浙江宁波有色金属冶金技术理论与应用

太阳能多晶硅的制备方法 952     

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本发明主要公开了一种太阳能级多晶硅的制备方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1‑6mol/l的盐酸、浓度为0.5‑6mol/l的硝酸和浓度为1‑5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430‑1500℃，真空度为90000‑1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10‑2‑10‑5Pa，温度1430‑1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω.cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。

具有二次相组织结构的Zn-Sb基热电材料制备方法 704     

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本发明涉及新材料领域，适用于热能与电能直接转换的中温发电的关键元器件用材。是一种具有二次相组织结构的Zn-Sb基热电材料制备方法，Zn-Sb基热电材料中的第二组分是含过渡金属元素Cu的金属间化合物Cu5Zn3，在该Zn-Sb基热电材料中以摩尔比Zn4Sb3：Cu5Zn3=200：1的比例掺杂金属间化合物Cu5Zn3，化学式为(Zn4Sb3)200(Cu5Zn3)，要点是采用放电等离子火花烧结（SPS）制备，所述的热电材料是在Zn4Sb3内部掺杂摩尔分数为0.005的Cu5Zn3金属间化合物，构成热电材料，其化学式为(Zn4Sb3)200(Cu5Zn3)。(Zn4Sb3)200(Cu5Zn3)热电材料采用粉末冶金法合成，其制备工艺分五步进行。本发明的优点工艺简单，成本较低；材料具有环保性质，无污染，无噪音，是一种绿色能源材料。

汽车制动毂及其制备方法 942     

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本发明公开了一种汽车制动毂及其制备方法，该制动毂包括圆筒状的制动毂本体，制动毂本体为铝合金制动毂本体，铝合金制动毂本体的内壁复合有圆环状的陶瓷增强材料耐磨层，陶瓷增强材料耐磨层通过挤压铸造工艺与铝合金制动毂本体冶金结合。本发明可实现制动毂的轻量化，从而可增加汽车有效载荷，降低油耗，导热性好的铝合金有利于提高制动毂的散热性，延长汽车制动毂的使用寿命，减少制动毂的维护成本，改善车辆的通过性能并缩短刹车距离，提高汽车的安全性；本发明制动毂的制备方法通过选择性的局部强化，采用挤压铸造工艺，在铝合金制动毂本体的内壁复合圆环状的耐磨层，可确保制动毂工作面的耐磨性，降低制动毂的原料成本和加工成本。

含稀土的耐磨铝青铜合金及其制备方法 854     

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一种含稀土的耐磨铝青铜合金及其制备方法，其主要成分：铜：70.0～72.0％、铁：7～9％、锡：0.9～1.2％、锰：6.0～8.0％、硅：2～4％、硼：0.1～0.3％、稀土铈：0.2～0.3％，其余为铝和不可避免的杂质；制备生产工艺流程为：配料－熔铸－加热－挤压－退火－成品。本发明制备工艺简单，易于操作，可实现规模化生产，制备的铝青铜合金不含铅、砷等铜合金材料，消除生产和使用中对环境和人体的危害，且具有优良的力学性能、耐磨性能和良好的加工塑性，适用于矿山、冶金、工程等机械行业用的关键件如铜套、轴瓦等耐磨铜件，对提高设备使用寿命、提高产品质量和降低能源消耗具有重大的现实意义。

制动盘及其制备方法 1171     

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本发明公开了一种制动盘，用于机动车辆、轨道交通和飞行器的制动系统，该制动盘包括制动盘本体，制动盘本体为铝合金制动盘本体，铝合金制动盘本体的两个工作面上分别复合有一层耐磨层，耐磨层为陶瓷‑耐高温金属复合增强材料耐磨层，陶瓷‑耐高温金属复合增强材料耐磨层通过挤压铸造工艺与铝合金制动盘本体冶金结合；本发明制动盘的重量轻、强度高、耐磨性和散热性好，使用寿命长，重量和寿命与碳陶盘相近，加工成本和维护成本低，使用寿命在30万公里以上，使用成本接近球铁盘，能够改善机动车辆、轨道交通和飞行器的通过性能并缩短刹车距离，提高安全性，适于自动化大批量生产。

用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置 1134     

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本实用新型属于半导体材料制备领域，具体涉及一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置，包括：熔炼造渣装置、阶梯除磷装置、分步氧化装置和精炼凝固装置。本实用新型将硅液经造渣除杂后，进入阶梯除磷装置，当硅液从硅液流槽口流出时，用电子枪的高能电子束轰击从槽口流出的硅液，从而快速的除去硅液中的磷杂质。在分步氧化装置内用不同的精练气体分步作用，除去硅液中的杂质硼、碳、金属等杂质，再通过脱气精练、定向凝固后，切除硅锭的高杂质部分，得到高纯度的太阳能级多晶硅产品，实现高纯多晶硅的连续工业化生产。

