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本发明公开了一种微小芯片的失效分析中的样品制备方法，在微小芯片的样品的外围利用模具外壳填充有机介质，然后对有机介质进行加热固化使其与所述微小芯片样品形成一块整体的结构，然后再对所述的包含有微小芯片样品的整体进行研磨。通过固化的有机介质，增大了微小芯片的延展面积，在研磨时能形成更大的研磨面积，从而进一步控制微小芯片外围磨耗，使制样更加均匀。
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本发明提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。
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本发明提供一种芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤：1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3）于所述研磨面表面形成保护层；4）去除剩余的封装膜塑；5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数，研磨过程中芯片不会弯曲，而且，封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸，增加研磨时的方位可控性；后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜，然后进行抛光便可获得平坦的目标层。
本发明涉及一种用于Nanoprobe‑FIB‑TEM失效分析的多用途样品座，包括：半月形样品台为具有窗口的半圆形硅片，TEM薄片样品固定在该窗口上；基座包括本体、用于安装Nanoprobe样品的第一支柱和用于安装半月形样品台的第二支柱，第一支柱和第二支柱固定连接在本体上，本体具有第一基座贯通孔和第二基座贯通孔；卡座具有第一卡座贯通孔和第二卡座贯通孔；第一卡座贯通孔与第一基座贯通孔或第二基座贯通孔适配，第二卡座贯通孔与FIB样品卡座台适配。本发明还提供上述的多用途样品座的应用。根据本发明的多用途样品座，适用于Nanoprobe、FIB、TEM多仪器，免去了在不同仪器里频繁更换样品台的步骤。
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本发明提供了一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，以氢氟酸与乙酸的混合溶液替代现有技术中单纯使用氢氟酸去除氧化层，相对于单纯使用氢氟酸的强腐蚀性，由于在混合溶液中的乙酸同时也电离出氢离子，可抑制氢氟酸的电离，避免腐蚀过程中过多的氟离子参与反应，因此，可使得腐蚀过程中减小损伤或不损伤半导体器件的主动区；使用超声波振荡半导体器件可使低于主动区表面的多晶硅层突出，便于后续使用多晶硅胶去除多晶硅层，避免了在去除多晶硅层的过程中对半导体器件主动区的损伤。
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本申请涉及一种电梯轿厢有无困人图像监控失效辅助分析方法及其系统，该辅助分析方法包括以下步骤：获取电梯启动信号，基于电梯启动信号采集电梯变频器的输出电流；将输出电流与电梯空载时变频器的启动电流比较，若输出电流与启动电流的差值超过轿厢非空载重量的电流量化值，则输出第一反馈信号；基于电梯启动信号采集轿厢按钮指令的登记情况，若轿厢有按钮登记时，则输出第二反馈信号；基于接收的第一反馈信号或者第二反馈信号，输出轿厢内有乘客信息。第一反馈信号和第二反馈信号，只要有一个存在，即判定本次启动运行的轿厢内有乘客，可及时发现轿厢内是否困人，降低安全事故的发生率。且可直接内嵌在电梯控制系统内，减少额外的设备成本。
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本发明涉及自动识别芯片物理缺陷的失效分析方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，通过扫描电镜图像抓取，对抓取的图形进行版图提取形成提取版图，版图查找并将提取版图在完整的芯片原始版图中找到对应的部分并做叠层处理形成叠层版图，然后叠层版图粗略识别，叠层版图精确识别完成物理缺陷的自动识别，不需要人工肉眼观察，因此效率高且准确率高。
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本发明公开了一种用于芯片失效分析的图像采集方法及系统。该方法包括：根据金相显微镜（OM）或扫描电镜(SEM)机台提供的通信接口和相关的编程接口，编写上位机应用程序实现：控制金相显微镜机台/扫描电镜机台载物台上的芯片按照用户设置的参数移动，并在其移动过程控制金相显微镜机台的相机对该芯片的不同部位进行持续拍摄、自动保存拍摄所得的图像。通过本发明提供的技术方案能够实现采用金相显微镜机台/扫描电镜机台对其载物台上的芯片的不同位置进行自动、持续拍摄并保存相关图像，实现对失效芯片的大范围、高效率地图像采集。
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本发明提供了一种集成电路芯片的失效分析方法，在芯片中定位需要做电阻的两端布线，找到需要做电阻的目标位置中的一端，采用聚焦离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；找到需要做电阻的目标位置中的另一端，采用离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；通过聚焦离子束对两个目标位置之间的区域进行刻蚀，使得两个目标位置的露出金属之间区域形成一个沟道；用金属的气相前驱体以气相沉积的方式在所述沟道上沉积一条连接两端金属且与目标电阻阻值相同的金属线。本发明还提供了一套便于执行该方法的集成电路芯片的失效分析的系统。
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本发明提供了一种系统失效分析方法，基于系统的多个安全目标，获取与第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子，其中I为自然数。获取第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于第一阈值的元件的元件失效模式集合。重复上述步骤直至获取系统的每一个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于与其对应的阈值的元件的元件失效模式集合。对所有安全目标对应的元件失效模式集合求并集以获得系统的元件失效模式集合。本发明技术方案可以较准确的确定系统中对安全目标影响最为显著的元件及其高危的元件失效模式。
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本实用新型的用于失效分析的封装基板包括：基板、设置在所述基板上的凹口、以及设置在所述基板上的至少两个导线圈，所述导线圈由内向外依次环绕在所述凹口外。本实用新型的用于失效分析的封装基板，电路结构简单，使用方便。
