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半导体激光芯片失效分析方法

826   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:30
本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中,所述方法包括:去除半导体激光芯片的衬底,直至露出所述半导体激光芯片的外延层;通过显微镜的暗场模式观察所述外延层,分析得出失效部位。由于无需专门设备,仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题,从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本;并且,显微镜是常用工具,不像专门设备,操作简单,无需专业技术人员即可操作,降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且,通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层,保持了对失效区域高质量的成像,对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。
声明:
“半导体激光芯片失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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