时，水冷铜凝固坩埚中的熔融合金快速凝固；加大束流功率，使水冷铜熔炼坩埚中的红热状态的合金完全熔化；重复上述步骤直至水冷铜熔炼坩埚中熔融合金耗尽，得到位于水冷铜凝固坩埚中的Fe‑W中间合金。本发明可大幅度提高Fe‑W中间合金铸锭的冶金质量，同时降低了合金中杂质元素C、P的含量。
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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备,设备由炉门及真空炉壁构成真空设备,真空设备的内腔即为真空室;真空室底部固定安装拉锭机构,拉锭机构上安装熔炼坩锅,熔炼坩锅外套装加热装置,真空室底部还安装有水冷支撑杆,水冷铜坩埚安装于水冷支撑杆之上,加料装置固定安装于水冷铜坩埚上方真空炉壁顶部内侧,水冷铜坩埚通过导流装置连通熔炼坩埚,电子枪安装于真空炉壁顶部,放气阀安装于真空炉壁之上。本实用新型结构简单,构思独特,一台设备综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质,结构紧凑,设备集成度高,提纯效果好,生产效率高。
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本发明涉及冶金熔炼技术，具体涉及硅粉废料的回收熔炼方法及设备。提出了一种金刚线切割硅粉的连续熔炼方法，采用直流电弧熔炼技术，通过通入氩气提高主反应区的温度，有利于二氧化硅与还原剂充分反应，且能降低填料过程中硅粉的氧化，通过底部感应出料的方式，进一步提高了熔炼过程的效率，实现了连续出料。本发明还提出了一种金刚线切割硅粉的连续熔炼设备，包括熔炼炉、电极及供电控制系统，具有结构合理、提纯效果好、熔炼效率高等优点。
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本发明一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,涉及一种利用电子束熔炼技术去除多晶硅中磷和金属杂质的方法。该方法采用改变电子束束流大小,产生能量大小不同分布,去除挥发性杂质磷的同时实现定向凝固效果。首先取磷和金属杂质含量高的硅料洗净、烘干后置于电子束熔炼炉中,然后以高束流电子束完全熔化硅料;此后逐渐降低电子束的束流,在小束流下保温;关闭束流后冷却,最后取出硅锭,切去硅锭的顶部得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明去除磷和金属杂质效果好,采用电子束除磷和定向凝固去除金属的双重作用,提高提纯效率,减少工艺环节,技术稳定,周期短,节约能源,成本低。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法,先将需提纯的大块高磷、高金属多晶硅锭置于水冷升降托盘之上,后通过电子束熔化硅锭的顶部,熔化的硅熔液在由硅锭顶部、水冷铜套以及石墨套环形成的空间内形成浅熔池,熔炼一定时间后,去除杂质磷,此后升高水冷升降托盘,低磷硅熔液液面升高后通过导流口流入石英坩埚中,在保温作用下向下拉锭,进行定向凝固生长,金属杂质向硅锭顶部富集,凝固后切除硅锭顶部,去除金属杂质。本发明综合电子束浅熔池熔炼和定向凝固去除硅中的杂质磷和金属。多晶硅的纯度达到太阳能级硅的使用要求,节约能源,工艺简单,生产效率高,适合批量生产。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法,在真空度为0.001Pa以下的高真空条件下,先在熔炼坩埚中通过感应加热1430-1460℃熔化高纯多晶硅料,形成高纯硅熔液,并使其保持液态,然后升温使硅熔液温度达到1500-1600℃;高磷、高金属硅棒连续缓慢的加入硅熔液之中,杂质磷在浅层熔池中不断蒸发而得到去除,待高磷、高金属硅棒完全熔入熔池后,感应加热使熔炼坩埚中液态在1450-1500℃温度下保持一段时间,进行定向凝固,切去硅锭顶部金属杂质含量较高的多晶硅即可。本发明综合高温、高真空大面积浅熔池熔炼和定向凝固的技术,其提纯效果好,操作简单,节约能源,成本低,生产效率高,适合批量生产。
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本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法,首先,在高真空状态下,利用感应加热方式熔炼硅粉,去除多晶硅中的磷杂质,然后进行拉锭,利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单,同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质,实现了硅粉的熔炼,除杂效果良好,去除效率高,有效地利用了感应线圈加热温度高的特点,方法简单易行,集成了除磷和除金属的双重效果,产量大,适合大规模生产工业生产,提纯效果稳定。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和硼去除的方法。该方法使用两把电子枪发射电子束分别对多晶硅进行熔炼,同时采用双重工艺去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中杂质磷,将低磷的多晶硅进一步熔炼蒸发除硼,收集蒸发到沉积板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室由左右两个腔组成,中间由隔离板分割。本发明有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,效率高。
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本发明一种多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用感应线圈和石墨加热器复合加热的方式熔炼多晶硅的方法及装置。本方法同时采用感应加热和辐射加热两种方式对加热区进行复合式加热,使硅料熔化并进行熔炼,通过拉锭装置的运动使熔体脱离加热区,实现定向凝固。该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室内装有进行感应加热的感应线圈和进行辐射加热的石墨加热器。本发明有效地利用了感应加热的高效性和辐射加热的稳定性,保证了熔炼过程的稳定,减小了能耗,提高了加热效率,且该方法简单易行,适合大规模工业生产。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法,首先备料:将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中;再预处理:对坩锅水冷、电子枪预热;最后提纯:采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间,然后降低束流为零,待硅锭完全变暗,硅蒸气回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流,重复小束流熔炼和停止束流的操作多次,最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。