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本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。
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本实用新型的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。
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本发明公开了一种适用于硅胶封装的电子元件的失效分析的硅橡胶溶剂，主要包含如下质量分数的成分：40％至90％的C3～C6的乙二醇醚或C4～C7的丙二醇醚或乙二醇苯醚或丙二醇苯醚或上述醇醚化合物的一种至多种的混合物，按重量计5％至45％的N-甲基吡咯烷酮或N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺或上述酰胺化合物的一种至多种的混合物，1％～15％的氢氧化钾或氢氧化钠或上述其二者的混合物。本发明制备的溶剂具有腐蚀性低、选择性高、毒性低的优点，能够完全溶解固化的发光二极管封装硅橡胶，十分适用于硅胶封装的发光二极管的失效分析。
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本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法，包括以下步骤：分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号，直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常；获取失效的所述神经电极，并截取所述神经电极的尖端有效部位，用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位，并进行EDS元素分析；建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
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本发明提供了一种失效分析无缓冲图像采集的方法，预设目标拍摄区域，将该目标拍摄区域划分成多个连续但不重叠的长方形子区域，所述子区域的长和宽与每张照片能拍摄到的长和宽一致；移动样品至第一个拍照子区域，打开电子束对该区域进行扫描，收集二次电子或背散射电子等物理信号并形成图像；关停电子束，将样品移动至下一个拍照子区域；重复此过程，直至扫描收集完全部子区域的图像。本发明还提供了一种可以执行上述方法的失效分析无缓冲图像采集系统。
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本发明提供一种用于晶圆上坏点的失效分析的方法，所述方法包括：对晶圆坏点所对应的问题光罩图案进行直接模拟；以及基于模拟结果与生成所述问题光罩图案所基于的原始光学邻近修正版图的模拟的比较确定所述晶圆坏点是否起因于光罩错误。本发明所提供的用于晶圆上坏点的失效分析的方法可以将光学邻近修正过程可能的错误与光罩错误各自产生的影响分离开来，准确确定晶圆坏点产生的根本原因是否在于光罩错误。
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本发明公开了一种基于舰面服役环境的舰载机结构腐蚀失效可靠性分析方法，步骤一、构建舰载机舰面服役环境腐蚀模型，得到腐蚀变量概率分布；步骤二、根据腐蚀模型构建舰载机舰面服役环境初始损伤模型，得到初始损伤的值；步骤三、根据修正的Chaboche疲劳损伤模型建立考虑腐蚀初始损伤的舰载机结构累积疲劳损伤模型；步骤四、建立考虑腐蚀的舰载机结构有限元模型，进而计算获得结构表面的应力分布；步骤五、由有限元计算结果，建立初始损伤、加载载荷和疲劳寿命之间的关系模型，进而获得疲劳寿命和腐蚀影响因素之间的关系模型；步骤六、进行不确定性分析和定寿延寿分析。本发明为舰载机结构安全评估和定寿延寿提供一种新的方法。
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本发明公开了一种只读存储器的位错失效分析方法，包括：步骤一、将只读存储器的后道金属线层都剥离并使接触孔表面露出。步骤二、在失效模块外选定第一切割区域并进行切割形成列方向延伸的第一凹槽，各行多晶硅条的侧面在第一凹槽的侧面暴露，第一凹槽还将半导体衬底表面暴露。步骤三、在第一凹槽的内侧表面形成第一金属层，第一金属层使各行多晶硅条和半导体衬底都接触并接地。步骤四、进行电压衬度成像并形成第一电压衬度像，第一电压衬度像中，接地的多晶硅条形成亮图像，结构正常的存储单元的漏极接触孔形成暗图像，在失效模块中将漏极接触孔的图像为亮图像的存储单元定位为位错失效位置。本发明能通过电压衬度像快速定位位错失效位置。
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本发明提供了一种焊点失效分析的方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该方法包括：生成初始基板模型和初始补丁板模型；生成目标焊点的焊点模型，焊点模型的网格为第一网格，第一网格为设有多条均匀分布的放射线的同心圆环网格；以第一网格划分的元素为单位，建立焊点模型与初始基板模型和初始补丁板模型之间的连接关系，并确定加载载荷时焊点模型的集中应力；在集中应力不大于预设安全裕度时，确定目标焊点为有效焊点。通过本发明实施例提供的焊点失效分析的方法、装置、存储介质及电子设备，将焊点模型网格化为设有放射线和同心圆环的网格，实现焊点模型网格的均匀细化加密，可以保证应力的精准性，避免传统网格加密过程中带来的不稳定性。
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一种样品失效分析方法,包括:获取样品的二次电子图像;从所述二次电子图像中选出作为参照的基准子图形,以及待分析子图形;沿同一方向扫描基准子图形和待分析子图形的灰度,获取基准子图形和待分析子图形的二次电子强度曲线;比较基准子图形的二次电子强度曲线和待分析子图形的二次电子强度曲线,确定待分析子图形是否存在缺陷。用二次电子强度曲线表征二次电子图像,即使有微小的缺陷,也可以通过二次电子强度表示出来;而且由于二次电子强度曲线对灰度变化比较敏感,即使金属互连线以及栓塞由于使用低介电常数金属而导致二次电子图像的分辨率降低,也可以用二次电子强度曲线将二次电子图像表示出来,二次电子强度曲线不会受分辨率变化的影响。
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本发明公开了一种基于故障树的沉船打捞系统失效风险分析方法，采用FreeFTA故障树绘制与分析软件对双船抬吊打捞系统进行风险分析，绘制打捞系统的逻辑树，并对二级子系统进行失效模式分析，在此基础上绘制打捞系统故障树。根据打捞工程危险源识别报告、关键设备风险分析研究与数据库信息确定打捞系统基本事件的概率，通过故障树定量分析得出打捞系统发生故障的概率数值，划分风险级别，得到平均无障碍工作时间。通过基本事件的关键重要度分析发现在打捞过程中最有可能发生的事件，判断可能产生的后果，从而提醒负责人着重关注最有可能发生的事件，预防此类事故的发生。
