本发明涉及一种Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体是由Ag0.317Ga0.561Te中的部分Ga元素等摩尔量替换为Zn元素,所述Zn元素在所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.01~0.053,所述Ga元素在Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.24~0.29,所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体的化学式为Ag0.317Ga0.561‑xZnxTe,其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的
粉末冶金法制备,工艺简单;采用金属元素Zn等摩尔替换Ag0.317Ga0.561Te中Ga元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
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