减震器 813     

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本发明涉及减震器，具体涉及粉末冶金减震器及其制备工艺，属于粉末冶金技术领域。减震器包括减震器本体和本体表面的镀层，减震器本体由如下成分及其质量百分比的铝合金组成：Zr：0.07‑0.13％、C：0.05‑0.09％、Si：0.1‑0.2％、Cd：0.09‑0.15％、Cr：0.04‑0.08％、Cu：0.02‑0.06％、余量为Al和杂质。原材料中加入锆，是强有力的脱氧和脱氮元素，是除去氧、氮、硫、磷的净化剂，在铝合金改善铝的低温韧性，作用远优于传统铝合金中的钒。并以碳源化合物中的碳进行表面微碳化。而减震器镀层由多元合金相构成，而多元合金相由钯、金、银、钴、铂、铑中的多种形成。最后以电火花处理工艺进行上镀获得性能良好的产品。

中温用金属硒化物热电材料及制备工艺 958     

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本发明涉及热电材料领域的中温用金属硒化物热电材料及制备工艺。其设计要点在于该热电材料的化学式为InxAgySe3,其中x+y=2,0.05≤y≤0.25。其制备工艺是将单质元素In、Ag、Se置于真空石英管内,经1000～1100℃合成20～28小时后,将InxAgySe3铸锭随炉冷却至600～650℃立即在水中淬火,淬火后的InxAgySe3经铸锭粉碎、球磨,再经放电等离子火花烧结制成块体,烧结温度为550～650℃,烧结压力40～60MPa,保温时间8～12分钟,烧结后的块体材料表面用硅酸钠浓溶液涂覆处理,待干燥后在真空石英管内退火20～28小时,退火温度180～200℃。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单;采用过渡金属元素Ag等摩尔替换In2Se3热电合金中In元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。

Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺 796     

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本发明涉及热电材料领域，是一种Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125～0.05，Ag和In元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的化学式为Ag1-xIn1-xZn2xSe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换Ag-In-Zn-Se四元热电合金中Ag和In元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺 943     

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本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

钢顶铝活塞及其制备方法 682     

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本发明涉及一种钢顶铝活塞及其制备方法，其包括活塞顶和铝基体，其特征在于：所述活塞顶是由钢顶与多层互相成一定角度的过渡丝网组成，所述过滤丝网经真空扩散焊接在钢顶与铝基体的连接面上，所述活塞顶与铝基体是通过使铝液渗入过渡丝网中形成机械和冶金结合来连接的。活塞的钢顶采用厚度0.5～0.6mm的耐热不锈钢，使得活塞重量减轻，过渡丝网则使活塞顶与铝基体之间的结合强度增加，并通过在过渡丝网上形成陶瓷隔热层这一技术措施，又保证了活塞的耐热能力，因此，本发明的活塞其重量减轻，耐热性相当，活塞在使用过程中的可靠性增加。另外，本发明中所述活塞采用挤压铸造工艺成型，这种工艺不仅简单，还可有效提高铝合金的材料性能，从而使该活塞的整体性能比较高。

汽车制动盘及其制备方法 987     

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本发明公开了一种汽车制动盘，包括制动盘本体，该制动盘本体为铝合金制动盘本体，铝合金制动盘本体的两个工作面上分别复合有一层耐磨层，耐磨层为陶瓷增强材料耐磨层，陶瓷增强材料耐磨层通过挤压铸造工艺与铝合金制动盘本体冶金结合。本发明制动盘重量轻，耐磨性和散热性好，使用寿命长，维护成本低，可降低车辆油耗，改善车辆的通过性能并缩短刹车距离，提高汽车的安全性；本发明制动盘的制备方法通过选择性的局部强化，采用挤压铸造工艺，在铝合金制动盘本体的两个工作面上分别复合一层陶瓷增强材料耐磨层，将陶瓷增强材料耐磨层与铝合金制动盘本体冶金结合，可确保制动盘的工作面的耐磨性，降低制动盘的原料成本和加工成本。

Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体及其制备工艺 1043     

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本发明涉及一种Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体是由Ag0.317Ga0.561Te中的部分Ga元素等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.01～0.053，所述Ga元素在Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.24～0.29，所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体的化学式为Ag0.317Ga0.561‑xZnxTe，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换Ag0.317Ga0.561Te中Ga元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

