浙江杭州有色金属冶金技术理论与应用

钕铁硼磁体晶界扩散重稀土工艺 1057     

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本发明涉及钕铁硼磁体晶界扩散重稀土工艺。其特征在于包括如下步骤：1.重稀土金属基板制作，2.钕铁硼磁体前期处理，3.钕铁硼磁体晶界扩散重稀土，4检测。本发明的有益效果：1.与传统方法相比，重稀土金属镝用量显著降低（约2.5%），提高了稀土资源的利用率，降低了成本；2.通过渗镝处理，增加0.2-0.3%的镝，产品内禀矫顽力Hcj增加幅度大于6000Oe，磁能积保持不变；3.本发明可以得到双高磁体，即高磁能积、高Hcj的稀土永磁体；4.渗镝处理后的磁体表面形成了一层致密的金属薄膜，相对于传统工艺产品抗氧化性、耐腐蚀性也得到了显著提高；打破了钕铁硼产品必须电镀的要求。

同步制备C₃N₄和TiO_xN_2-x可见光催化剂的方法 772     

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本发明涉及一种同步制备C₃N₄和TiO_xN_2‑x可见光催化剂的方法。本发明首先将TiO₂和还原剂充分研磨混合，然后再把充分混合过的TiO₂和还原剂真空高温焙烧处理，冷却至室温并进行酸化处理得到氧缺陷TiO₂。最后将含氮碳前驱体和氧缺陷TiO₂在氮气气氛下一定温度煅烧即可同时获得C₃N₄和TiO_xN_2‑x可见光催化剂。本发明制备的C₃N₄和TiO_xN_2‑x催化剂具有较高的可见光催化活性，同时该制备方法又可以减少催化剂制备过程中对环境产生的污染。

应用高丰度稀土生产的商用稀土永磁体及其制备方法 796     

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本发明公开了一种应用高丰度稀土生产的商用稀土永磁体及其制备方法。包括主相和晶界改性相，所述的主相包括低HA的(RE100-aMMa)-Fe-B合金和高HA的Nd-Fe-B合金。本发明采用双主合金，控制磁体成分，使高丰度稀土形成稳定的2：14：1相，在烧结过程中始终不会发生分解；晶界改性相添加电极电位较高的Cu元素，提高磁体的耐腐蚀性能，同时晶界改性相可优化磁体的显微结构。此法将双主合金法与晶界改性技术相结合，同时兼具两者的优点，改善了由高丰度稀土的添加引起的磁体耐蚀性下降及剩磁和磁能积下降的问题，制备的稀土永磁体达到商用磁体的应用要求。

5G基站环形器专用磁铁 1029     

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本发明提供一种5G基站环形器专用磁铁，包括整体为矩形的磁铁本体，所述磁铁本体的转角处设有第一圆弧角，所述磁铁本体的内部设有矩形的通孔，所述的矩形通孔的转角处设有第二圆弧角，所述磁铁本体中配料包括Al 7.9‑8.1％、Ni 14.0‑14.2％、Co 23.8‑24％、Cu 2.9‑3.1％和Fe49.67‑50.93，所述配料中还包含微量元素T 0.21‑0.25％、S 0.15‑0.18％、C 0.11‑0.15％，所述磁铁本体的所有配料通过真空熔炼技术熔炼后再进行以此制粉、成型、烧结和机械加工成型。能够解决含稀土元素钐的钐钴磁铁在高温下极易氧化的问题，且能够使磁铁中Br最终的剩磁量大于12.0KGs。

制氢用的碳化硅纳米线催化剂的制备方法及其用途 675     

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本发明公开了一种制氢用的碳化硅纳米线催化剂的制备方法及其用途。采用硅粉、二氧化硅粉和碳纳米管为原料制备SiC纳米线，采用氢氟酸和浓硝酸混合液腐蚀后的SiC纳米线与水混合制备氢气，混合液与SiC纳米线的质量比为100～10。本发明的催化剂，SiC具有理想的带隙；导带底主要由Si的3s轨道构成，价带顶主要由C的2p轨道构成，导带电位比氢电极电位EH+/H2稍负，而价带电位则应比氧电极电位EO2/H2O稍正，满足光解水的热力学要求SiC晶体生长过程中Si－C双原子层的密排堆积容易导致堆垛层错，这种堆垛层错是具有理想接触界面的新型量子阱结构。此外它还具有化学性质稳定，无毒，可再生循环利用等优点。