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本申请提供一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备。该方法在对待处理芯片的背面进行去除，直至暴露出待处理芯片中裸片的背面；将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上，并对处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理，得到相应带孔锡球；采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将凹陷处理后的带孔锡球与分析电路板电连接。该方法克服了现有技术中不能对多于8个锡球的芯片进行失效分析的问题，提高了失效分析的成功率和分析效率。
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一种低k介电材料的失效分析方法,包括:对低k介电材料采用聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描进行薄膜样品制备;对薄膜样品进行透射电镜成像;根据所述透射电镜成像得到的材料形貌,进行失效判定。本发明使用特定参数条件的聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描制备低k介电材料的薄膜样品,并通过透射电镜TEM成像获得样品形貌,根据样品形貌进行失效判定,因此本发明流程简单,经济有效易于实现,且判定准确直观。
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本发明公开的一种栅氧化层失效分析方法，通过采用具有一定能量的离子束对已经制备好的TEM样品进行轰击，使得TEM样品中的Poly非晶化，从而不会在透射电子显微镜中呈现出Poly的晶格衬度，而重金属的衬度依然保留，从而可以在透射电子显微镜下明确观察到重金属污染的位置并顺利地进行元素分析，进而有效的提高栅氧化层失效分析的效率。
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本发明涉及一种GaAs芯片失效分析样品及制备方法，该制备方法包括步骤：对GaAs芯片的基板进行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位，确认失效位置；对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄，使减薄后的厚度满足切割操作厚度；利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置；根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。本发明方法取消了传统化学法解封塑封体，避免了对GaAs芯片的金属走线的破坏，提高了制样成功率并保证了后续的失效分析效果。
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一种暴露半导体衬底的方法和失效分析方法,所述暴露半导体衬底的方法包括:提供半导体样品,所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层;用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层,所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸;用超声波振荡去除所述半导体多晶层,暴露出所述半导体衬底。所述暴露半导体衬底的方法和失效分析方法解决了现有技术逐层剥除半导体衬底上方的半导体多晶层和氧化层会损伤半导体衬底的问题。
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本发明一种通孔链结构的失效分析方法，包括：提供待分析样品，所述待分析样品中具有通孔链结构，所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极，所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好；对所述样品进行切割，使得切割后的样品的一个侧面与通孔链接的一侧的距离为1-10微米；对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面；在样品表面沉积金属层，所述金属层覆盖金属线的表面；将金属层接地；将样品放入聚焦电子束，利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行垂直切割，将位于接触电极下方的半导体衬底去除，露出接触电极的底部；从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。
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本发明提供了一种汽车电子中接触端子的失效分析方法,包括以下步骤:A、使用扫描电子显微镜对接触端子样品进行表面观察;B、使用X射线特征粒子能量谱仪分析接触端子样品表面元素;C、使用X射线光电子能谱进行接触端子样品表面化合物官能团分析;D、制作接触端子样品为金相切片样品;E、使用扫描电子显微镜和X射线特征粒子能量谱仪对制作好的金相切片样品进行观察分析;F、综合分析以上步骤得出的结论,总结出接触端子样品失效的具体原因。本发明方法可快速判断出接触端子的质量好坏以及失效的接触端子的失效原因,可以有效规范汽车电子业界的技术人员进行关于接触端子质量分析的方法,同时也节省大量的分析成本。
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本申请提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。该方法在获取第一状态的热熔蜡后，第一状态为软化状态，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入第一状态的热熔蜡的一侧，并对第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到第一状态的研磨体；研磨体中待研磨样品保持水平；基于第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，第二状态为凝固状态；在固定第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对研磨体中的待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；对待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。该方法提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。
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