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基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法

734   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:31
本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法,包括以下步骤:步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗;步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim,进行IGBT模型的建立;步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取;步骤四、将步骤一计算得到的损耗,导入到步骤三提取的Foster网络中,得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素,逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。
声明:
“基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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