辽宁大连有色金属冶金技术理论与应用

胶焊连接方法 1020     

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一种胶焊连接方法属于材料工程技术领域。涉及一种采用胶接和熔焊相复合的新型连接技术。其过程是,在两层待焊材料表面的搭接区域,涂上一层胶剂,然后采用熔化焊接热源进行搭接焊,从而实现接头的良好连接。本发明所达到的有益效果是,此种连接技术能够实现机械结合、冶金结合、化学结合的有效统一。导致结构件的承载载荷、疲劳强度、剪切强度均有较大幅度的提高。解决了难焊同种金属及异种金属的连接问题,降低材料损耗,提高材料利用率,能够满足实际工程的要求。适用于镁合金、铝合金、钛合金、钢铁等金属同种之间以及与异种金属之间的连接,可以获得高性能连接接头。

多晶硅定向凝固设备 603     

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本发明一种多晶硅定向凝固设备属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种用定向凝固方法熔炼多晶硅的设备。该设备外壳的内腔为真空室,真空室内由上耐热纤维保温套、方形侧耐热纤维保温套、下耐热纤维保温套构成封闭的保温区间;在下耐热纤维保温套中部开有一个锥形孔,与拉杆固定相连的耐热纤维散热屏插入其中;多晶硅定向凝固设备有一个支撑台,它由框架形支架和安装在框架形支架上的左、右滑动拉杆构成;设备外壳固定在框架形支架上。该设备有效控制液态多晶硅的散热方式,保证温度梯度始终保持一个方向,使液态多晶硅沿底部单一方向散热,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、侧境污染小的特点。

真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备 719     

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本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法,首先,在高真空状态下,利用感应加热方式熔炼硅粉,去除多晶硅中的磷杂质,然后进行拉锭,利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单,同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质,实现了硅粉的熔炼,除杂效果良好,去除效率高,有效地利用了感应线圈加热温度高的特点,方法简单易行,集成了除磷和除金属的双重效果,产量大,适合大规模生产工业生产,提纯效果稳定。

开孔Al-Cu吸声材料及其制备方法 923     

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本发明公开一种开孔Al-Cu吸声材料及其燃烧反应合成的制备方法,改进了现有材料及制备方法存在的问题。开孔Al-Cu吸声材料的成分是Al-Cu金属间化合物,材料内部小孔相互联结贯通,孔隙率约为62.5%,吸声系数最高可达到0.735。制备采用燃烧反应合成法工艺:粉末原料Al粉和Cu粉、造孔剂NaCl和无水K2CO3混合均匀;采用粉末冶金模压制得圆柱状试样;将装好试样和铸造砂的不锈钢容器放到高频电磁感应线圈内加热烧结;试样冷却后超声清洗、烘干;检测试样的吸声性能。本发明具有如下优点:Al-Cu吸声材料具有良好吸声性能;燃烧反应合成法工艺简单、反应过程时间短、烧结温度可控制、成本低、效率高、节能环保。

带润滑回油的伺服液压缸 1039     

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本发明所述的一种带润滑回油的伺服液压缸,属于冶金机械领域液压系统中的液压设备,特别涉及一种带润滑回油的粗轧伺服液压缸。其结构是在液压缸缸体中装有液压缸活塞,在其活塞杆前端依次装有止推轴承、球面垫、连接体、压下螺丝。液压缸活塞通过缸盖密封连接在液压缸缸体内,压下螺丝同安装在固定机架上的固定螺母相配合,在液压缸活塞杆上固装有环形的防尘板,在其一侧具有透孔,润滑回油管密封安装在透孔内,在防尘板的上端和固定螺母的下端装有软体防尘保护罩;通过固定螺母中的注油孔进入分油孔流入到压下螺丝和固定螺母的转动配合部的润滑油,以及通过压下螺丝中的注油孔注入到球面垫部位的润滑油,最后均汇入到润滑回油管中流出。

基于固/气共晶定向凝固制备多孔材料的方法 799     

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一种固/气定向共晶凝固制备多孔材料的方法。利用本发明的设备和工艺,通过提高工作压力、增加和控制冷却速度、降低非金属杂质含量,使熔炼速度比现有技术提高2～10倍,并可直接监测金属熔化及浇铸的全过程。制备的多孔材料,孔隙均匀(无论铸件径向上还是轴向上),材料内部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,还可以形成变截面的锥形孔腔。可应用于冶金机械、石油化工、能源环保、国防军工、核技术和生物制药等工业过程中的流体渗透与过滤控制、高效燃烧、强化传质传热、阻燃防爆、人工骨骼、辐射吸收和消音控制等,是实现各种技术突破的关键技术。

