浙江杭州有色金属冶金技术理论与应用

高耐磨Ti（C,N）基金属陶瓷刀具材料及其制备方法 1037     

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本发明公开了一种高耐磨Ti(C,N)基金属陶瓷刀具材料及其制备方法，制备方法包括：以钴作为阳极，铌板为阴极，进行间歇沉降电沉积，得到Co/WC复合粉；将原料进行球磨混合，烘干，得到混合粉末；向混合粉末中加入汽油橡胶溶液，研磨混合，再进行压制成型；压制样品放到真空炉内，第一次升温至820℃，进行预烧，降温至室温后，二次升温进行真空烧结，得到高耐磨Ti(C,N)基金属陶瓷刀具材料。本发明制备的金属陶瓷刀具材料添加有包裹均匀的钴包碳化钨复合粉体，通过在WC表面均匀地包裹Co，使碳化钨间距有金属和陶瓷的特性，具有更好的流动性，改善了微小粒子易团聚的特性，进而提高产品的致密度和耐磨性。

镍铝熔体渗入粉体预制件复合材料及制备方法 982     

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本发明公开了一种镍铝熔体渗入粉体预制件复合材料及制备方法。它是在简单还原气氛或动态真空烧结炉中,将含量为10～70W%Ni、30～90W%Al,另加相对量0～5W%B的合金块加热至熔点以上100～300℃熔化,经直立于熔体当中的助渗基块,间接由毛细管作用渗入待渗预制件中直至饱和、冷却即可。本发明工艺简单、成本低、制品性能优于对应传统粉末冶金烧结制品。

制备高强度多孔钛合金材料的方法 667     

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本发明涉及一种制备高强度多孔钛合金材料的方法，涉及粉末注射成形领域，包括以下步骤：S1、选择钛合金粉末：选用氧含量范围在0.15％～1.0％，中位粒径D50为8～50μm的钛合金粉末；S2、将钛合金粉末与高分子粘结剂均匀混合，制成用于粉末注射成形的喂料；S3、将喂料置于注射成型机内，经模具注射成形为注射坯S4、将注射坯进行脱脂，形成脱脂坯；S5、将脱脂坯进行高真空烧结，形成多孔钛合金材料。本发明针对传统的多孔材料孔隙率、孔径分布不均，材料强度低的缺陷，提出了全新的多孔材料制备方法和机理，从而获得了高强度高孔隙率的多孔钛合金材料。

轻稀土配合物改性烧结钐钴磁体的制备方法 857     

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本发明公开了一种轻稀土配合物改性烧结钐钴磁体的制备方法，包括以下步骤：熔炼Sm‑Co‑Fe‑Cu‑Zr母合金铸锭并通过粗破及气流磨破碎成粉，同时注入抗氧化剂；将轻稀土配合物和乙酸甲酯的混合液体加入到钐钴粉料中，后经高能球磨破碎，混合均匀；混料于磁取向压制成毛坯磁体；置入真空烧结炉内烧结、固溶处理，后进行时效处理，随后自然冷却至室温即可。本发明以混料中加入轻稀土配合物并辅助高能球磨技术使烧结后轻稀土元素主要分布于胞壁处，极大地细化胞状组织，从而提高烧结钐钴磁体的矫顽力和磁能积。该工艺简单，易操作，适合于批量化生产。

大尺寸高沉积速率低成本光纤预制棒的制造方法 1048     

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本发明公开了一种大尺寸高沉积速率低成本光纤预制棒的制造方法。光纤预制棒包含较低的包芯比的芯棒、石英砂、薄壁石英管和OVD沉积包层。本发明引入石英砂，可改善烧结过程薄壁石英管和芯棒间隙不均匀导致的不均匀塌缩，改善光纤预制棒的芯包同心度误差。本发明利用合适纯度的石英砂和薄壁石英管，解决了立式多喷灯OVD沉积和真空烧结无法应用包芯比低于4.0芯棒的问题，且制造成本较低，光纤参数优良。

纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 848     

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本发明公开了一种纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为:1)主相合金与晶界相合金分别制备,主相合金采用铸造工艺或速凝甩带工艺制成铸锭或速凝薄带,晶界相合金采用快淬工艺制成快淬带;2)将制备的主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米Zn粉与晶界相合金粉末均匀混合,使其均匀分散在晶界相合金粉末表面;4)将纳米Zn改性的晶界相合金粉末与主相合金粉均匀混合后,在磁场中取向压型制成生坯;5)将生坯在高真空烧结炉内烧结并回火制成最终磁体。本发明制得的烧结钕铁硼磁体性能高,耐腐蚀性好,而且工艺简单、易操作,适于大规模批量生产。

