本发明一种通孔链结构的失效分析方法,包括:提供待分析样品,所述待分析样品中具有通孔链结构,所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极,所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好;对所述样品进行切割,使得切割后的样品的一个侧面与通孔链接的一侧的距离为1-10微米;对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面;在样品表面沉积金属层,所述金属层覆盖金属线的表面;将金属层接地;将样品放入聚焦电子束,利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行垂直切割,将位于接触电极下方的半导体衬底去除,露出接触电极的底部;从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。
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