健康型低温热熔胶的制备方法 1014     

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本发明涉及一种健康型低温热熔胶的制备方法,原料包含如下重量份的组份：TPU热熔胶树脂45-60份，PETG?10-20份，负离子/竹质活性炭复合材料25-30份，相容剂3-5份（1）分别将上述各原料投入至储料机构内经过高强磁进行除金属；（2）将各原料输送到料缸内进行充分搅拌30-45min至均匀；（3）搅拌好的原料再经二次强磁去金属后输送至流延挤出机的进料斗，经计量喂料机构按预设的定量进行匀速喂料至螺杆机，通过螺杆机130-150℃高温熔融混练均匀流延成片材，再经冷压定型即可；本发明的健康型低温热熔胶由于含有有机膨润土，可以显著改善低温热熔胶的质量均一性、透气均一性，透气性大大提高，品质高。

背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池 771     

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本发明公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明提供的方法包括步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片背面制备复合电介质膜，所述复合电介质膜中的各成分均匀分布；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极。相应的，本发明还提供一种采用本发明提供的方法制备的太阳能电池。采用本发明提供的方法可以有效提高太阳能电池的背钝化效果，进而提高太阳能电池的光电转换效率。

竹材陶瓷复合装饰板材的制造方法 730     

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本发明涉及一种竹材陶瓷复合装饰板材的制造方法。本发明的目的是提供一种结构致密、强度高、均匀性好、表面美观的竹材陶瓷复合装饰板材的制造方法。本发明的技术方案是：一种竹材陶瓷复合装饰板材的制造方法，其特征在于包括步骤：（1）大片竹刨花的制备；（2）竹粉制备；（3）配料：所用原料为竹粉、高岭土、粘土、石英和水；（4）球磨制浆；（5）喷雾造粉；（6）压制成型；（7）陶坯干燥；（8）素烧；（9）上釉；（10）釉烧。本发明适用于装饰板材制造领域。

碳化硅基多相复合陶瓷及其制备方法 683     

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本发明公开了一种碳化硅基多相复合陶瓷,其重量百分比组成为:纯度达99.5%以上的碳化硅72～90%、氮化铝或氮化硅0～18%和钇铝石榴石或钇铝石榴石/氧化铝8～10%。本发明还公开了上种碳化硅基多相复合陶瓷的制备方法,该制备方法工艺简洁、易于操作。采用本发明的方法制备的碳化硅基多相复合陶瓷,硬度、抗弯强度、断裂韧性等综合性能优秀。

圆筒形竹材陶瓷的制造方法 884     

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本发明公开了一种圆筒形竹材陶瓷的制造方法，竹筒经过去除竹青和外节、干燥、浸注预处理后，再上陶瓷坯料，陶坯干燥、高温烧结、降温与打磨后制得竹材陶瓷。本发明提供了一种适合竹材自身结构特点、不易变形、强度高、均匀性好的圆筒形竹材陶瓷的制备方法。本发明制备的圆筒形竹材陶瓷物理性能优良，具有良好的致密性和均匀性，产品强度高，制备过程中对环境污染小，对生产设备无特别要求。

碳素竹材陶瓷的制造方法 1132     

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本发明公开了一种碳素竹材陶瓷的制造方法，包括以下步骤：竹材加工剩余物的筛选；精刨竹刨花活化处理；无胶竹刨花板压制；真空加压浸渍酚醛树脂；竹材陶瓷板坯干燥固化；高温煅烧即制得碳素竹材陶瓷。本发明碳素竹材陶瓷的制备工艺对环境影响小，工艺条件温和，无需特殊设备，制备成本较为低廉，制备的碳素竹材陶瓷具有良好的物理性能。本发明以竹材加工剩余物为加工原料，原料价廉易得，提高了竹材利用率，可发挥竹材资源的最大效益。

透明陶瓷微流控芯片及其制备方法 589     

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本发明公开了一种透明陶瓷微流控芯片及其制备方法，所述微流控芯片的基体为透明陶瓷，所述透明陶瓷的中间平面还设置有可吸收激光的物质或相成分，所述微流控芯片的微通道采用激光聚焦刻蚀加工法构建。步骤S1：选定物质或相成分；步骤S2：称量、球磨、烘干并过筛得到原料粉体一；步骤S3：称量、球磨、烘干并过筛得到原料粉体二；步骤S4：获得密实的陶瓷坯体；步骤S5：将所述陶瓷坯体放置于马弗炉中进行保温，得到陶瓷素坯；步骤S6：烧结，得到透明陶瓷；步骤S7：将所述透明陶瓷进行表面抛光处理后，进行激光聚焦刻蚀加工，激光聚焦于透明陶瓷的中间平面，所述中间平面的物质或相成分可吸收激光实现刻蚀加工，获得微通道构型的透明陶瓷微流控芯片。