高电阻率2:17型钐钴永磁体的制备方法 608     

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本发明公开了一种高电阻率2:17型钐钴永磁体的制备方法，包括：一、干磨；取2:17型钐钴磁粉，在惰性气体操作箱中将磁粉加入到球磨罐中，然后向球磨罐中充满惰性气体进行球磨；二、湿磨；在惰性气体操作箱中向上述干磨的球磨罐继续加入固体表面活性剂与足量极性溶剂，继续球磨，得到混有表面活性剂的片层状磁粉；固体表面活性剂加入量为钐钴磁粉的1 wt%~10 wt%；三、压制烧结；最后球磨完的混合粉料在惰性气体气氛下通过甩干机甩干，然后压制成型，真空烧结，时效处理后，得到高电阻率永磁体；上述步骤均在惰性气体气氛下操作。本发明的有益效果是：采用干磨与湿磨相结合的方法，制备得到的永磁体不仅具备较高的电阻率，并且其磁性能也能基本得到保持。

高性能SmCo5基钐钴永磁材料的制备方法 599     

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本发明公开了一种高性能SmCo5基钐钴永磁材料的制备方法，属于钐钴永磁材料制备技术领域。本发明通过按照化学计量比为SmCo4.5‑x‑yFexSny，其中0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05进行配料。将配得的原材料依次置于真空感应熔炼炉进行熔炼和高温精炼，得到合金液，在水冷铜模中骤冷，得到成分均匀的钐钴合金锭。将合金锭经过粗碎、中碎和气流磨逐级破碎，最终得到混后粒度SMD在3.5～5.5μm范围内的粉体。在大于1.8 T的磁场中对磁粉进行取向，随后在大于5 MPa的压机压力下对粉体进行压制，在120 MPa的压力下进行等静压并保压2～3 min得到期望的压坯。将压坯置入真空烧结炉进行烧结。本发明解决了现有技术存在添加单一金属（Fe、Sn或Cu）改善SmCo5永磁体一种或几种磁性能的同时，也会导致磁体其他性能的降低等不足的问题，通过添加微量的廉价金属元素Fe和Sn来提升磁体的综合磁性能。

烧结钕铁硼氧含量的调控制备方法 784     

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本发明涉及磁体制备技术领域，为解决现有技术下难以调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，补氧效果波动大，产品的一致性差的问题，公开了一种烧结钕铁硼氧含量的调控制备方法，包括如下步骤：将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼和甩带得到钕铁硼甩带片；将钕铁硼甩带片氢破处理得到氢破后粗粉；将氢破后粗粉在气流磨中由惰性气体研磨得到钕铁硼细粉；向钕铁硼细粉中加入MgO粉末和添加剂，混合后得到混后细粉；将混后细粉取向压制和等静压处理得到钕铁硼压坯；将钕铁硼压坯真空烧结、回火后，得到钕铁硼磁体。本发明可以灵活调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，优化了磁体的性能，并且制得的磁体的一致性好。

石墨烯改性银锡酸镧电接触复合材料的制备方法 1071     

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本发明涉及电接触材料制备技术，旨在提供一种石墨烯改性银锡酸镧电接触复合材料的制备方法。包括步骤：将氧化石墨烯水溶液和锡镧离子混合溶液混匀后加入胶凝剂和分散剂，所得固体烘干、研磨、真空烧结；向氧化石墨烯水溶液中加入淀粉，搅匀后滴加AgNO₃溶液，反应结束后离心分离，所得固体洗涤、烘干后烧结处理；将两种粉体混匀后球磨处理；烘干、过筛，最终获得石墨烯改性银锡酸镧电接触复合材料的粉体。本发明采用湿化学表面改性技术改善了石墨烯与银粒子和锡酸镧颗粒之间界面结合问题，实现了石墨烯层片结构作为导电桥梁的作用，有效地提升了银锡酸镧复合材料的导电性能，所获产品比现有AgSnO₂电接触材料具备更高断后延伸率和更低的电阻率性能。