本发明的显著效果是采用了电子束分次熔炼的技术,一方面降低硅的蒸发损失量,此方法提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节能降耗,周期短,生产效率高。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法,先通过电子束在坩埚中形成稳定的高纯硅熔池,然后将需提纯硅粉通过进料真空闸室连续落入熔池,快速熔化后熔炼,从而去除硅粉中的杂质磷,得到的低磷硅液周期性地从坩埚中溢出,在水冷倾斜铜槽中形成硅块,并落入收集筒中冷却,最后通过出料真空闸室连续出料,完成连续提纯多晶硅的工艺过程。本发明采取连续加料和连续出料的熔炼方式,采用电子束熔炼多晶硅可去除饱和蒸汽压高的挥发性杂质磷,达到高效、连续熔炼除杂的目的,纯度达到了太阳能级硅的使用要求,技术稳定,能耗小,成本低,生产效率高,适合大规模工业化生产。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,加热在熔炼坩埚中的造渣剂,并使其保持液态,同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液;将多晶硅熔液连续导入并分散于液态造渣剂中,熔炼反应去除杂质硼,待熔炼坩埚中液体装满时,停止加入多晶硅熔液,加热使熔炼坩埚中保持液态,熔炼后进行定向凝固,切去硅锭顶部杂质含量较高的多晶硅及废渣,即可得到硼和金属杂质含量较低的多晶硅锭。综合渣滤熔炼和定向凝固的技术去除多晶硅中的杂质硼和金属,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节约能源,成本低,生产效率高。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法,将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料;再预处理:将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中,对熔炼坩埚进行坩埚水冷,预热电子枪;采用小束流电子束轰击混合料,混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼,杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除,冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术,结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点,工艺更加简单,有效将电子束与造渣工艺结合,工艺条件温和易于操作,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液,并保持其液态,同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料,硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液,并熔炼去除杂质磷;除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中,在熔入的过程中,硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼,加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟,定向凝固,切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可。本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质,提纯效果好,生产效率高,适合批量生产。
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本发明涉及到一种粉矿悬浮磁化焙烧粉体急冷降温工艺余热锅炉，主要包括前置蒸发器、锁气器Ⅰ、悬浮床蒸发器、旋风分离器、锁气器Ⅱ、流化床换热器、流化风装置Ⅱ、汽包、除氧器、加药装置和排污系统。冶金工艺中粉矿悬浮磁化焙烧粉体通过前置蒸发器、悬浮床蒸发器及流化床换热器三段式降温工艺有效控制粉的降温过程和实现粉体不失磁的降温工艺。不仅能够有效利用粉体中的余热，降低企业生产能耗和生产成本，而且主要满足冶金选矿工艺要求和节能、降耗，具有可观的经济价值和社会效益。
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本实用新型公开了一种带有清理除渣机构的火法冶金设备，包括清理除渣装置本体，清理除渣装置本体包括移动环以及除渣刀环，移动环包括环形卡槽、滑动块以及限位孔，环形卡槽开设在移动环的顶部板面上，滑动块连接在移动环的外壁上，滑动块的数量不少于四个，且滑动块包括滚动槽以及滚珠，滚动槽开设在滑动块的前后两个板面上，每个板面上的滚动槽的数量不少于三个，且滚动槽的内部设置有滚珠，滚珠的表面与滚动槽的底面接触，限位孔开设在移动环的内壁上，将刀座设置成双层刀环结构，相较于传统的刀环，双层刀环结构不仅对冶金炉的内壁表面进行清理，而且对滑动块的移动轨道进行清理。
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不锈钢相对于普碳钢，机械性能更好，轧制变形抗力大。想要轧出合格的板带相比于普碳钢难度大一些。轧制普碳钢选择四辊轧机或者六辊轧机，轧制不锈钢选择多辊轧机。由于多辊轧机自身特点，为了大的轧制压下量等因素，工作辊直径很小，受空间限制，工作辊没有轴承座，只有一根光辊，辊身靠周边辊系支撑。其轴向固定不能像普通四六辊轧机那样锁住工作辊轴承座即可。既需要轴向固定工作辊，又需要承受工作辊径向旋转，所以开发一种新型工作辊轴向固定装置非常有必要。
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本发明钢渣辊式破碎风淬冷却干法处理装置及其工作方法，涉及冶金技术领域，尤其涉及液态与固态高温钢渣辊式破碎风淬冷却干法处理装置及其工作方法。
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本发明旋转式上升管石墨清扫装置及其使用方法，涉及冶金焦化技术领域，尤其涉及应用在顶装焦炉装煤车和捣固焦炉导烟车上的旋转式上升管石墨清扫装置。
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本发明提供了永磁直驱混铁车及其控制方法，用于实现混铁车自带动力行驶，提高混铁车的运用效率。
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本发明的目的是提供一种自动上料系统及使用方法，能够将开袋卸料时产生的粉尘收集回收，整个过程均在负压下进行，避免了对周围环境造成污染，改善了工人工作环境，避免卸料时吨袋的碎屑混入物料内污染原料，减少原料浪费，减轻工人的劳动强度，提高上料效率。
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本发明焦化除尘用焦油处理系统，涉及冶金焦化环保技术领域，具体而言，尤其涉及一种焦化除尘用的焦油处理系统。
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