铜铬-铜复合触头材料及其制造方法 793     

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一种铜铬-铜复合触头材料及其制造方法,所述的铜铬-铜复合触头材料,它主要包括有一铜铬层,在该铜铬层的至少一面上复合有一层铜层,且铜铬层厚度为1.5～2.5MM,铜层的厚度为1.5～4.5MM;铜铬层和铜层的总厚度可以根据需要在3.0～7.0MM之间任意控制;所述的制造方法,它包括:1.铜铬层粉料的制备;2.铜层用粉料的制备;3.复合材料的压制;4.烧结及复压、复烧;它具有如下技术效果:一是较大地减小了铜铬层的厚度,有效降低了触头材料的内电阻,使真空开关管的性能得到提高;二是铜层与导电杆的焊接工艺难度下降,焊接容易而且质量可靠;三是可减少铬的用量,因而可降低制造触头材料的原料成本;四是可以直接用普通的银铜焊料,并且实现一次封排,真空开关管的生产成本有较大的下降。

陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用 903     

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本发明公开了一种陶瓷微流控芯片及其制备方法、应用，该陶瓷微流控芯片是由掺杂稀土离子的透明陶瓷基体与微通道构成，且微通道分布在透明陶瓷基体内部。其中掺杂于透明陶瓷中的稀土离子为Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+等中的一种或者多种。透明陶瓷基体为Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1‑x‑y)3(GaZAl1‑z)5O12(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)中的一种。该陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基体由高温致密化烧结得到，具有高的致密度与透过率。该陶瓷微流控芯片的微通道内径尺寸为数十到数百微米，且微通道通过牺牲模板法形成。该陶瓷微流控芯片具有物化性能稳定，成本低以及应用范围广等优点。

Y2Fe17N2.7型永磁材料及制备方法 934     

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本发明公开了一种Y2Fe17N2.7型永磁材料及制备方法，Y2Fe17N2.7型永磁材料的原子比化学成分为Y2Fe17N2.7+X，其中X的范围为‑0.5到+0.2，在氮化工艺下，Y2Fe17N 2.2‑2.9氮化合金具有易磁化轴晶体各向异性，饱和磁化强度为159emu/g到166emu/g，居里温度为418℃到424℃。本发明同时公开了一种Y2Fe17N2.7型永磁材料的制备方法，包括步骤如下：Y2Fe17合金粉末粒度为125‑250目，在压力1bar和250℃下氮化，产生氮化后粉末Y2Fe17N2.2‑2.9。本发明的有益效果为：Y2Fe17N 2.2‑2.9氮化合金具有易磁化轴晶体各向异性，饱和磁化强度为159emu/g到166emu/g，居里温度为418℃到424℃，远高于Nd2Fe14B的居里温度318℃。因此说y‑Fe‑N磁体不但比钕铁硼磁体原材料成本低，而且有良好的磁化强度理论值和高的居里温度。

低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法 660     

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本发明公开了一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法，属于钐钴烧结永磁材料技术领域。本发明克服了钐钴磁体磁性能在高温下损失严重、剩磁温度系数高等不足，通过掺杂少量重稀土元素Gd和Dy制备的Sm2Co17烧结永磁体，对名义成分和工艺参数进行优化，使本发明的钐钴烧结永磁体剩磁温度系数α较理想。通过充入惰性气体Ar减少熔炼过程中钐的烧损，减少成分偏析；在气流磨制粉工艺过程中，通过调控分选轮转速来获得粉体粒径SMD为3～5μm和合理的粒径分布范围D90/D10≤6.6，为粉体取向压型获得更高的取向度提供了可能。通过对热处理过程温度和时间的精确调控，使烧结后的毛坯更致密，密度更高，从而获得最终磁体的剩磁更高。

晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法 956     

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本发明公开了一种晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)添加纳米氮化硅到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)烧结炉内制成烧结磁体。该发明制得的烧结钕铁硼工作温度和耐蚀性比双合金工艺但不添加纳米氮化硅制得的磁体工作温度和耐蚀性高,也比单合金法制得的磁体工作温度和耐蚀性高。因此,通过本发明可以制备出高工作温度和耐蚀性的烧结钕铁硼。

超低退磁率高温用钐钴永磁材料及其制备方法 1047     

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本发明公开了一种超低退磁率高温用钐钴永磁材料及其制备方法，所述钐钴永磁材料的化学原子计量式为Sm(Co_{1‑x‑y‑v}Fe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.09~0.13，y=0.12~0.18，v=0.033~0.04，z=7.69~8.3；z为过渡族元素Co、Fe、Cu和Zr的总原子量与稀土元素Sm的原子量之比。本申请制备得到的钐钴永磁材料的耐高温性能好，在使用温度高达500℃下，具有极低的退磁率。

