本发明实施例提供一种用于制造虚拟现实设备的夹持件的方法,用于解决现有技术中的夹持件在用户的使用过程中容易折断或者损坏这一问题。本发明实施例一种用于制造虚拟现实设备的夹持件的方法的技术方案包括:S1:金属粉末注塑成型,得到具有预定形状的金属层;S2:将所述金属层置于注塑模具中与硅胶注塑成型为一体,得到所述夹持件。所述S1与所述S2之间还包括:S3:将所述金属层进行脱脂去除其中的粘结剂;S4:将脱脂后的所述金属层在真空状态下烧结;S5:将烧结后的所述金属层自然冷却至预设冷却温度时强制冷却;S6:对冷却后的所述金属层进行再加工。
本发明公开了一种氧化物固态电解质、全固态锂离子电池及其制备方法,其中,氧化物固态电解质的制备方法包括步骤:将初始氧化物固态电解质粉末、粘结剂、增塑剂、分散剂、二甲苯及醇类溶剂混合在一起并进行球磨处理后,再进行脱泡处理,制得混合浆料;采用流延法将所述混合浆料涂覆在基板上,干燥后形成膜片;将所述膜片放置到真空管式炉中先进行脱脂处理,然后进行烧结处理,制得所述氧化物固态电解质。本发明采用流延法替代传统压片法,来制得厚度可控且更薄的固态电解质膜,从而具有更高的电导率;进一步地,本发明还采用先脱脂再烧结的方式,使得电解质更容易成瓷,机械性功能更强。
本发明公开了一种金属粉末注射成型工艺制备镜面抛光产品的方法,所述方法包括以下步骤:取金属粉末和塑基无石蜡粘结剂,均匀密炼后造粒,得到金属粉末喂料;取所述金属粉末喂料,用注射机注入模具,通过填充、保压、冷却,得到生坯;将所述生坯用浓硝酸脱脂;将脱脂后的所述生坯在氩气保护下分段烧结,然后冷却,得到高致密度烧结件;对所述高致密度烧结件进行表面锻压处理,抛光后得到镜面抛光的高致密度产品。本发明使用高振实密度的金属粉末及粒度配比,改进了烧结工艺,使得金属粉末注射成型得到的产品表面致密度可以达到98%‑99%。然后再进行表面锻压处理,进一步提升表面致密度和细化晶体组织,使产品能够达到镜面抛光的效果。
本发明涉及镀膜材制备技术领域,且公开了一种智能玻璃阳极电致变色层镀膜材料及其制备方法,配方重量配比为:镍粉40份;铬粉5‑10份;氧化锂5‑10份;氧化锆球65‑70份;纯水29份;分散剂1.8份;氧化钛0.1‑10份;氧化锌0.1‑5份;氧化铝0.1‑5份。该智能玻璃阳极电致变色层镀膜材料的制备方法,通过镍粉与铬粉和氧化锂的混合使用,使镀膜材料的质地变软,同时降低镀膜材料的导磁性,且不影响镀膜材料的透光性,提高了成膜效率。
一种真空镀膜药丸载体的制备方法,将所述不锈钢微丝多层、无纺铺制在真空炉中,在10‑2‑10‑3Pa,800‑1000℃下烧结30‑60min,得到均匀的不锈钢微丝毡;不锈钢微丝毡在压力作用下被预冲切为饼状初始内芯;饼状初始内芯冲压至金属坩埚中,得到金属坩埚内紧密装有内芯的载体成品。冲切内芯采用专用冲切装置(100)完成,包括冲压杆组件(40)、冲压平台(30)及预压模具(10)和金属坩埚定位模具(20),能得到大小、厚度、重量一致的圆饼状内芯,表面洁净度完全满足需求,耐腐蚀,不易氧化生锈,保证药丸性能的稳定,对药水的吸附和热蒸发过程的药水挥发速率较一致,最终形成的膜层均匀性也更好。该工艺简单,高效,大大节约人工。
本申请涉及电容领域,具体公开了一种高压固态电容的制备方法及制备装置,所述高压固态电容制备方法包括以下步骤:蚀刻、化成、裁剪、卷绕、含浸、封装和老化;所述高压固态电容制备装置包括用于阳极箔蚀刻用的蚀刻设备、用于裁剪阳极箔、阴极箔和电解纸的裁切设备、用于卷绕阳极箔、阴极箔、电解纸的卷绕设备和和用于芯包含浸所用的浸泡设备。
本发明公开了一种彩色透明陶瓷及其制备方法,先将要获得的彩色透明陶瓷粉料,着色剂及烧结助剂采用行星球磨工艺充分混合,球磨预定时间后干燥,干燥后的粉料破碎过筛,再依次进行预压成型、冷等静压处理、高温烧结以及研磨/抛光步骤,制备得到彩色透明陶瓷样品。本发明可以制备得到彩色的透明陶瓷,其采用复合烧结助剂有效地促进了陶瓷的烧结进程,降低了烧结温度,提高了透明陶瓷的透光性,同时着色剂一次添加简化了制备工艺。
