本发明涉及一种
芯片失效分析过程中的剥层方法,包括如下步骤:(1)提供芯片,所述芯片具有多层结构,且包括至少一层目标分析层,所述目标分析层包括待分析区域;(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理,去除所述目标分析层之上的一层或多层,露出所述待分析区域,即可,其中,所述离子束包括至少一束宽束离子束,束斑直径不小于1mm。该剥层方法,采用至少一束宽束离子束形成的离子束,可获得较为均一的剥层加工面,避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面,造成目标分析区域的损伤,有效提高了剥层的精度,同时还扩大了加工范围,剥层效率高。
声明:
“芯片失效分析过程中的剥层方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)