上海有色金属失效分析技术理论与应用

用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法及相应装置 758     

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本发明涉及一种用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法，包括：(1)将失效组件置于高温、暗光环境中并保持电注入预设时间；(2)再次进行EL测试和功率测试，获得处理后的EL测试结果和功率测试结果；(3)将处理后的EL测试结果与初始状态的EL测试结果相比较，并将处理后的功率测试结果和初始状态的功率测试结果相比较，若处理后的EL测试结果相对于初始状态的EL测试结果在第一预设范围内且处理后的功率测试结果相对于初始状态的功率测试结果在第二预设范围内，则分析该失效组件为电池片失效；其他比较结果，则分析该失效组件为封装材料导致或电池片浆料接触导致的失效。本发明还提供了相应的装置。

电容的失效分析方法 953     

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本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。

人工耳蜗植入体的失效分析方法 968     

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本发明提供了一种人工耳蜗植入体的失效分析方法。该人工耳蜗植入体失效分析方法包括：ID遥测、阻抗遥测、顺应性测试及刺激输出的测试。本发明提供的人工耳蜗植入体的失效分析方法，旨在解决现有人工耳蜗耳蜗植入体失效分析方法的失效原因定位难、定位不准的问题，有效提升人工耳蜗植入体产品量产的合格率。

在半导体器件中进行失效分析的方法 663     

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一种在半导体器件中进行失效分析的方法,包括:提供待测的半导体器件,所述半导体器件包括晶片和封装覆层;在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口;在暴露的晶片正面进行失效分析;填充所述开口;在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比,本发明采用先在晶片正面开口,后在晶片背面研磨的方法,实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析,提高了失效分析的准确性,增强了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。

掺杂失效的分析方法 722     

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本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供一良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片分别放置在一导电底座上并用锡焊固定；分别在良品硅片和待测样品硅片上选定一测试图形；进行测试条件设置；采用单针分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行认证测试；对良品硅片和待测样品硅片的测试数据进行比较并判断待测样品硅片的掺杂是否失效。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，能大大减少测试图形尺寸、实现小尺寸图形的掺杂失效分析，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。

铜基针型散热器化镀件异常失效的综合分析方法 606     

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本发明为一种铜基针型散热器化镀件异常失效的综合分析方法。具体为：了解化镀件基材的性质、表面处理工艺以及化镀工艺；了解化镀件的运行工况；对失效的铜基针型散热器化镀件进行外观检查；采用显微镜等对失效的铜基针型散热器化镀件进行更细致的观察；对失效的铜基针型散热器化镀件的基材及化镀层的成分与性能进行表征分析；对同种工艺制作的铜基板表面质量进行分析；对冷却液等介质进行成分分析；综合以上的分析步骤，确定铜基针型散热器化镀件异常失效的根本原因。本发明可准确且迅速地判断出铜基针型散热器化镀件失效的原因，进而采取有效的改进措施。本方法对电子元件、机械加工、医疗器械等其他领域化镀件的失效预防也具有重要的参考价值。

在芯片失效分析过程中去除层次的方法 557     

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一种在集成电路芯片失效分析过程中去除层次的方法，用于暴露具有多层结构的集成电路芯片的至少一预设目标层，其中，目标层中包含需检测的目标样品，其包括如下步骤：采用截面研磨的方式，选取集成电路芯片的一个截面作为被研磨截面，将被研磨截面研磨至最终停止截面；将被研磨出截面的芯片样品，放入聚焦离子束装置的工艺腔中，并将研磨出的截面与聚焦离子束发射方向相对设置，以使预设的目标层与聚焦离子束发射方向相平行；使用聚焦离子束，从集成电路芯片的表面层开始去除预设目标层之上的各层次；通过对聚焦离子束中的电子束的检测，选择停留在预设目标层表面。因此，本发明获得很好的层次去除效果。

单向阀失效检测装置及用于检测单向阀失效的方法 1002     

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本发明提供一种单向阀失效检测装置，包括：密封的储液罐，在储液罐内容纳有部分液体，液体从储液罐的外部是可见的；检测管路，检测管路的一端与待检测的单向阀的测试端口相连通，检测管路的与所述一端相对的另一端被在放置于储液罐内的液体中；负压源，其设置成与位于储液罐中的气体相连通，以向储液罐提供负压；单向阀失效检测装置能通过待检测的单向阀的经由检测管路在储液罐的液体中给出的视觉指示来确定待检测的单向阀的失效。借助检测装置，只需观察储液罐的液体中给出的视觉指示来判断单向阀是否失效即可，其结构简单、对压力计和管路真空度的要求更低、观察更方便直观，整个检测时间短。本发明还提供一种用于检测单向阀失效的方法。