一株丝孢酵母菌及其在金纳米颗粒合成中的应用 602     

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一株丝孢酵母菌及其在金纳米颗粒合成中的应用，属于微生物技术领域。该菌株分离自实验室反应器污泥，2015年1月19日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，保藏号为CGMCC?No.10368。该菌株经26S?rRNA基因序列测定，其与Trichosporon具有最高的相似性(99％)，因此该菌分类命名为Trichosporon?montevideense，菌株26S?rRNA基因序列的GenBank登录号为KP676895。该菌株在改良马丁培养基中生长的最适温度为30℃，最适pH为6。该菌株具有快速合成金纳米颗粒的能力，可催化氯金酸3至6分钟内开始合成金纳米颗粒，10分种即可达到合成的峰值，显示了其在生物冶金领域具有潜在的应用价值。

防止发生应力腐蚀开裂的合金化牺牲阳极膜及其制法 743     

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本发明涉及合金膜,特别是防腐合金镀膜,另外本发明还涉及合金的制法。防止发生应力腐蚀开裂的合金化牺牲阳极膜,其是锌基合金中含有铝、镁、钛和稀土元素。本发明CPF金属涂层具有捕获效应、自封闭效应和固定床效三重与以往单一金属不同的防腐形式,因此显现出与以往不同的防腐效果(因势利导)。同时金属热喷涂层与钢基体结合是半熔融的冶金结合与机械键结合,比有机涂层与钢基体的结合力大。封闭剂采用专用封闭剂,可耐-1.33v电位电压,耐油品、耐碱性好、附着力强,不会由于涂层下阴极反应产生OH-或H+而起泡发生阴极剥离。

炉外精炼剂及其制法 743     

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一种炉外精炼剂,含有钙、硅、铝、镁、钠、硼、钡等元素的氧化物及氟化钙,是用天然硅灰石、硅石、方解石、长石、萤石等原料经粉碎、混合而后投入炉窑中,以燃气加热,在1000-1600℃烧制,然后用自然冷却或水淬法冷却,经研碎而成。这种人造硅灰石可以作为冶金浇注保护材料,炉外精炼脱硫和脱磷剂,以及粉体固化剂,电焊条涂料等。

烧结环冷机物料温度控制方法 992     

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一种烧结环冷机物料温度控制方法，属于冶金工业测控技术领域。本发明：通过设置在环冷机各鼓风段的非接触式测温装置，测得冷却过程中各鼓风段环冷机台车上物料表面的温度值，并将该温度值输送至中央控制器，以获得环冷机温度场实际温度变化值；通过设置在各鼓风机出口处的流量计，测得冷却过程中各鼓风机出口处的通风量，并将该通风量输送至中央控制器，以获得鼓风机出口处流量变化值；依据烧结环冷机的热工参数技术要求，设定生产进程中所需的理想温度曲线，即确定初始温度设定值，以环冷机温度场实际温度变化值与初始温度设定值的偏差作为系统的扰动，以鼓风机出口处流量变化值为系统的反馈，通过控制鼓风机的风门开度控制鼓风机的通风量。

人造硅灰石及其制法 881     

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一种人造硅灰石,含有钙、硅、铝、镁、钠、硼、钡等元素的氧化物及氟化钙,是用天状硅灰石、硅石、方解石、长石、荧石等原料经粉碎、混合而后投入炉窑中,以燃气加热,在1000—1600℃烧制,然后用自然冷却或水淬法冷却,经研碎而成。这种人造硅灰石可以作为冶金浇注保护材料,炉外精炼脱硫和脱磷剂,以及粉体固化剂,电焊条涂料等。

连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置 797     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和硼去除的方法。该方法使用两把电子枪发射电子束分别对多晶硅进行熔炼,同时采用双重工艺去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中杂质磷,将低磷的多晶硅进一步熔炼蒸发除硼,收集蒸发到沉积板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室由左右两个腔组成,中间由隔离板分割。本发明有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,效率高。

电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 992     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液,并保持其液态,同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料,硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液,并熔炼去除杂质磷;除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中,在熔入的过程中,硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼,加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟,定向凝固,切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可。本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质,提纯效果好,生产效率高,适合批量生产。

