本发明公开了一种背钝化晶体硅
太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明提供的方法包括步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片背面制备复合电介质膜,所述复合电介质膜中的各成分均匀分布;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极,在所述硅片正面形成正电极。相应的,本发明还提供一种采用本发明提供的方法制备的太阳能电池。采用本发明提供的方法可以有效提高太阳能电池的背钝化效果,进而提高太阳能电池的光电转换效率。
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“背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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