材料失效分析方法 1075     

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本发明公开了一种材料失效分析方法，其中，包括以下步骤：获取失效零件的失效背景；对失效零件进行外观检查，得到失效零件的失效信息；在材料失效分析数据库中查找与所述失效背景和/或所述失效信息匹配的材料失效数据，得到所述失效零件的预估失效原因；根据预估失效原因，对所述失效零件进行断口观察，得到所述失效零件的失效形式；采用材料分析法对所述失效零件与未失效零件进行对比分析，得到对比结果；根据所述失效形式和所述对比结果，确定所述失效零件的失效原因。利用本发明可提高材料失效分析人员的效率和水平。

集成电路的背面光学失效定位样品制备方法及分析方法 761     

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本发明公开了一种集成电路的背面光学失效定位样品制备方法，包括：步骤1、对样品进行开、短路测试，使用测试仪ATE机台施加一个电流，来判断电压是否在正常的范围，确定开短路测试电压是在正常的范围后进行下一步分析；步骤2、使用手动研磨机台对失效样品的背面塑封材料进行研磨；步骤3、开封后使用超声波清洗器对器件进行清洗，将残留在芯片背面的残渣去掉，并选用常温恒温，进行8～15分钟超声清洗，得到干净的样品并自然干燥；步骤4、再次使用ATE(自动测试仪)测量样品的电学特性参数，确认样品的特性与制样前完全一致。本发明能大大提高无损开封的成功率及失效分析的速度。本发明还涉及该样品的失效分析方法。

零部件多失效模式相对风险定量分析方法 850     

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本发明涉及一种零部件多失效模式相对风险定量分析的方法，分别建立高周疲劳性能预测模型、低周疲劳寿命预测模型、断裂寿命预测模型、蠕变寿命预测模型、失效风险分析模型，将待分析零部件数据根据结构特点输入对应的预测模型中进行识别，识别过程中离散变量数据分类存入数据库对应类别，失效风险分析模型中各个分析模块根据设定调用数据库中数据，结合预测模型识别结果对待分析零部件失效概率进行多维度分析。将概率分析模型与传统力学模型结合，将零部件结构在材料性能和几何外形等固有参数上呈现的数据离散性纳入考虑，得到的零部件失效分析不再是单一地给出“是”或“否”的二值判断，而是返回一个失效的累积概率分布函数，更符合实际工程应用的经验。

微光显微镜芯片失效分析方法及系统 697     

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本发明公开了一种微光显微镜芯片失效分析方法,利用硬件描述语言开发芯片测试激励;用软件对芯片测试激励进行仿真,仿真正常后将芯片测试激励烧入FPGA基板;FPGA基板输出多个激励pattern输出到待分析芯片的多个引脚,使待分析芯片电路进入故障激发模式;通过微光显微镜捕捉亮点,最后对亮点进行电路分析和失效分析。本发明还公开了一种微光显微镜芯片失效分析系统。本发明的微光显微镜芯片失效分析方法及系统,能实现多通道复杂测试向量施加,实现微光显微镜芯片缺陷定位,降低了芯片失效分析成本并提高分析效率。

膜电极的失效分析装置 583     

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本发明公开了一种膜电极的失效分析装置，涉及膜电极检测领域，解决了现有的膜电极不方便进行失效分析，没有合适的装置能够单独对膜电极进行失效性分析的问题，现提出如下方案，其包括箱体、气管、气缸筒、把手、箱盖、膜电极槽、槽体、密封垫、上极板、上安装板、电动气缸，每个所述电动气缸的输出端与上安装板的下端面均固定连接有第一铰接座，且相邻的所述第一铰接座之间转动连接有第一转杆，所述箱体的下内壁固定安装有限位台，所述上极板的下方设置有下极板，所述下极板的下饭阵列安装有下安装板，每个所述下安装板的下端面与限位台之间均设置有调节机构。本装置具有方便对膜电极进行单独的失效分析检测，同时通用性好的特点。