铝基碳化硼中子吸收板的制备方法 817     

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本发明涉及一种铝基碳化硼中子吸收板的制备方法,是针对核装置保护的要求,采用铝粉、碳化硼粉、硅粉、钛粉、硼酸晶体混合,进行粉末冶金,制成矩形板,然后在压力机上、在加热状态下、在模具内进行热挤压成型,制得致密的铝基碳化硼中子吸收复合板,中子吸收复合板为灰白色,中子吸收率≥90%,碳化硼分布均匀,颗粒与基体结合紧密,基体显微硬度达185.8HV,颗粒显微硬度达2022.2HV,表面耐腐蚀电位为-0.45V,抗弯曲角度为≥10°,抗拉强度≥200MPa,断后伸长率≥1.8%,断后收缩率≥1.0%,此制备方法工艺先进合理,参数准确翔实,是较为理想的制备铝基碳化硼中子吸收板的方法。

铜包铝扁线的制造方法 988     

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本发明涉及一种铜包铝线生产方法,特别是一种铜包铝扁线的制造方法,其工艺步骤如下:(1)在惰性气体保护下铜铝包覆焊接;(2)经拉丝机的一系列拉丝模拉制,拉制时线的温度应低于240℃,并达到预定的总变形量;(3)装入有惰性气体保护的退火炉中进行限制扩散层退火,达到预定温度后,保温60-150分钟;(4)在轧辊直径与线径比相匹配的两辊平辊轧机上至少轧制一次,并达到预定尺寸;(5)在拉拔机上用矩形拉丝模进行成品拉拔,达到成品的几何尺寸;(6)在惰性气氛中进行软化退火、收线。具有节省铜材53-60%,性能稳定可靠,并把铜铝两者的优点有机融为一体,接触表面达到冶金结合,减轻自重。

电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 625     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法,先将需提纯的大块高磷、高金属多晶硅锭置于水冷升降托盘之上,后通过电子束熔化硅锭的顶部,熔化的硅熔液在由硅锭顶部、水冷铜套以及石墨套环形成的空间内形成浅熔池,熔炼一定时间后,去除杂质磷,此后升高水冷升降托盘,低磷硅熔液液面升高后通过导流口流入石英坩埚中,在保温作用下向下拉锭,进行定向凝固生长,金属杂质向硅锭顶部富集,凝固后切除硅锭顶部,去除金属杂质。本发明综合电子束浅熔池熔炼和定向凝固去除硅中的杂质磷和金属。多晶硅的纯度达到太阳能级硅的使用要求,节约能源,工艺简单,生产效率高,适合批量生产。

铜铁基摩擦材料的制备方法 1039     

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本发明提供一种铜铁基摩擦材料的制备方法，属于制动摩擦复合材料制备技术领域。在铜包铁粉基体中添加强化组元Ni 1wt％‑3wt％，合金组元Mn和Cr 0.5wt％‑1wt％，摩擦组元WC 2wt％‑6wt％，润滑组元铜包石墨4wt％‑10wt％，利用粉末冶金方法制备出了制动低磨损铜铁基摩擦材料。本发明以铜包石墨代替石墨粉末作为润滑组元，在烧结过程中有效改善了铜与石墨润湿性较差的缺点，使得石墨能均匀分布在整个摩擦材料中，并通过组分优化设计和工艺探索，所得粉末冶金铜铁摩擦材料孔隙率低且分布均匀，使得摩擦材料具有高强度、低磨损率、稳定摩擦系数的特点。

电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法 572     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法,首先备料:将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中;再预处理:对坩锅水冷、电子枪预热;最后提纯:采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间,然后降低束流为零,待硅锭完全变暗,硅蒸气回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流,重复小束流熔炼和停止束流的操作多次,最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。本发明的显著效果是采用了电子束分次熔炼的技术,一方面降低硅的蒸发损失量,此方法提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节能降耗,周期短,生产效率高。

定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 953     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,加热在熔炼坩埚中的造渣剂,并使其保持液态,同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液;将多晶硅熔液连续导入并分散于液态造渣剂中,熔炼反应去除杂质硼,待熔炼坩埚中液体装满时,停止加入多晶硅熔液,加热使熔炼坩埚中保持液态,熔炼后进行定向凝固,切去硅锭顶部杂质含量较高的多晶硅及废渣,即可得到硼和金属杂质含量较低的多晶硅锭。综合渣滤熔炼和定向凝固的技术去除多晶硅中的杂质硼和金属,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节约能源,成本低,生产效率高。

