广东有色金属理论与应用

多MOS并联失效的检测电路及检测设备 1174     

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本实用新型涉及技术领域，且公开了一种多MOS并联失效的检测电路及设备，包括NMOS低端保护电路以及PMOS高端保护电路，所述NMOS低端保护电路上电连接有NMOS低端检测电路，所述PMOS高端保护电路上电连接有PMOS高端检测电路，所述NMOS低端保护电路包括第一运算放大器U1A、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻Rf以及电阻RF，所述PMOS高端保护电路包括第二运算放大器U1B、电阻R1a、电阻R2a、电阻R3a、电阻Rf1以及电阻RF1，还包括一种多MOS并联失效的检测设备，该设备包括上述的多MOS并联失效的检测电路。本实用新型能够对多并串保护板中的并联的所有MOS管进行实时的检测，并能够将检测到的信息通过LED灯实时显示出来，有效提高保护板的产品质量。

离子风机失效检测电路及检测器 753     

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本实用新型公开了一种离子风机失效检测电路及检测器，该离子风机失效检测电路包括电源供电接口、结果显示电路单元、用于吸收离子风机发出离子风中的电荷并产生相应感应电压的感应电压产生电路单元、耦合输入电路单元、用于将感应电压进行放大并将放大后的感应电压与一基准电压进行比较，且根据比较结果输出相应控制信号的放大比较电路单元、用于根据控制信号控制结果显示电路单元工作的控制电路单元；电源供电接口与放大比较电路单元、控制电路单元及结果显示电路单元连接，感应电压产生电路单元经耦合输入电路单元与放大比较电路单元连接，放大比较电路单元还经控制电路单元与结果显示电路单元连接。本实用新型提高了对离子风机的检测时效性。

激光器光路检测电路及其失效检测方法 842     

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一种激光器光路检测电路及其失效检测方法，用于检测激光器中的光路能否正常产生激光，即激光光线，且其向激光器的光路输出保护信号，当激光器光路检测电路在光路通电后检测到光路未能正常产生激光光线时，该激光器光路检测电路通过保护信号令激光器的光路停止通电；激光器光路检测电路包括检测模组、前级运算模组及连接所述前级运算模组的后级运算模组。本发明的激光器光路检测电路及其失效检测方法通过所述检测模组、前级运算模组及后级运算模组可根据激光器光路是否发出激光光线而可靠地产生相应的保护信号，在激光器光路通电后出现异常时能及时控制激光器光路与外部电源切断，从而避免了成本高的激光器光路在通电测试中受损。

用于LED灯的失效检测电路及检测方法 874     

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本发明公开了一种用于LED灯的失效检测电路，该检测电路包括LED灯、负反馈模块、参考电压模块以及失效检测模块，所述参考电压模块通过负反馈模块控制流经LED灯的电流以调节LED灯的亮度，所述失效检测模块的输入端和LED灯连接用于检测LED灯的失效状态，失效检测模块的输出端通过单片机和负反馈模块连接；所述失效检测模块包括并联的第六二极管D6和第二二极管D2，所述第六二极管D6靠近LED灯设置，所述第二二极管D2设置在环境温度下；本发明还公开了LED灯失效检测方法。本发明通过失效检测模块可以检测出LED灯的失效状态，并且根据失效状态做出相应的措施以防止LED灯损坏；同时，本发明采用外置的参考电压模块和负反馈模块实现了对LED灯电流的动态调节。

电动汽车及其的漏电检测装置的失效检测装置 737     

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本实用新型提出了一种电动汽车及其的漏电检测装置的失效检测装置，包括：电阻，电阻的一端与电动汽车的高压系统相连；继电器，继电器中的开关的一端与电阻的另一端相连，继电器中的开关的另一端接地；低压控制电源，低压控制电源与继电器中的控制线圈的一端相连；提示器，提示器在漏电检测装置检测到高压系统漏电时发出报警提示；发送失效检测信号的发送器；电池管理器，电池管理器分别与继电器的控制线圈的另一端、漏电检测装置、提示器和发送器相连。该失效检测装置能够及时检测出漏电检测装置是否失效，从而有效防止由于漏电检测装置失效导致的安全事故。本实用新型还提出了一种具有电动汽车的漏电检测装置的失效检测装置的电动汽车。