高导电银基复合材料的原料配方及制备方法 752     

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本发明涉及金属基复合材料技术，旨在提供一种高导电银基复合材料的原料配方及制备方法。该原料配方是由重量百分含量计算的下述组分组成：银粉80～88％、炭黑粉体1～18％、纳米氧化铜粉体1～10％、纳米碳化钛0.5～10％、分散剂0.1～2％。采用本发明方法制备获得的高导电银基复合材料，由于含有导电性能优异的增强相材料和微观导电通道，其电阻率最低可达1.9μΩ·cm，延伸率达22％以上。本发明不会对环境造成污染，工艺简单、成本较低。与现有技术中研究和使用最多的环保型银金属氧化物相比，在达到同等性能的条件下，可显著降低银的使用量，以节约贵金属资源。

氧化钆镥透明陶瓷闪烁体的制备方法 804     

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本发明公开了一种氧化钆镥透明陶瓷闪烁体的制备方法。用甘氨酸作为燃 烧剂的燃烧法制备Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷粉体，采用干粉压制，然后在真空或 还原气氛中无压烧结，烧结温度为1600-1900℃，便可获得透明的 Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷闪烁体。该陶瓷闪烁材料在紫外光激发或X射线激发下 发出红光，可用于医学和工业X射线成像、探测的闪烁材料。

高延伸率银基电接触材料及其制备方法 596     

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本发明涉及金属基复合材料技术，旨在提供一种高延伸率银基电接触材料及其制备方法。该原料配方是由重量百分含量计算的下述组分组成：银粉84～88％、碳化硅晶须1～8％、铜纤维2～6％、纳米二氧化硅溶胶1～12.9％、表面改性剂0.1～1％。本发明通过纳米二氧化硅溶胶改性，在银基体中形成连续网络结构，充分发挥了碳化硅晶须和铜纤维的优良性质，提高了银基电接触材料的延伸率、电导率和抗拉强度，进而弥补了现有环保型银基电接触材料可加工性能差、电阻率高等不足。本发明的制备过程环保、操作简单、成本较低。在达到同等性能的条件下，可以降低电接触材料中银的使用量，从而节约贵金属资源。

超低功耗、高直流偏置磁芯及其制备方法、应用 897     

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本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒。本发明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性纳米颗粒分散在非磁性绝缘基体中形成；非磁性绝缘基体能有效阻止电子传导，显著降低涡流损耗；同时超顺磁性纳米粒颗具有线性磁化曲线，具有优异的抗直流偏置特性。

太阳光全波段光催化复合材料及其制备方法 657     

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本发明涉及一种太阳光全波段光催化复合材料及其制备方法，该材料为纳米TiO₂/VS₄复合材料。本发明方法为一步水热合成直接得到产物的制备方法，具有操作简单、环境友好、耗能低等优点；本发明的复合材料是VS₄包覆TiO₂核壳结构的光催化剂，可以抑制光生电子‑空穴的快速复合，提高光催化效率；同时综合TiO₂具有优异的紫外光催化效果和VS₄具有优异的可见与近红外光催化效果，使复合材料最大限度的利用从紫外光到近红外光的太阳光全波段进行光催化，对于促进自然太阳光光催化技术应用，缓解能源危机以及加强环境治理具有重要的意义。

超高矫顽力烧结钕铁硼磁体及其制备方法 892     

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本发明公开了一种超高矫顽力烧结钕铁硼磁体及其制备方法，它包括主相和晶界添加相，所述的主相包括低HA主合金和高HA主合金。本发明采用高磁晶各向异性场HA和低HA两种主合金作为主相在烧结及热处理过程中使重稀土元素从高HA相向低HA相扩散实现矫顽力的初步提高；同时可控制合金成分及制备工艺，提高磁体中Nd2Fe14B相的含量，保证磁体具有高的磁能积。而晶界添加相能够进一步实现晶粒表面磁硬化提高矫顽力，并优化显微结构，进一步提高矫顽力。本方法兼具传统双合金法及单合金晶界添加法的优点，提供一种操作简单，适用于大批量生产超高矫顽力高剩磁烧结钕铁硼磁体的方法。