铝-铝复合活塞及其制备方法 739     

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一种铝-铝复合活塞及其制备方法，其特征在于：该铝-铝复合活塞的裙部和头部是采用二种不同的铝合金材料，其中活塞裙部材质为相对强韧性好的第一种铝合金，活塞头部材质为相对低膨胀耐热的第二种铝合金或铝基复合材料；制备时，采用挤压铸造工艺复合成型。本发明采用二种铝合金材料制成，可以满足发动机活塞局部性能的不同要求；同时采用挤压铸造工艺进行制备，以实现两种铝合金的完全冶金结合，制得的活塞结合强度高，组织致密，使用性能优良。

无氨化金属钴粉制备工艺 832     

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本发明公开了一种无氨化金属钴粉制备工艺，采用碳酸盐作为沉钴原料与高纯度的钴溶液反应来合成碳酸钴盐，进一步再通过还原焙烧上述碳酸钴盐来制得金属钴粉。本发明沉钴工艺生产的碳酸钴盐具备稳定的物理性能和化学性能，进而可以改善和提高成品金属钴粉的质量稳定性；同时，在沉钴工艺中无需引入铵根离子，不会产生污染环境的废气和固废，废水中也不含有氨氮类物质，降低了废水的后期处理流程和处理成本，改善了作业环境，兼备良好的经济效益和环保效益。

高性能减震器 702     

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本发明涉及高性能减震器，具体涉及粉末冶金高性能减震器及其制备工艺，属于粉末冶金技术领域。减震器包括减震器本体和本体表面的保护层，减震器本体由如下成分及其质量百分比的铝合金组成：Zr：0.06‑0.12％、C：0.04‑0.08％、Si：0.2‑0.3％、Cd：0.08‑0.14％、Cr：0.05‑0.09％、RE：0.03‑0.05％、余量为Al和杂质。原材料中加入锆并配合稀土元素，是强有力的脱氧和脱氮成分，是除去氧、氮、硫、磷的净化剂，在铝合金中改善铝的低温韧性。保护层不仅能保护本体不受外界侵蚀，且能转变本体表层合金相组成，增强其综合性能，延长使用寿命。而高速高冷的气体流射入合金液中，将合金液破碎成极细颗粒的液流，利用温度的差异，使得液流急冷后形成微粒，无需经机械进行磨制处理即可进行粉末冶金工艺。

铸态高强度球铁及其制造工艺 824     

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本发明公开了一种铸态高强度球铁及其制造工艺，该工艺包括：步骤(1)：配金属炉料，按重量百分比为生铁20‑30％、回炉铁25‑35％、废钢35‑45％，采用中频感应电炉进行熔炼，增碳剂与金属炉料一同加入电炉中下部位，进行增碳处理，熔炼温度控制在1450‑1520℃，随后铁水包内吹氮气脱硫处理；步骤(2)：对上述产物进行球化处理和二次孕育处理，第一孕育剂选用为75SiFe孕育剂，第二孕育剂选用为硫氧铈孕育剂；步骤(3)：使用铁模覆砂铸造工艺进行浇注成型，浇注完成后，利用铸件自身的预热进行热处理，直至室温。本发明提供的工艺设计合理，其减去了热处理工序，降低了生产成本，减少环境污染，通过该工艺得到的球铁，其力学性能均得到提高。

利用线材氧化技术制备银氧化锌线材的工艺 1012     

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本发明涉及一种利用线材氧化技术制备银氧化锌线材的工艺。传统粉末冶金法制备的银氧化锌电接触材料，生产成本高，产品成材率低，且生产工艺相对复杂。本利用线材氧化技术制备银氧化锌线材的工艺包括以下步骤：1）熔炼铸锭、2）表面处理、3）挤压拉丝、4）高温高压氧化、5）破碎压型、6）拉丝。本发明一种利用线材氧化技术制备银氧化锌线材的工艺流程简单、成本低廉，且生产周期短、环保无污染，其制得的银氧化锌线材具有致密性较好、氧化物质点细小、耐电弧腐蚀，使用寿命长等优点。

含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法 980     

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本发明提供了一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法。所述含有晶界相的钐钴永磁体具有富含铜元素的晶界相包裹晶粒的组织结构。所述制备方法包括：首先采用传统粉末冶金工艺熔炼钐钴合金铸锭，并将其制备成微米级钐钴合金粉末；将微米级或纳米级CuO粉末与所述钐钴合金粉末混合均匀，之后依次进行磁场取向压型、冷等静压、烧结、固溶和时效处理，获得含有晶界相的钐钴永磁体。本发明的钐钴永磁体具有富含铜元素的晶界相包裹晶粒的组织结构和高的矫顽力，与不含该组织结构的钐钴永磁体相比，随着CuO添加量的提高，钐钴永磁体的室温矫顽力得到大幅提高，提高幅度达到1.5‑2.5倍。