本发明涉及发光LED技术领域,尤其涉及一种氧化锌基白光LED及其制备方法。所述方法为:以高纯氧气作为生长气体,在具有蓝色电致发光特性的p-GaN衬底上生长n-ZnO层,形成p-GaN/n-ZnO异质结;并在制备所述异质结的过程中,通过控制高纯氧气压强及生长温度的方式,使异质结的界面形成Ga、Zn、O互混的界面层,并使该界面层获得黄色电致发光特性,从而使该界面层与p-GaN衬底发出的光可混合为白光;分别在p-GaN衬底及n-ZnO层上制备电极,完成氧化锌基白光LED的制备。与现有技术相比,本发明在生长过程中一次性完成发光LED的制备,有效简化了发光LED制备工艺,对生长材料要求不高,是制备ZnO基异质结白光LED的可行方法,符合半导体照明光源技术的发展方向。
本发明涉及金属注射成形技术领域,具体公开了一种基于注射成形制备高温合金蜂窝隔热板的方法。该方法包括:S1.母合金粉末制备;S2.喂料造粒;S3.注射成型;S4.脱脂;S5.烧结;S6.热等静压;S7.固溶和时效处理等步骤。采用该方法制备高温合金蜂窝隔热板,能够有效避免传统钎焊工艺导致的加工工艺复杂,制造成本高,尺寸精度低的缺陷,且制备得到的高温合金蜂窝隔热板综合力学性能优于钎焊法制备得到的蜂窝板。
本发明提供了一种锆基非晶合金,该锆基非晶合金的通式如:(ZraMbNc)100-xQx,其中,M为除锆之外的至少一种过渡金属,N为Be或Al,Q为CaO、MgO、Y2O3、Nd2O3中的至少一种,a、b、c为原子百分比,且45≤a≤75,20≤b≤40,1≤c≤25,a+b+c=100,1≤x≤15。本发明还提供了该锆基非晶合金的制备方法,该方法包括将Zr、M、N和Q按照ZraMbNc∶Q∶Zr的摩尔比为100-x∶x+y∶y的比例混合,然后依次进行熔融、过滤、浇注和冷却,1≤x≤15,0.1≤y≤5。所述锆基非晶合金具有很高的抗弯强度、最大塑性应变和冲击韧性,从而具有很好的韧性。
本发明公开一种异形复杂零件的粉末注射成形方法,该方法包括以下步骤:在注塑机中注射成形零件生坯;将陶瓷珠装入烧舟中;将所述零件生坯置于陶瓷珠上;对零件生坯表面施加压力以调整陶瓷珠的堆叠形状,使陶瓷珠随形支撑所述零件生坯;将装有零件生坯的烧舟送入脱脂炉与烧结炉进行脱脂与烧结。本发明可以大大降低复杂形状粉末注射成形产品烧结变形问题以及采用专用烧结治具成本高的问题,具有不同产品形状的通用性。同时陶瓷珠堆叠形成的连通孔隙更利于脱脂烧结时塑胶成份的排除,从而避免由于塑胶残留引起碳含量偏高的问题,最终获得力学性能优异的产品。
本发明涉及微流控芯片技术领域,具体公开了一种三维多孔石墨烯薄膜的制备方法及其微流控芯片,将碳掺杂二氧化钛纳米纤维分散于纯乙醇中并进行超声处理后,与光敏丙烯酸酯基质、光引发剂一起添加到超声处理后的氧化石墨烯水溶胶中,并再次进行超声处理后,采用投影微立体光刻技术制造出所需的固态三维结构的预备体,氧化石墨烯被囚禁于丙烯酸聚合物的刚性长链中;本发明采用投影微立体光刻技术制造三维多孔石墨烯薄膜,能够大范围组装二维石墨烯纳米片,在使其形成三维结构的同时保留其原有的物理化学性质,具有较大的比表面积、三维导电路径和多孔结构,能为免疫蛋白的固定提供更多的活性位点,利于生物粒子捕捉固定,可显著检测肿瘤生物标志物。
本发明公开了一种蜂窝状非贵金属整体催化剂的制备方法,该方法包括以下步骤:蜂窝状非贵金属整体催化剂胚料的制备:制备粉料并得到非贵金属催化剂细粉,将细粉制成胚料;胚料成型:通过成型方法将胚料制成制品胚型;制品胚型的烧结:将制品胚型经过初步干燥后,在一定温度下进行直接烧结,最终得到蜂窝状非贵金属整体催化剂产品。本发明包括胚料的制备、胚料成型及制品胚型的烧结这三个步骤,将传统的蜂窝陶瓷催化系统制造工艺由原来的催化剂制备、蜂窝陶瓷载体制备、催化剂担载、封装的四步简化为上述的三个步骤,大大节省了时间和降低了成本;蜂窝状非贵金属催化剂的烧结温度较传统蜂窝陶瓷的烧结温度可以更低,节约了大量的能源。
本发明涉及制造加工领域,公开了一种微孔产品制造加工方法,本发明是结合金属粉末注射成型(Metal Injection Molding)和微孔抛光的微孔制造工艺,具体针对孔径不大于200um微孔制造加工方法,其特征在于采用金属粉末喂料,利用制作成型模具注射坯件,通过脱脂烧结工艺获得所需微孔构结金属件,针对微孔表面特性要求,选择性做抛光处理。