复合材料制备方法、电池正极、电池及其制备方法 648     

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本发明涉及电池领域，特别涉及一种复合材料制备方法、电池正极、电池及其制备方法。所述复合材料制备方法、电池正极、电池及其制备方法，包括以下步骤：将富锂材料与镍钴锰酸锂材料混合得到混合物，其中，所述富锂材料质量占比50％‑80％，所述镍钴锰酸锂材料质量占比20％‑50％；向所述混合物中加入硝酸，加热并保温；加入柠檬酸，静置；干燥；分段烧结，得到所述富锂‑镍钴锰酸锂复合材料。本发明采用富锂材料与镍钴锰酸锂材料复合的技术，使用两种材料复合后，结合了两种材料的优点，制造的动力电池比能量高，循环寿命好；本发明所采用的复合材料制备方法制备环境无须十分苛刻，生产制造更简单。

稀土配合物晶界改性烧结钕铁硼磁体的制备方法 928     

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本发明公开的稀土配合物晶界改性烧结钕铁硼磁体的制备方法,包括以下步骤:制备钕铁硼合金颗粒,将钕铁硼合金颗粒破碎成粉,同时注入抗氧化剂;以喷雾的方式将稀土配合物和汽油的混合液体射入钕铁硼粉料,混合均匀;混料于磁取向压制成毛坯磁体,烧结。本发明以喷雾方式添加稀土配合物和汽油的混合物,能有效阻止颗粒与氧气接触,降低磁体制备过程中吸氧量,提高烧结磁体的磁性能。本发明采用稀土配合物添加,烧结后稀土配合物分解残留的稀土产物主要位于晶界处,制备的烧结钕铁硼磁体比常规的烧结钕铁硼磁体具有更高的矫顽力值和更低的温度系数,而且工艺简单,易操作,适合于批量化生产。

太阳光全波段光催化复合薄膜及其制备方法 786     

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本发明涉及一种太阳光全波段光催化复合薄膜及其制备方法，该薄膜为多层纳米TiO₂/VS₄复合薄膜。本发明方法制得的多层薄膜能够牢固的结合为一个整体并具有大的比表面积，该复合薄膜是多层TiO₂/VS₄薄膜结构的光催化剂，可以抑制光生电子‑空穴的快速复合，提高光催化效率，同时综合TiO₂具有优异的紫外光催化效果和VS₄具有优异的可见与近红外光催化效果，使复合材料最大限度的利用从紫外光到近红外光的太阳光全波段进行光催化，对于促进自然太阳光光催化技术应用，缓解能源危机以及加强环境治理具有重要的意义。

太阳光全波段光催化纳米阵列及其制备方法 1065     

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本发明涉及一种太阳光全波段光催化纳米阵列及其制备方法，该光催化纳米阵列为纳米VS₄填充TiO₂纳米管阵列。本发明方法制得的光催化纳米阵列牢固附着在钛基片上，可方便回收并循环使用，克服了传统的粉体光催化剂回收困难的问题；该光催化纳米阵列是纳米VS₄填充TiO₂纳米管阵列结构，可以抑制光生电子‑空穴的快速复合，提高光催化效率；同时综合TiO₂具有优异的紫外光催化效果和VS₄具有优异的可见与近红外光催化效果，使纳米阵列最大限度的利用从紫外光到近红外光的太阳光全波段进行光催化，对于促进自然太阳光光催化技术应用，缓解能源危机以及加强环境治理具有重要的意义。

石油伴生气处理工艺 1089     

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本发明公开了一种石油伴生气处理工艺，属于石油伴生气处理技术领域，所述处理工艺包括以下步骤：伴生气压缩步骤、干燥步骤、氨预冷步骤、膨胀机制冷步骤、产品分馏步骤、干气发电步骤，所述干燥步骤采用复合膜干燥脱水，所述复合膜是由不锈钢纤维和玻璃纤维混合编织成网状底层膜，再经过薄膜压坯后烧制成型的双层复合膜；本发明是将石油伴生气处理后用于干气发电，伴生气处理工艺操作简单，工艺步骤简洁，并且采用膜干燥技术脱水，脱水速度快，气体透过量高，不会产生粉尘造成二次污染。

不含重稀土元素的低矫顽力温度系数高温用钐钴永磁材料及制备方法 605     

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本发明涉及钐钴永磁材料领域，公开了一种不含重稀土元素的低矫顽力温度系数高温用钐钴永磁材料及制备方法，钐钴永磁材料的表达式为：Sm(Co_{1‑x‑y‑v}Fe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.08~0.13，y=0.1~0.18，v=0.03~0.04，z=6.30~6.89；z为过渡族元素Co、Fe、Cu、Zr与稀土元素Sm的原子比。本发明通过优化钐钴永磁的合金配比及优化制备工艺（尤其是烧结及时效工艺），最终制备出具有低矫顽力温度系数和高温磁性能稳定性，且使用温度高达500℃的钐钴永磁材料，可满足高温高精度的使用要求，弥补了市场空白。