高纯钴靶材的制备方法 977     

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本发明提供的高纯钴靶材的制备方法，包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯，获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。

用于穿孔顶头修复的激光熔覆合金粉末及其制备、使用方法 1091     

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本发明公开了一种用于穿孔顶头修复的激光熔覆合金粉末，包括如下质量百分比的组成：0.12～0.25％C；2.0～4.0％Cr；0.4～0.8％Si；0.5～1.5％W；1.0～3.0％Mo；4.0～8.0％Ni；0.5～2.0％Al；0.3～0.7％Mn；0.2～0.5％V；0.1～0.3％Ce；余量为Fe及不可避免的微量杂质。上述合金粉末采用中频感应电炉熔炼后惰性气体雾化制备而得。本发明的合金粉末可直接在穿孔顶头基材上进行激光熔覆且与穿孔顶头的材质成分相近，熔覆层与基材冶金结合牢固，急冷急热冲击不开裂，高温下具有良好的强韧性、耐磨性、抗冲击和热疲劳，高温自发形成的氧化膜致密、完整、结合力好。

提高磁性能的稀土永磁制备工艺 890     

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本发明涉及一种提高磁性能的稀土永磁制备工艺，属于稀土磁性材料制备技术领域。该制备工艺主要包括配料、熔炼、浇注、氢碎、气流磨制粉、磁场取向与压制成型、烧结和回火，其中，气流磨制粉得到的粉料粒度为1.5‑4μm，粉料集中度D90/D10比值为4‑5。本发明提高磁性能的稀土永磁制备工艺采用的是粉末冶金法，通过控制每一步骤的工艺条件，包括合金成分与微观组织控制、控氧、晶粒细化控制、磁场取向控制、烧结以及回火的控制，环环相扣，每个步骤都要为下个步骤打下基础。因此，本发明在不增加配方成本的前提下，可以通过生产工艺的改进达到磁性能提高的效果，从而提高高性能稀土永磁的稳定性，更好的满足高端运用领域的需要。

高机械强度镨铁硼永磁体及其制备方法和加工罐 745     

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本发明公开了一种高机械强度镨铁硼永磁体及其制备方法和加工罐，镨铁硼的基体组分包括铁350‑400份、镨175‑200份、硼25‑35份、镓0.4‑0.8份、铜0.4‑0.8份、钴2‑4份、锆0.4‑0.8份；防腐蚀层包含以下组分：铝6‑7份、锌4‑5份、锡4‑5份。其制备方法为；将粉末加入无水乙醇并研磨、梯度熔炼、氢碎气流磨制粉、磁场取向成型、冶金烧结和化学浸镀；本发明可用于航空航天、超导和低温波荡器等各种低温永磁装置，其具有较高的矫顽力和优异的机械强度与韧性。

锰铬硼稀土抗磨铸铁及其制备工艺 923     

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本发明是一种锰铬硼稀土抗磨铸铁及其制备工艺,其化学成份重量百分比为:C 0.32～0.42%、Si 0.4～1.5%、Mn 6～12%、Cr 4～8%、B 0.001～0.01%、Re 0.2～1.5%、P、S≤0.08%、变质剂0.10～0.50%、Fe余量。制备工艺通过熔炼炉将普通废钢、不锈钢废料、碳素铬铁、中碳铬铁、含硼生铁按化学成分配比要求,换算成重量后混合加热熔化,待铁水熔清后加入硅铁和锰铁,炉内熔化温度升至1500～1580℃后,进行Si-Ca和Re-Mg-Si-Ca第一次复合变质处理铁液,出炉前加入Re,再进行Re-Mg-Si-Ca第二次复合变质处理铁液,铸件浇注后进行双级淬火和低温回火即得成品。本发明与铬系、锰系耐磨铸铁相比,生产成本低,具有极优的耐磨性、抗破碎性和良好的强韧性,使用寿命长,被广泛应用于发电、冶金、矿山、水泥、耐火材料等行业的干湿磨球、板锤、护板等耐磨铸件产品。