本发明提供了一种辐射取向实心圆柱状磁体、成型和制造方法及所用设备以及转子和电机组件,实心圆柱状磁体的辐射取向度≥90%,用于成型的模具不包括模芯,成型中模具内的磁粉颗粒在磁场中连续旋转,成型中施加取向磁场,制造得到的实心圆柱状磁体可直接用于微型电机的转子,替代传统的有辐射取向圆环形磁环的转子,也可生产出任意内径的辐射取向圆环形磁环,可满足微型电机对内径3mm以下甚至更小内径的辐射取向圆环形磁环的需求,该制造方法降低了规模化生产微型磁体的成本,工业化应用前景广阔,在微型磁体制造领域具有重要意义。
本发明公开了一种耐磨合金及其制备方法,耐磨合金包括下列重量百分比的元素:C:0.67‑0.98%,Si:0.91‑1.59%,Mn:1.5‑2.0%,Cr:0.74‑1.62%,Mo:0.1‑0.3%,以及,下列三种重量百分比的元素中的至少一种:V:0.1%,Co:1.34‑1.60%,Al:0.52‑0.99%,其余为Fe和不可避免的杂质。本耐磨合金韧性好、强度大、硬度高,具备一定的塑性,耐磨损性能良好;无大量的昂贵元素Ni、Co等,采用价格较低的Si、Mn等元素,制作成本低。特别适用于各类3C产品中摩擦磨损较大的部件,应用前景广泛。
本发明涉及氮化锂颗粒以及其制备方法和制备设备。针对现有技术中氮化锂的制备成本高、生产效率低、颗粒粒度大的问题,本发明提供一种氮化锂颗粒的制备方法,其中,先制备杂化助剂,然后将锂源和杂化助剂均匀混合进行热分解生成熟料,再利用熟料与还原剂进行真空热还原反应而生成金属锂蒸气,最后通入高纯氮气与金属锂蒸气进行反应而制备本发明的氮化锂颗粒。本发明通过精密地调控杂化助剂配比、热还原反应温度、真空度、熟料量、还原剂、氮气流量等条件,连续地进行真空热还原反应和氮化锂颗粒合成,从而利用锂蒸气和氮气的气相反应而制备粒径更小的氮化锂颗粒。
本发明公开一种外墙涂料及其制备方法,其中,以质量份数计,外墙涂料,包括30~40份的纯丙乳液,65~120份的颜料,5~10份的黑电气石粉,1~3份的增稠剂,12~18份的贝壳粉,0.5~2份的增塑剂,0.6~1.6份的成膜助剂,0.05~0.15份的消泡剂,32~52份的功能助剂及30~40份的水。可以理解的,本发明的技术方案能够提高外墙的隔热效果。
本发明公开了一种机械性能得到提高的复合陶瓷及其制备方法。所述复合陶瓷包括荧光粉、陶瓷基质以及任选的烧结助剂,荧光粉与陶瓷基质的重量比为3:17至9:1,复合陶瓷的相对致密度95%以上。所述制备方法包括使用核壳结构的包覆式荧光粉作为原料,将所述原料球磨并进行烧结,得到所述复合陶瓷。
本发明公开了一种辐射取向烧结磁环的处理方法,在渗透过程中,磁环与目标渗透源之间除了目标渗透源元素相对于磁环的原子扩散迁移运动以外,目标渗透源与磁环的宏观位置不是相对固定的,而是存在宏观相对运动,该宏观相对运动并不包括球磨运动;所述宏观相对运动是渗透过程中磁环与目标渗透源之间的旋转或搅拌运动;所述磁环采用旋转磁场进行辐射取向成型得到。该方法提高了辐射取向烧结磁环的磁性能,在剩磁没有出现明显降低的情况下,矫顽力大幅提高,磁通热衰减显著降低,同时具有优良的磁性能、热稳定性。
本发明提供了一种玻璃热弯成型模具用陶瓷及其制备方法,所述玻璃热弯成型模具用陶瓷包括陶瓷基料及硅,所述硅的重量百分比为0.3%‑35%。本发明的玻璃热弯成型模具用陶瓷,加入了单质硅,并优选了其制备方法,提升了该玻璃热弯成型模具用陶瓷的致密性、尺寸稳定性及耐磨损性能,既延长了使用寿命,又保证了较高的玻璃产品良率。此外,硅的加入使本发明的玻璃热弯成型模具用陶瓷具备了较好的电加工特性,降低了加工成本,提高了加工产品的表面质量。
本发明公开了一种提高烧结磁体磁性能的方法以及钕铁硼烧结磁体,包括对烧结磁体进行渗透处理,渗透过程中,磁体与目标渗透源之间始终保持相对运动;依次包括如下步骤:A、烧结磁体预处理;B、配制目标渗透源;C、旋转渗透处理;D、回火处理;以及采用所述方法制备得到的磁体;所述方法适合于工业化生产,目标元素进入磁体内部的渗透量易于控制、渗透均匀,可稳定提高烧结磁体的矫顽力和热稳定性。