专用于不锈钢工件表面裂纹激光修复的含有纳米Al2O3的复合粉末 593     

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本发明属于裂纹修复技术领域，提供一种专用于不锈钢工件表面裂纹激光修复的含有纳米Al2O3的复合粉末，该复合粉末包括质量分数为1％?3％的Al2O3纳米粉末，余量为不锈钢粉末，二者通过机械球磨充分混合后，利用无水乙醇调和进一步混合均匀；不锈钢粉末包含质量分数为0.08％的C，0.5％的Si，1.46％的Mn，0.03％的P，0.005％的S，19％的Cr，9.5％的Ni，0.5％的Mo，余量为Fe。采用本发明的复合粉末进行激光修复后，修复层与基体间能够形成致密的冶金结合，修复层组织中的晶粒细小均匀，无裂纹和气孔等缺陷，能够达到延寿和提高构件可靠性和安全性的目的，应用前景极其广阔，经济效益和社会效益显著。

生产铝包铜管的工艺及设备 847     

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一种生产铝包铜管的工艺及设备,以铜管、铝带为原料,在包覆焊接设备上将铝带包覆焊接在铜管外侧形成铝包铜管坯,在包覆焊接前对铜管进行矫直和磨刷处理,对铝带进行扒皮处理;将铝包铜管坯送入拉拔设备中,采用带有游动芯头的模具至少拉拔两个道次,使外层的铝管与内层的铜管紧密贴合,形成铝包铜管坯并缠绕收盘;对铝包铜管坯进行退火处理,将铝包铜管坯内腔放入发气物质,将两端头密封,放入加热炉中进行扩散退火,使铝与铜冶金结合;采用带有游动芯头的模具对实现冶金结合的铝包铜管进行再次拉拔,使其达到设计尺寸规整的形状。本方法以铝带和铜带为原料,利用了现有的结构简单、易操作的设备,具有工艺步骤简单、容易控制、生产效率高、成本低的优点。

检测连铸结晶器铜板局部热流的方法 742     

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一种检测连铸结晶器铜板局部热流的方法,属于冶金连铸检测技术领域。本方法基于专门设计的结晶器热电偶埋设方案,将连铸结晶器铜板温度测量与结晶器传热实时计算方法相结合,实时反映连铸生产中结晶器内的传热状况,其主要步骤为:结晶器铜板热电偶测点布置方案设计、结晶器铜板温度在线检测、结晶器铜板测点位置局部热流计算、结晶器传热状态实时计算。其优点是,在结晶器铜板的每个测点仅布置一只热电偶即可获得相应位置的局部热流,热电偶安装和维护简便;能够在线得到结晶器铜板测点与非测点任意位置的局部热流,为考察和监控结晶器内剧烈的热交换过程提供全面的准确信息;方法同样适用于方坯、圆坯或异性坯连铸的结晶器热流测量。

不用作动平衡型大扭矩弹性联轴器 616     

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本发明涉及一种不用作动平衡的带有中间段超大扭矩弹性联轴器。该联轴器包括两个半联轴节、两个对接盘和膜片组,其改进在于:联轴器还包括中间段、高强弹力圈和松紧装置,两个对接盘和两个半连轴节通过螺栓安装在中间段的两端,对接盘与半连轴节的采用子口定位,膜片组为叠层膜片组,安装在对接盘与中间段之间,对接盘的外侧面还设有凹槽,凹槽内安装高强弹力圈,半连轴节和中间段上都设有一圈向外凸出的凸台,松紧装置包括两个松紧螺栓和一个长螺母,松紧装置分为内接和外接式。本发明联轴器具有传递功率扭矩大、使用寿命更长、配置范围广、装卸简单,适用于石油、化工、冶金、机械、环保、矿山、船舶、航天、引水工程、核电、军事等领域。