电芯检测柜检测点失效的检测方法 895     

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本发明公开了一种电芯检测柜检测点失效的检测方法,包括以下步骤:A)将标准电芯放置在检测点上充放电;B)当标准电芯充放电进入设定的恒压电压阶段后,每间隔设定时间测量一次电芯正、负极端子间的电压。步骤A)中还在电池的正极端子和负极端子上各连接一根导线,并将导线的一端牵引到防爆网外,步骤B)中通过测量两根导线间的电压来测量电芯正、负极端子间的电压。通过使用一个标准电池充电,并在充电的过程中动态连续地测量该点的电压,测量过程与实际充电过程一致,从而可以分辨出电芯起火爆炸是由电芯缺陷引起还是由检测点缺陷引起,从而减少在检测过程中起火爆炸事故的发生、减少电芯损失和提高检测柜的利用效率。

OLED显示器件失效检测探测系统及其检测方法 769     

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本发明涉及OLED显示器件的检测领域，尤其涉及一种OLED显示器件失效检测探测系统，包括：混气输入装置，探测器装置，控制器及排气装置。本发明能检测出水汽、氧气、温度、交直流对OLED等薄膜半导体器件效率的影响结果，筛选出有效的封装材料及结构，同时，也可以从气氛、温度、湿度、电流等多角度、全方面地进行故障分析，从而实现OLED显示器件造价低、功能多、使用成本低的特点，进而满足大部分科研及工业生产需要。另，本发明还提供了一种OLED显示器件失效的检测方法。

光模块的失效分析拆卸装置 1007     

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本发明公开了一种光模块的失效分析拆卸装置，包括用于放置光模块的工作台、设置于工作台的底端的升降组件、设置于工作台的上方的下压组件、分设于工作台两侧的拆盖组件、以及分别对应驱动两组拆盖组件靠近或远离工作台的直线往复机构，拆盖组件的自由端呈尖角结构设置，下压组件的驱动端设置有至少一组与之可拆卸连接的下压件。通过上述方式，本发明由直线往复机构驱动拆盖组件运动，从而实现光模块的半自动拆卸，提高了拆卸效率，且通过调节工作台的高度及刀具的行程能够减少拆盖时对光模块内部器件的损伤。

BGA封装焊接失效的顶切分析法 872     

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本发明公开了一种BGA封装焊接失效的顶切分析法，具体包括以下几个步骤：利用红墨水法结合切片分析法判断IC的焊接效果是否有问题以及断裂处在何处，首先使用红墨水的方法，将有裂痕的焊点，全部浸入红墨水，以判定裂痕产生的时间，然后利用切片分析法将IC(或PCB板)顶层的塑封胶及部分铜基板层去掉；对剩下的部分经过处理后，可得到直接目视的各焊点效果图，由此来判定IC的焊接效果是否有问题，断裂处在何处；本方分析方法是一种比较简单,经济,省时的一种分析方法，整个分析过程不会对分析点有物理及化学的损伤，能够完整的,精准准确的定位问题点。当然，如需要进一步对不良品进行其它分析，同一样品可进一步再次分析。

芯片失效分析过程中的剥层方法 966     

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本发明涉及一种芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。

基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法 883     

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本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。

电子产品失效率分析系统及方法 991     

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一种电子产品失效率分析系统及方法,该系统包括:料号编码模块,用于根据电子产品资料产生该电子产品各个零件的料号编码规则,根据该料号编码规则制作电子产品资料的BOM表;零件分类模块,用于从产品BOM表中读取零件料号,根据料号编码规则对零件料号进行分类编码,及整理零件类型并计算各种零件类型的零件数量;失效率计算模块,用于依据各零件类型的参数公式计算各类型零件的单一失效率,及将各类型零件的单一失效率相加总计算电子产品的总失效率;报告产生模块,用于根据电子产品的总失效率产生电子产品寿命的预估报告。实施本发明,能够快速对BOM表内大量的零件料号进行分类,达到准确地计算产品失效率之目的。