本发明涉及耐热耐腐蚀铣削材料的制造,具体是一种高强度氮化硅高硬度耐热耐腐蚀铣削材料的制造工艺,铣削材料由以下重量组份的原料制成:二氧化锆0‑20份、氧化铝10‑20份、氧化钇10‑20份、氧化铈1‑2份、氧化镧0.5‑0.8份、三氧化二铬1.5‑2.2份、碳化硼0.5‑0.7份,氮化硅150‑200份,余量为氮化硅,制备方法主要包括球磨、机械加压成型、酒精蒸干、烧结,通过本发明公开的制备工艺,制备得到的铣削材料不仅具有较为优异的耐热、耐腐蚀特性,能够长时间作业,且强度和硬度等理化特性较为优异。
本发明提供了一种玻璃热弯成型模具用陶瓷及其制备方法,所述玻璃热弯成型模具用陶瓷包括陶瓷基料及硅和碳化硅,所述硅的重量百分比为0.2%‑22%,碳化硅的重量百分比为0.2%‑8%,陶瓷基料为二硅化钼。本发明的玻璃热弯成型模具用陶瓷,加入了单质硅,并优选了其制备方法,提升了该玻璃热弯成型模具用陶瓷的致密性、尺寸稳定性及耐磨损性能,既延长了使用寿命,又保证了较高的玻璃产品良率。此外,硅的加入使本发明的玻璃热弯成型模具用陶瓷具备了较好的电加工特性,降低了加工成本,提高了加工产品的表面质量。
本发明公开了纳米晶软磁合金元件的制备方法,包括下述步骤:①将纳米晶合金元素的各组分粉末置于球磨罐中,在惰性气体保护气氛下球磨15-50H,得纳米晶合金粉末;②将步骤①制备的纳米晶合金粉末添加粘结剂后注射成型,得软磁合金生坯;③将步骤②制备的软磁合金生坯经萃取脱脂后,置于微波冶炼设备中烧结,即得纳米晶软磁合金元件。本发明提供的纳米晶软磁合金的制备方法不仅适合大规模工业化生产,而且制备的产品形状复杂多样,具有高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗及高稳定性。
本发明公开了一种电子烟雾化组件及其制造方法,电子烟雾化组件的制造方法包括以下步骤:S1、将金属粉末和有机混合物通过球磨混合,制得金属混合物;S2、将基体置于MIM模具内;S3、注塑机将所述金属混合物按照雾化组件中发热体图形注塑到MIM模具内并位于所述基体上,形成雾化组件生坯;S4、将所述雾化组件生坯进行排蜡处理,去除有机混合物;S5、真空或惰性气氛烧结,所述金属粉末熔融,冷却后形成紧密附着在所述基体上的发热体,与所述基体形成雾化组件。本发明的电子烟雾化组件制造方法,工序简单,利于大批量生产且生产效率高。
本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法,采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复,修复过程中,磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动,所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt%和0.1‑65wt%可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成;所述方法实现了工业化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷,改进了主相晶粒界面,调整了晶界相成分及结构,促进了晶界相的再分布,提高了取向烧结磁体的磁性能、热稳定性。本发明还公开了采用所述方法修复得到的磁体。
本发明提供了一种稀磁半导体的制备方法,制备方法包括如下步骤:制备复合氧化铟靶材;提供氧化铝基片,并对氧化铝基片进行清洗和抛光,得到第一氧化铝基片;将第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射,得到第二氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜,得到第一复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜,得到第二复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。本发明通过氧化铟薄膜中掺杂铁、钴、钆原子,大幅度提高了稀磁半导体的磁性能,使得复合薄膜能够有效的用于存储器件。
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