花簇状锡酸铋纳米粉体的制备方法 699     

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本发明涉及纳米粉体制备技术领域，尤其涉及一种花簇状锡酸铋纳米粉体的制备方法，包括以下步骤：（1）将Sn源溶液定速滴加至Bi源溶液中，得半透明乳浊液；（2）在半透明乳浊液中加入胶凝剂和分散剂，充分混合后，调节pH呈碱性，继续于室温下搅拌，陈化，移除上清液，将沉淀洗涤、离心、干燥；（3）研磨后，高温真空烧结，即得花簇状锡酸铋纳米粉体。本发明采用共沉淀法制备的花簇状锡酸铋纳米粉体，制备原料廉价易得、工艺简单、能耗低且生产周期短，易于实现工业化生产。

高矫顽力烧结钕铁硼的制备方法及产品 796     

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本发明公开了一种高矫顽力烧结钕铁硼的制备方法，包括：制备主相合金粉末和晶界相合金粉末；将制备好晶界相合金粉末和主相合金粉末在保护介质中，用氮气或者氩气保护混合均匀；晶界相合金粉末加入的质量百分比为0.1～10％；将混合完成的合金粉末进行取向压型和冷等静压；在真空烧结炉中，将压型完成的磁块在1000～1100℃烧结2～4h，再经过800～950℃一级回火2～4h和450～650℃二级回火2～4h，制得烧结钕铁硼。本发明还公开了一种高矫顽力烧结钕铁硼。本发明通过低熔点辅合金降低晶界相与主相之间的润湿温度，延长润湿时间，提高重稀土利用率，降低稀土使用量，且工艺简单，成本较低，适合大规模生产。

粉末冶金生产金属拉链的方法 931     

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本发明涉及一种粉末冶金生产金属拉链的方法，包括以下步骤：步骤S1、回收金属粉末并进行除杂处理；步骤S2、配料，将除杂后的金属粉末与粘合剂充分搅拌混合形成金属粉末‑粘合剂混合料；步骤S3、压制成型并形成内胚体，将金属粉末‑粘合剂混合料在常温下压制成型，得到链牙内胚体、下止块内胚体和上止块内胚体；步骤S4、烧结成型，将链牙内胚体、下止块内胚体和上止块内胚体真空烧结成型，烧结温度为1100℃～1200℃，烧结时间为1.5h～2h。该粉末冶金生产金属拉链的方法，回收加工车间内产生的废弃金属粉末，减少金属资源的浪费且成本较低，制成的链牙、下止块和上止块具有强度高、重量轻且耐腐蚀，且外观和手感均较好，适用于制造羽绒服用的金属拉链。

碳纤维表面生成碳化硅涂层的方法 740     

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本发明公开了一种碳纤维表面生成碳化硅涂层的方法。本发明在聚丙脪腈 碳纤维表面合成SiC涂层。将硅粉或硅块碎片放入石墨坩锅底部，碳纤维横置于 坩锅顶部，为了尽可能增加碳纤维与硅蒸汽的接触并固定碳纤维，倒置同样大 小的坩锅于搁置了碳纤维的坩锅上，硅碎片和碳纤维之间始终保持距离。把这 个装置放入高温真空烧结炉中，机械泵预抽真空1～5Pa，然后充入氩气保护气， 再次用机械泵及扩散泵抽至10-4～10-2Pa，然后再次充入氩气保护气，关闭氩气 源。然后升温到硅的熔点之上，保温1～9小时，关掉电源，冷却后取出纤维， 纤维表面生成了一层碳化硅涂层。本发明具有设备简单、无需氯硅烷或聚碳硅 烷先驱气体和氢气等一系列优点。

废料循环利用的高磁性能钕铁硼磁铁及其制备方法 1066     

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本发明涉及一种磁铁的制备方法，尤其是涉及一种废料循环利用的高磁性能钕铁硼磁铁及其制备方法。其主要是解决现有技术所存在的钕铁硼磁铁在烧结时各成分分布地不均匀，烧结时坯料的受热也不均匀，因此生产出来的钕铁硼磁铁的磁力分布不均，磁性能较低等的技术问题。本发明将各组分粉料投入到真空速凝炉中进行铸片，再将铸片送入氢碎炉进行氢碎处理，然后将氢破粉送入到自动磁场压机中在磁场强度为1.4‑2.0T的取向磁场下压制成型、等静压处理，将成型后的坯料放入到真空烧结炉中进行三段烧结，最后将烧结后的坯料放入到磨床进行双面磨，经光坯检验后进行线切割，然后经过成型磨成型，经黑片检验、成品检验后即出高磁性能钕铁硼磁铁。