利用工业废渣资源制备造渣脱硫剂的方法 772     

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本发明涉及冶金辅料精炼造渣脱硫剂铝酸钙的生产方法。利用工业废渣资源制备造渣脱硫剂的方法，以粉煤灰为主要原料，配以碳酸钠、熟石灰，混匀制粒；将制备的物料投入回转窑烧结，烧结温度950℃-1250℃，烧结时间30-50min，烧制成熟料；采用50-80g／L的氢氧化钠稀碱液溶熟料；溶出的铝酸钠溶液按溶质净含量摩尔比2:1加入氢氧化钙，充分搅拌反应，对反应后的溶液进行过滤，过滤沉淀为铝酸钙，滤液为氢氧化钠溶液，可重复使用；本发明一种利用工业废渣资源制备造渣脱硫剂的方法，以粉煤灰为主要原料，生产冶金辅料精炼造渣脱硫剂——铝酸钙，扩大粉煤灰综合利用规模的同时，提供高品质的铝酸钙精炼渣。

多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置 880     

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本发明一种多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用感应线圈和石墨加热器复合加热的方式熔炼多晶硅的方法及装置。本方法同时采用感应加热和辐射加热两种方式对加热区进行复合式加热,使硅料熔化并进行熔炼,通过拉锭装置的运动使熔体脱离加热区,实现定向凝固。该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室内装有进行感应加热的感应线圈和进行辐射加热的石墨加热器。本发明有效地利用了感应加热的高效性和辐射加热的稳定性,保证了熔炼过程的稳定,减小了能耗,提高了加热效率,且该方法简单易行,适合大规模工业生产。

低铬稀土合金钢磨球材料 1065     

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本发明涉及一种低铬稀土合金钢磨球材料。它是 采用控制铬/碳比, 多元少量合金化方法强化含金的基体及碳化 物, 并根据磨球直径大小的结构物理性能, 采用不同的配方, 使材 料性能既能满足锻造、轧制工艺条件要求, 又能提高材料的综合 机械性能与耐磨性。以本发明材料制造的合金钢磨球, 在高强度 下具有良好的冲击韧性, 磨球性能为HRC≥60, ak≥10J/cm2, σb≥100kg/cm2, 本发明的材料, 还可以做为矿山、冶金、电力等各类机械的耐磨材料。

采用复合式弯辊液压缸的带钢轧机 989     

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本发明所述的采用复合式弯辊液压缸的带钢轧机,属于冶金行业中的热轧带钢设备。轧机的上、下工作辊通过上、下工作辊轴承座安装在牌坊的中部。弯辊用的液压缸安装在上、下工作辊轴承座之间。其结构在于复合式弯辊液压缸共有四台,分别安装在上、下工作辊轴承座之间固定块的中心圆孔内,并可以上下浮动伸缩,固定块把合在牌坊窗口的中部。复合式弯辊液压缸缸体的上、下端分别装有上压板和下压板组成油缸,里面装有活塞杆和连接杆。工作时,上压板顶住上工作辊轴承座,下压板顶住下工作辊轴承座。本发明具有结构新颖、结构简单紧凑、维修量小、换辊方便等特点,故属于一种集经济性与实用性为一体新型的采用复合式弯辊液压缸的带钢轧机。

增强合金化分凝提纯多晶硅的方法 619     

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本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理，然后在氩气保护下使原铝完全熔化，之后向熔融的铝液中加入工业硅，升温至1100-1200℃进行合金化熔炼，完全熔化后加入金属或金属氧化物，保温之后缓慢冷却，硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部，将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存，最后对初晶硅进行无机酸处理，去除残余金属及硼化物，之后进行烘干处理，即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si-Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO2等微量金属或金属氧化物，从而达到去除硅中硼杂质，使硼含量达到满足太阳能级硅的要求，实用性强，工业生产周期短，节能降耗环保，技术稳定，生产效率高。

专用于激光修复不锈钢表面微小裂纹的微纳米复合粉末 611     

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本发明公开一种专用于激光修复不锈钢表面微小裂纹的微纳米复合粉末，包括重量百分比为3％?7％的纳米WC，0.5％?2％的纳米Al2O3，余量为微米级的不锈钢粉末，微纳米粉末通过机械球磨充分混合，然后利用无水乙醇调和后进一步混合均匀；不锈钢粉末包含重量百分比为0.08％的C，0.5％的Si，1.46％的Mn，0.03％的P，0.005％的S，19％的Cr，9.5％的Ni，0.5％的Mo，余量为Fe。本发明提供的复合粉末适用于有高强韧性要求的不锈钢零件表面微小裂纹的激光修复；激光修复后，复合粉末可与基材充分融合，修复层和基体的界面发生冶金结合，无裂纹、无夹杂，修复层中含有细小晶粒，提高修复层的致密性、断裂性能。

去除工业硅中硼的方法 697     

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本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中;再将石英环放入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除,有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。