浮式风机相关部件失效风险分析方法及系统 941     

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本发明公开一种浮式风机相关部件失效风险分析方法及系统，方法包括以下步骤：步骤S1、建立共因失效下海上浮式风机关键部件的贝叶斯网络模型并计算其子节点条件概率表；步骤S2、采用贝叶斯推理分别获取贝叶斯网络节点的初始状态与证据更新后的关键部件的失效概率；步骤S3、计算风机的每个关键部件的失效关联度，并更新基于专家评分法的失效风险优先数，最后筛选并确定重点关注的海上浮式风机存在高故障风险的关键部件清单。本发明中的可靠性分析可信度将随着故障统计先验数据的不断扩充而逐步提高，可将其拓展至海上浮式风机全寿命周期的不同阶段以提高其运行可靠性。

城镇燃气聚乙烯管道失效事故分析实现方法及系统 974     

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本发明公开了一种城镇燃气聚乙烯管道失效事故分析实现方法及系统，方法包括：获取城镇燃气聚乙烯管道的管道失效后果分类信息，及管道事故后果严重度影响因素信息；其中，所述管道事故后果严重度影响因素信息中所包括的输送介质危害性信息具体包括介质危险系数、泄露量因子及泄露扩散因子；根据管道失效后果分类信息、及管道事故后果严重度影响因素信息，获取风险可接受值，并判断风险可接受值在预先设置的最低合理可行区域，当风险可接受值在最低合理可行区域内则提示事故的风险可接受。本发明中建立了城镇燃气聚乙烯管道失效后果评价因素体系，实现城镇燃气聚乙烯管道风险评价因素体系、及管道失效风险等级的建立和进行事故分析。

并行管道喷射火场景下目标管道动态热失效分析方法 1095     

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本发明公开一种并行管道喷射火场景下目标管道动态热失效分析方法，包括以下步骤：1、输入源管道运行参数，获得瞬时喷射火近场内目标管道接收的瞬时热辐射值；2、建立瞬时热辐射值与时间变化的拟合函数关系式；4、计算目标管道内壁对流换热系数；3、计算目标管道的管壁瞬时温度分布结果；5、计算目标管道的管壁周向、径向和轴向承受的瞬时热应力和瞬时总应力；6、试验获得不同温度对应的屈服强度和极限抗拉强度；7、分析判定目标管道动态热失效结果。本发明通过解决当前静态热失效分析技术不符合实际情况的问题，并基于分析结果合理优化并行管道的安全间距，实现防止目标管道发生热失效。

芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质 1112     

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本申请提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步骤：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。本申请能够形成三维图像，从而能够基于三维图像高效地对整个芯片进行失效分析。

半导体激光芯片失效分析方法 983     

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本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。

线路板通孔受热膨胀的失效分析试验方法 751     

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本发明公开了一种线路板通孔受热膨胀的失效分析试验方法，包括如下步骤：提供具有通孔的线路板，对线路板的通孔进行灌锡操作；对线路板侧壁进行打磨处理；将视频显微镜与线路板具有通孔轴向截面的侧表面进行对焦操作；对所述线路板进行升温处理，并通过所述视频显微镜录制所述线路板的通孔受热膨胀的变化过程。如此本发明能够模拟产品在受热过程(焊件组装、使用)中会出现如孔铜拉裂、分层等等的失效情况，并能够便于根据录制视频进行分析。本发明的失效分析试验方法无需采样分析不同环境温度下多个线路板的受热膨胀的结果图，而是通过控制改变线路板的在录制过程中的温度即可，可见本发明失效分析试验效率更高，分析数据将更加准确。