提高钕铁硼毛坯内禀矫顽力一致性的热处理方法 952     

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本发明公开了一种提高钕铁硼毛坯内禀矫顽力一致性的热处理方法，包括以下具体步骤：步骤一，在充氮气的手套箱内将已取向成型的钕铁硼压坯装进石磨盒，石磨盒加盖，推入真空烧结炉进行烧结；步骤二，烧结结束后，先将磁体自冷至550~850℃，然后保温0.5~3h，再升温进入一级时效阶段；步骤三，一级时效结束后，先将磁体风冷至75~85℃，再升温进入二级时效阶段；步骤四，二级时效结束后，将磁体风冷至75~85℃出炉，出炉后揭去石磨盒盖子，用风机将磁体吹冷至35~45℃，得到钕铁硼毛坯。通过本发明热处理方法制得的同炉次的钕铁硼毛坯间内禀矫顽力一致性有明显的提升，同时本方法可有效缩短毛坯的热处理时间，从而降低生产成本及设备能耗。

Yb敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 850     

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本发明公开的Yb敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y,Yb,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、镱的化合物和M的化合物混合，煅烧得(Y,Yb,M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y,N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Yb,M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Yb,M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

高饱和磁通密度、低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法 1082     

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本发明公开了一种高饱和磁通密度、低损耗锰锌铁氧体材料及其制备方法。锰锌铁氧体材料：Fe2O3：52～54mol％；MnO：33～40mol％；ZnO：8～13mol％；辅助成分CaCO3：100～600ppm；SiO2：50～300ppm；其余为金属氧化物辅助成分。方法的步骤为：1)原材料混合；2)预烧；3)辅助成分添加；4)二次球磨；5)成型；6)烧结。本发明制备的锰锌铁氧体材料中添加的辅助成分均为普通的氧化物颗粒，无需纳米级别，不存在团聚问题，因此添加简易、成本较低。本发明提供的锰锌铁氧体材料的制备方法简易，预烧和烧结温度较低，对烧结设备的要求较低，能够在普通的真空烧结炉内实现，因此易于实现产业化。

大尺寸光纤预制棒的制造方法 1069     

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本发明公开了一种大尺寸光纤预制棒的制造方法，先采用小芯包比的芯棒为靶棒进行沉积，然后放入石英炉内进行干燥以增加多孔光纤预制棒的密度，干燥过程中通入少量的氯气和惰性气体，氯气的流速为0.3‑0.8L/min，惰性气体流速为5‑10L/min，最后将其放入真空烧结炉内进行烧结致密化，形成最终的大尺寸光纤预制棒。本发明能减少真空烧结炉的负载，可制造出无气泡、大尺寸、低羟基的光纤预制棒，总体制造成本低，适合规模化生产。

Nd敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 964     

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本发明公开的Nd敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y,Nd,M)2O3相、壳层为(Y,N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、钕的化合物与M的化合物混合，煅烧得(Y,Nd,M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y,N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y,Nd,M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y,N)2O3薄层对(Y,Nd,M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷及其制备方法 698     

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本发明公开的Tm敏化的氧化钇基激光陶瓷，其晶粒具有核壳结构，核层为(Y, Tm, M)2O3相、壳层为(Y, N)2O3相，其中M为稀土发光离子、N为烧结助剂。制备过程如下：首先将钇的化合物、铥的化合物与M的化合物混合，煅烧得(Y, Tm, M)2O3粉体，再将钇的化合物与N的化合物混合，煅烧得(Y, N)2O3粉体，然后将上述两种粉体混合；或者将钇的化合物与N的化合物混合后直接加入(Y, Tm, M)2O3粉体混合、煅烧；将得到的混合粉体等静压成型、真空烧结，冷却后退火。本发明利用烧结性能优异的(Y, N)2O3薄层对(Y, Tm, M)2O3相进行包覆，可以在提高陶瓷烧结性能的基础上减少晶格畸变，从而获得优良的激光性能。

纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法 620     

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本发明公开了一种纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米铜添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,耐腐蚀性好,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。

以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法 697     

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本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料,在碳质材料粉体的表面生成原硅酸,高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中,并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中,抽真空并充入氩气保护气,然后加热到1200～1700℃,保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅,得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成,场发射扫描电镜观察其形貌,用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相,纳米线直径为50-200纳米,长度为1-10毫米。

