本发明公开了一种应用于NVM
芯片的失效位图分析方法,该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号,测试芯片的擦除、编程、读取功能,用位图分析方法进行分析,存储单元阵列中,缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误,远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确,根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法,将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入,从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下,得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息,不仅突破了常规位图分析方法的限制,而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。
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