高导电率低锡青铜带的制备方法 741     

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本发明提供了一种高导电率低锡青铜带的制备方法,属于冶金熔炼领域。它解决了现有的青铜带其导电率低的问题。该方法包括以下步骤:(1)按照如下质量分数配制原料:锡2.5～7.0%,磷0.08～0.25%,镍0.10～0.25%,余量为铜和杂质,且所述杂质的质量分数小于0.15%;在熔化炉中将配好的原料熔化,熔化炉内原料温度为1180～1240℃;(2)利用所述原料进行熔铸,熔铸温度为1140～1200℃,得到青铜带卷坯;(3)对所述青铜带卷坯进行铣面,然后进行粗轧开坯,得到青铜带卷;(4)对所述青铜带卷中间退火,退火温度为520～630℃,保温4.5～6小时,然后依次进行酸洗、中轧、低温热处理、表面清洗钝化,最后拉弯矫得到高导电率低锡青铜带成品。本方法制得的青铜带具有导电率高、机械性能好的优点。

高纯钽靶材制备方法 896     

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本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。

球墨铸铁制备方法 873     

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本发明公开一种球墨铸铁制备方法,属于冶金制造技术领域,其解决了现有技术中球墨铸铁制备流程周期长、制备得到的球墨铸铁机械性能不能满足要求的缺点。本发明球墨铸铁制备方法包括原料熔炼步骤、球化处理和第一次孕育处理步骤、第二次孕育处理步骤以及第三次孕育处理步骤。本发明球墨铸铁制备方法生产成本低、生产周期短,无需热处理。生产的球墨铸铁质量稳定、韧性高,特别适合高冲击力、高强度机器模具的铸件。

高硅梯度复合铝合金缸套材料及其制备方法 1130     

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本发明公开的是一种高硅梯度复合铝合金缸套材料及其制备方法,该材料各组分按重量百分比为:Si:13.0%～27.0%;Fe:0.3%～2.0%;Ni:1.5%～5%;Cu:1.5%～4.0%;Mg:0.3%～0.8%;Mn:0.3%～0.8%;V:0.1%～0.5%;Sr:0.05%～0.10%;RE:0.04%～0.1%;P:0.01-0.1;Al:余量。其制备方法包括上述材料以中间合金进行成分设计并精确配料;熔炼、覆盖、精炼与变质处理;离心铸造成形;热处理;机加工与珩磨加工。本发明特点是采用Sr-P-RE三元复合变质处理技术和采用变频电机控制的离心铸造技术,获得梯度摩擦学功能的复合材料,比喷射沉积、粉未冶金工艺制备成本低,比压铸工艺获得的制品力学性能和摩擦学性能更优越,制得缸套加工质量与使用效果更优越,具有与活塞铝合金配缸相容性好等优势和特点。

高硅铝合金缸套材料及其制备方法 901     

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高硅铝合金缸套材料及其制备方法,其材料组分按重量百分比为:SI:18.0%～25.0%;FE:3.5%～6.0%;NI:1%～2%;CU:1.5%～3.0%;MG:0.5%～1.0%;MN:0.5%～1.5%;V:0.1%～0.5%;SR:0.05%～0.15%;AL:余量。其制备方法包括①成分设计与精确配料,精确配料采用中间合金进行定量配料;②熔炼、覆盖与精炼;③喷射沉积;④挤压加工;⑤热处理;⑥机加工与珩磨加工。本发明的材料及制备方法使高硅铝合金制品具有高的综合力学性能特点,优越于铸铁缸套材料的力学性能特点,摩擦学性能优于钢、铸铁缸套材料,与活塞铝合金材料热物理性能相容性好,可显著缩小配缸间隙。本发明的制备特点是采用喷射沉积制造工艺,它是高硅铝合金制备中的主要手段,比粉末冶金工艺和压铸工艺优越,可采用常规加工设备及工艺条件。

高强耐热稀土镁合金锭坯电磁半连续铸造制备方法 805     

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一种高强耐热稀土镁合金锭坯电磁半连续铸造制备方法，其特征在于步骤为：配料；熔炼；浇铸成型：采用配置有励磁线圈的结晶器，熔体流入结晶器内，施加特定频率与强度的低频电磁场；待结晶器内的金属液位达到距离结晶器顶部水平位置30~40mm的液面高度时，开动铸造机以恒定速度进行拉坯铸造，其中铸造速度为50~90mm/min；浇铸温度为740~750℃；所施加的低频电磁频率范围为1Hz-90Hz，强度为2000AT-40000AT。本发明可大幅降低锭坯凝固时的横向温度梯度，改变液穴形状，提高锭坯凝固的均匀性，降低锭坯铸造缺陷的尺寸效应，改善立式半连续铸造稀土镁合金大型锭坯的内部冶金质量和表面质量，可以获得无裂纹、表面平整光洁、成分稳定、宏观偏析显著减小、组织细小均匀的高质量稀土镁合金锭坯。