合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法 1061     

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本发明公开了一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法。将硅粉放入石墨坩锅底部,盖上经抛光的光滑的石墨片,然后把整个装置放入真空烧结炉中并保温,之后降温到1300℃,关掉电源任其自然冷却,最后有大量的灰白色的产品附着在抛光石墨基片上为六棱柱状SIC纳米棒。本发明制备的六棱柱状SIC纳米棒且产量高,制备成本低;六棱柱状SIC纳米棒以一定的角度立于石墨片上,尺寸大小、形状均一;六棱柱状SIC纳米棒的质量较高,无层错等缺陷;反应设备简单,方法简单,工艺易于操作。

碳化钛微粉及其制备方法 928     

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本发明公开了一种碳化钛微粉的制备方法,包括以下步骤:1)碳化钛前驱体的制备:于搅拌状态下在二氧化钛溶胶中加入竹炭粉,搅拌1～2小时后置于超声清洗器中超声清洗15～30分钟,接着再于160～200℃烘箱中烘干,研磨成粉,得均质性前驱体;二氧化钛与竹炭粉中碳的摩尔比为1∶3;2)将均质性前驱体置于真空烧结炉中,在1600～1900℃加热1～6小时,得碳化钛微粉。本发明还同时公开了利用上述方法制备而得的碳化钛微粉。采用本发明方法制备碳化钛微粉,具有纯度高、粒度分布可控的特点。

采用放电等离子烧结高性能铜钨电工触头材料的方法 767     

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本发明公开采用放电等离子烧结高性能铜钨电工触头材料的方法，该方法是将钨粉、铜粉配制成铜钨复合粉，放入石墨模具中；将石墨模具放入放电等离子烧结炉中，对铜钨复合粉施加20-60MPa的压力，在烧结炉中通入惰性气体或抽真空，烧结温度为900-1200℃，保温5-25min，最后随炉冷却至室温，制得铜钨电工触头材料。与传统的烧结工艺相比，放电等离子烧结法是融入热压、等离子活化和电阻加热为一体的烧结技术，从而具有升温速度快、烧结时间短以及晶粒均匀等特点，有利于控制烧结体的细微结构，从而获得的材料致密度高且性能好。

富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法 804     

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本发明公开了一种富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法。其步骤为:1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片,晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带;2)将主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米钛粉添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型;5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高,工作温度高,此工艺可以用于大规模批量生产,通过本发明可以制备出高矫顽力、高工作温度的烧结钕铁硼。

透明氮化铝陶瓷的制造方法 889     

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本发明公开了一种透明氮化铝陶瓷的制造方法，氮化铝陶瓷粉体置于放电等离子烧结设备中进行预烧结，高纯氮气保护，预烧结温度范围1500-1700℃，保温时间3-10min，轴向压力10-20MPa，获得氮化铝预烧结体，然后将氮化铝预烧结体置于真空烧结炉中进行无压烧结，无压烧结在流动高纯氮气气氛中进行，无压烧结温度范围：1700-1800℃，保温时间1-6h，冷却后制得所述透明氮化铝陶瓷。本发明方法制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界和发育良好的晶粒结构，宏观上呈现透明状态。

晶界相重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 616     

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本发明公开了一种晶界重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法。它的成分为：NdeFe100－e－f－gBfMg，其中6≤e≤24，5.6≤f≤7，0.03≤g≤8，M为Dy、Tb、Pr、Sm、Yb、La、Co、Ni、Cr、Nb、Ta、Zr、Si、Ti、Mo、W、V、Ca、Mg、Cu、Al、Zn、Ga、Bi、Sn、In元素中一种或几种；方法为：将主相合金和重构的晶界相合金分别制粉，然后均匀混合；将混合粉末在磁场中压制成型坯件，在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明通过晶界相成分的重构，得到具有低熔点以及高电极电位的晶界相合金，在保证磁性能的基础上降低了主相和晶界相的电位差，提高了磁体的本征耐蚀性，而且工艺过程简单，成本较低，适合于批量化生产。因此，结合晶界重构和双合金法可以制备具有高本征耐腐蚀性的烧结钕铁硼磁体。

热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法 753     

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本发明公开了一种热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法。首先将硅源放入石墨坩底部,在坩锅顶部搁置碳质材料,硅源与碳质材料之间不相互接触,碳质材料既是反应的碳源,又充当反应产物形成的基底,把装好样的坩锅装置放入高温真空烧结炉中,抽真空到0.1～20PA,然后充入氩气保护气。然后,加热升温至1200～1650℃,保温0.5～10小时后,关掉电源,冷却后取出石墨坩埚,便得到碳质材料上有一层淡绿色、淡蓝色或灰色产物。本发简单的热蒸发法具有生产成本低、纳米线纯度高,工艺简单易行的优点。