电脑主机板失效分析方法 863     

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本发明涉及一种电脑主机板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对电脑主机板进行外观光学检查,判断其是否有污染;2)、对步骤1)中判断有污染的电脑主机板进行电性隔离测试,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的电脑主机板进行SEM/EDS分析,判断其是否有导电性元素;4)、对步骤3)中判断有导电性元素的电脑主机板进行超声波清洗。本发明所述的电脑主机板失效分析方法,其通过对电脑主机板进行外观光学检查、电性隔离测试、SEM/EDS分析以及超声波清洗,可以有效、快速地检测出电脑主机板产生的失效现象。

MIM电容器件失效分析方法 625     

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本发明涉及一种MIM电容器件失效分析方法，MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于上极板与下极板之间的绝缘层，硅衬底上还至少包括一位于MIM电容器件上方的金属层，上、下极板分别与金属层的第一、第二电路区电连接，该方法包括如下步骤：a)确定下极板有无接地，若没有，则执行步骤b)；否则，执行步骤d)；b)寻找与MIM电容器件层间距离最近的电源总线；其中，电源总线包括一接地引线；c)形成一连接下极板与电源总线的电路通路；d)通过电压衬度检测确定MIM电容器件的漏电区域。其在通过电压衬度检测MIM电容漏电区域时，不会漏过漏电程度较小的情况，便于观测、也更加可靠。

齿轮箱油位计聚碳酸酯玻璃板失效的综合分析方法 785     

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本发明为一种用于高铁装置油位计聚碳酸酯玻璃板失效原因的综合分析方法。具体步骤为：实地调查和了解玻璃板的工艺参数、运行工况；对失效的玻璃板进行外观检查；采用三维体视显微镜或扫描电镜对失效的玻璃板的断面和内外侧表面进行细致的观察和分析；采用表征方法对玻璃板表面清洗剂进行成分分析；采用表征方法对失效玻璃板的成分、性能进行分析；检查和检测玻璃板的尺寸与凹槽之间的尺寸关系；综合以上从宏观到微观、从现象到本质，确定玻璃板失效的根本原因。本发明通过对高铁齿轮箱油位计玻璃板进行系统的综合分析后，可以快速、准确地判断玻璃板失效的原因，进而采取针对性的预防措施。本方法对其他运输领域聚砜、聚醚砜等高性能玻璃板的安全使用也具有实用参考价值和指导意义。

PCB板失效分析方法 715     

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本发明涉及一种PCB板失效分析方法,其包括以下步骤:1)、对PCB板进行外观光学检查,判断其是否有污染或开裂现象;2)、对步骤1)中判断有污染或开裂现象的PCB板进行电性能检测,判断其是否有电性异常;3)、对步骤2)中判断有电性异常的PCB板进行X-RAY射线检测,判断其上的焊接是否良好;4)、对步骤3)中判断有焊接异常的PCB板进行电子扫描显微镜观察;5)、对经过步骤4)处理的PCB板进行能谱分析。本发明所述的PCB板失效分析方法,其通过对PCB板进行外观光学检查、电性能检测、X-RAY射线检测以及电子扫描显微镜观察,可以有效、快速地检测出PCB板产生的失效现象。

光耦失效分析方法 819     

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本发明提供了一种光耦失效分析方法,该方法包括以下步骤:A、对失效光耦进行外观检查,查看是否有明显磨损、开裂等现象;B、对比失效光耦和良品光耦的电性测试图,分析可能的失效原因;C、对比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射图片,寻找可能的失效原因;D、对失效光耦进行机械开封和化学开封,对开封后的失效光耦进行扫描电子显微镜观察和能谱仪分析;E、综合分析,确定失效光耦的具体失效原因。本发明有如下优点:本发明方法借助有限的分析仪器,在短时间内快速找到光耦失效的原因。

芯片失效分析方法 823     

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本发明提供一种芯片失效分析方法,用于检测芯片栅极的缺陷特征,其步骤包括:通过机械研磨去除进行失效分析的芯片的衬底和有源区的大部分;通过湿法刻蚀去除芯片残存的衬底和有源区;通过干法刻蚀去除芯片的栅氧层的大部分,保留的部分栅氧层用于保护栅极第一多晶硅层;检测所述第一多晶硅层是否存在缺陷特征。本发明方法可将芯片准确剥离至栅极第一层多晶硅的底部,测得其底部的精确尺寸参数,并可大大提高工作效率,节省时间成本。

芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质 1058     

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本申请实施例公开一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将主板的多个真实跌落姿态输入到训练完成的芯片失效分析模型；主板包括一个或多个测试芯片；通过芯片失效分析模型输出每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值，并根据每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值生成与每个真实跌落姿态对应的预测应力值数组；从主板中检测到一个或多个失效芯片时，根据每个失效芯片在多个真实跌落姿态分别对应的预测应力值数组中的预测应力值，确定出导致失效芯片失效的目标跌落姿态。实施本申请实施例，能够准确、高效地复现芯片的失效场景，从而实现对芯片的失效分析。

对栅氧化层进行失效分析的方法 622     

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为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题,本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法,包括:用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上,所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层;将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底;用碱性溶液浸泡所述晶片表面;对所述失效晶片进行观测,所述控制栅有损坏时,所述栅氧化层有缺陷;所述控制栅没有损坏时,所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。

基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法 997     

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本发明提供一种基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法，属于失效分析技术领域，包括：提供一具有承载平台的加热装置、一温度监测装置、一电压激励源以及一检测组件，将测试样品放置于承载平台上，并将电压激励源连接测试样品；通过加热装置将测试样品加热到预定温度，温度监测装置提供给测试者监测测试样品的实时温度，在实时温度到达预定温度时通过电压激励源向测试样品施加预定数值的电压激励，通过检测组件进行基于光发射显微分析技术的检测操作得到失效点的定位信息。本发明的有益效果：定位处于高温状态下的测试样品的漏电失效点，以找到失效原因，提升经济效益。

失效检测方法以及失效检测装置 985     

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一种失效检测方法以及失效分析装置,用于检测导电体上的缺陷,所述失效检测方法包括:在待测导电体上设置至少两个输出端,且所述输出端电势位相等;依次向所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点输入恒定的检测电流;检测各输出端的输出电流;基于各检测点的位置信息以及各输出端的输出电流信息,建立输出端输出电流与检测点位置之间的对应关系;根据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明所提供的失效检测方法,能够精确进行缺陷定位;并且使用带电粒子束作为检测电流源以避免照射点的尺寸限制,满足了小尺寸失效分析的需求。

高阶芯片失效分析物理去层分析方法 1028     

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本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括：提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N-2金属层、第N-1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N-1金属层、第N-2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N-1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N-1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N-1金属层上的氧化层至关注区域内的第N-1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N-1金属层完全去除。

半导体器件失效分析样品制作方法及分析方法 932     

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一种半导体器件失效分析样品的制作方法，本发明所提供的半导体器件失效分析样品的制作方法包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；去除晶片焊垫；去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。相应地，本发明还提供一种半导体器件失效分析方法。采用本发明所提供的半导体器件失效分析样品制作方法和分析方法可以有效提高实效分析的效率，并且在暴露晶片背面的时候能够避免对晶片造成损伤。

半导体功率器件失效分析的失效点定位方法 839     

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本发明提供了一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，包括以下步骤：利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，以及使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；利用电子封装组装失效分析工具对之前步骤的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。本发明有以下优点：有效地对金属铝层进行剥离，同时保持了阻挡层的完整性；极大地加快了半导体功率器件失效点定位工作的速度和效率，同时保持了很高的精度。

失效点的定位方法及芯片的失效分析方法 881     

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本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。

半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法 703     

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本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。

失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法 852     

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本发明公开一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其特征在于，包括有晶圆，在所述晶圆的前面寻找目标点，在接近所述晶圆的目标点以及所述晶圆的背面粘贴胶带，然后在所述胶带上粘贴传导带，并在所述目标点以及所述传导带上连接电线，最后在所述晶圆背面的传导带上使用探针进行探测。使用本发明一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，通过本发明能够得到一种好的背面失效定位的结果，而无需将晶圆切碎，有效地节约失效分析费用成本，同时，提高了质量。本发明有效地保证了晶圆的完整性，并且实现背面失效定位。

主动测试电压对比度失效定位的方法 941     

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本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，将所要测试的样品通过导电双面胶带黏贴在支撑盘上；步骤二，在支撑盘上黏贴单面隔离胶带，并使单面隔离胶带的两端接近被测样品；步骤三，在单面隔离胶带上设有多个电池，并在每两个电池之间设有垫片连接，之后在首端电池的顶面设有一单面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上，在末端电池的底面设有一双面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上；步骤四，利用引线将单面隔离胶带上的单面导电胶带与双面导电胶带远离电池的一端与被测样品的压点连接；步骤五，对被测样品进行测试。通过本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，能够有效地使操作检测方式变得简易，不需要操作者对其有很丰富的操作经验，使用操作成本低廉，同时能够灵活性的对测试样品进行测试。