洪水和飓风耦合作用下立式储罐屈曲失效易损性分析方法 803     

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本发明公开了洪水和飓风耦合作用下立式储罐屈曲失效易损性分析方法。所述方法包括以下步骤：确定立式储罐的基本信息；确定立式储罐受到的作用力；计算出立式储罐的抵抗荷载；计算立式储罐的外部作用力；根据储罐屈曲失效判断依据，建立洪水和飓风耦合作用下储罐屈曲失效的极限状态方程；采用蒙特卡洛模拟方法统计目标储罐发生屈曲失效的次数，计算失效概率；绘制储罐在洪水和飓风耦合作用下的易损性曲线，分析储罐受不同风速、水速、水深和充装率的影响。本发明能精确计算洪水和飓风耦合作用下立式储罐的屈曲失效概率，为化工过程装备多灾种耦合作用下易损性评估提供有力依据。

LNG储罐泄露的失效模式分析实现方法 1028     

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本发明公开了一种LNG储罐泄露的失效模式分析实现方法，方法包括：获取LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值；根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数；判断风险系数是否大于预先设置的风险系数阈值，当风险系数大于所述风险系数阈值时，则进行泄露风险高的提示。本发明中准确的根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数，并判断该风险系数是否超出风险系数阈值，也就可根据事故的风险系数准确指导采取相应的控制措施。

战略备件的失效概率分析方法、系统 953     

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本发明涉及了一种战略备件的失效概率分析方法、系统，该失效概率分析方法包括：根据战略备件在各工厂的工单领用数据及验收入库数据，确定每个已更换的战略备件的更换类型；统计特定时段内战略备件的每个更换类型所对应的更换数量；获取各工厂的战略备件的安装数据及各工厂的机组分布数据；根据战略备件的安装数据及各工厂的机组分布数据，计算特定时段内战略备件的运行堆年数；根据特定时段内战略备件的运行堆年数及每个更换类型所对应的更换数量，分别计算战略备件的每个更换类型的年失效概率。实施本发明的技术方案，实现了战略备件的失效概率分析方法的标准化、自动化，不但提升了工作效率，而且，提高了准确性。

失效分析报告生成系统及方法 842     

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一种失效分析报告生成系统,包括一报告处理模块及一用于将失效分析文件汇总的学习分享模块,所述报告处理模块包括一汇出单元,用于汇出失效分析文件;一转换单元,用于将失效分析文件转换成标准格式;一判断单元,用于判断失效分析文件是否转换成标准格式,如果否,则重新汇出失效分析文件,如果是,则发送一控制信号给报告生成单元;及一报告生成单元,用于在接收到控制信号后将标准格式下的失效分析文件转换成方便阅读的查阅格式并写入学习分享模块。所述失效分析报告生成系统可有效对失效分析文件进行管理。

基于失效机理的元器件FMEA分析方法与系统 826     

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本发明提供一种基于失效机理的元器件FMEA分析方法与系统，对元器件进行FMEA结构划分，将元器件分解为功能单元，功能单元具有独立的失效机理，分析功能单元的失效机理和分析导致失效机理的失效模式，分析失效机理和失效模式对元器件的影响，根据功能单元的失效机理，构建失效物理模型，根据失效物理模型，分析引起失效机理的失效原因，整合元器件失效影响分析结果和引起失效机理的失效原因，获得FMEA分析结果，以提高元器件可靠性。整个元器件FMEA分析的起点是失效机理，在识别失效机理的基础上，对其失效物理模型进行分析，分析失效机理的加速因子，从深层次上对元器件进行准确的可靠性分析，准确反映元器件可靠性状况。

元器件失效归零分析方法与系统 1128     

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本发明提供一种元器件失效归零分析方法与系统，系统建立元器件失效物理故障树，将失效物理故障树转换为失效定位故障树，建立机理原因与失效特征相对应的元器件故障字典，根据故障树和故障字典进行元器件失效归零分析。本发明元器件失效归零分析方法与系统，能够通过失效定位故障树将元器件故障定位到内部物理结构，给出清晰的失效路径，通过故障字典的失效特征向量分析快速确定元器件失效模式对应的失效机理，通过失效物理故障树确定相关失效机理的机理因子和影响因素，提出针对性的失效控制措施，实现对电子元器件故障的快速、准确定位和诊断。

