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烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体

855   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:00:02
本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法,采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复,修复过程中,磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动,所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt%和0.1‑65wt%可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成;所述方法实现了工业化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷,改进了主相晶粒界面,调整了晶界相成分及结构,促进了晶界相的再分布,提高了取向烧结磁体的磁性能、热稳定性。本发明还公开了采用所述方法修复得到的磁体。
声明:
“烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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