用于分析继电保护系统失效的数据处理方法及系统 1195     

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本申请提供了一种用于分析继电保护系统失效的数据处理方法及系统，通过所述变电站配置描述文件、薄弱环节分析目的信息、所述专家经验信息和所述风险库数据信息分析得出影响系统失效的故障树事件，分析影响本次薄弱环节分析的故障树事件间逻辑关系和前后级关系，并以此为基础搭建系统失效树模型，计算得出薄弱环节，本方案能够针对薄弱环节进行分析，解决了不基于薄弱环节分析基础而盲目进行继电保护可靠性提升策略研究的问题。同时，本方案通过分析薄弱环节分析目的信息，能够针对不同的目的进行不同的薄弱环节分析，解决了没有针对不同分析目的进行薄弱环节分析的问题。

适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法 854     

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本发明公开了一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法，属于半导体封装领域，包括以下步骤：S1：基于常规LPDDR RDL设计，增加键合焊位；S2：设计封装基板，增加若干用于DIE连接的基板正面金手指；S3：进行封装，并将键合焊位与基板正面金手指连接S4:测量电阻，通过电阻测试判断DIE状态，完成设计。只需要在设计原始RDL布线时候，同步新增如下1条RDL走线即可；围绕DIE四周新增1条不封闭的口字型走线和2个键合焊垫(焊垫开窗位置需寻找合适位置，不影响原始产品RDL布线即可)，通过走线电阻的测量数据来判定DIE是否有开裂，无需专门测试机器，只需要使用万用表或者简易测试设备来测试电阻即可判定多芯片堆叠中存在某一颗DIE开裂。

SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质 806     

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本发明涉及SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括当SSD出现失效时，获取SSD全盘信息；根据SSD全盘信息构建失效场景，并对失效场景进行分析，以得到分析结果；发送所述失效结果至终端，以在终端显示所述失效结果。本发明通过在SSD出现失效时，导出SSD全盘信息，并根据SSD全盘信息重建失效场景并在本地进行分析，以此形成分析结果，且导出SSD全盘信息可以无限次重建失效场景，能永久保存失效场景，也极大便利了失效分析及问题解决后的验证，实现多种场景的失效分析，提升分析的成功率和准确率。

芯片失效分析仪器 1090     

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本发明公开了一种芯片失效分析仪器，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本发明是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。

集成电路的关键失效路径分析方法、装置、计算机设备 1064     

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本申请涉及一种集成电路的分析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测器件包含的数字集成电路对应的门级网表，所述门级网表用于描述所述数字集成电路包括的多条路径及每条路径上的门电路包括的至少一逻辑门；根据所述门级网表获取每条路径的路径信息；根据所述路径信息和预设器件退化模型计算每条所述路径的延时增量；根据所述延时增量和失效边界条件计算每条所述路径的失效时间，并将最小失效时间对应的路径作为所述数字集成电路的关键失效路径。通过本方法可基于电路负载及时序要求分析出集成电路中导致可靠性退化的关键失效路径，从而在设计早期对该路径进行加固，提高集成电路的可靠性。

电涌保护器防雷器件失效分析的装置 1106     

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本发明的一种电涌保护器防雷器件失效分析的装置,包括:一整流滤波电路;一DC/DC变换器;一DC/AC变换器,用于将来自所述DC/DC变换器的直流电压进行变换,变成预定频率的交流电压;一限流电路,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中;一电流采样,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中,用于将流过电涌保护器的电流转换成电压信号;一电流放大电路,用于将来自所述电路采样的电流信号进行放大,送给所述DC/DC变换器,以保证流过电涌保护器的电流不变。本发明装置由于采用了先进闭环控制技术,达到了实时调节流过SPD的电流的效果,使设备的成本大大降低,同时提高了测试的准确度。